技术编号：7175791
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及微电子领域，尤其涉及一种CMOS硅器件。 背景技术随着CMOS工艺的发展，CMOS集成电路成为集成电路发展的主流，在CMOS工艺的发展过程中，形成了标准CMOS工艺。采用标准CMOS工艺制造的一种CMOS硅器件中，N阱 (N-well)周围紧邻着P阱(P-well)。如图IA所示，为现有技术中CMOS硅器件的平面图， 如图IB所示，为现有技术中图IA所示示意图沿AA线的剖面图，该CMOS硅器件包括N阱 11、P阱12和P型硅衬底13，N阱11...
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