技术编号：7170427
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，特别涉及。背景技术随着集成电路技术的发展，半导体器件的尺寸越来越小。为了控制短沟道效应，更小的器件尺寸要求进一步提高栅极电容。通常通过减小栅极和衬底之间的栅极电介质层(通常为氧化硅(SiO2))的厚度来提高栅极电容。然而，这会带来栅极漏电流的增加并降低器件的可靠性。而且，随着特征尺寸的减小，栅极电介质层的厚度已经很难进一步减小。为此，在当前的超大规模集成电路(VLSI)工艺中，高介电常数(高k)_金属栅极(简称HK-MG)方案逐渐成为...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。