技术编号:7173483
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及半导体装置,具体涉及在栅绝缘膜上形成了鸟嘴状氧化膜的半导体装置。背景技术 众所周知,作为半导体元件的隔离方法,一般有LOCOS(LocalOxidation of Silicon硅的局部氧化)法与STI(Shallow TrenchIsolation浅沟隔离)法。这些隔离方法中,在半导体衬底上淀积成为元件隔离结构的隔离氧化膜后,用蚀刻法使成为活性区的半导体衬底的表面露出,在该露出的部分上依次形成栅绝缘膜等。但是这种场合,隔离氧化膜的侧壁部分...
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