技术编号:7176836
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储器装置单体,以及包含该半导体存储器装置的半导体集成电路,特别涉及采用电源电压在1.2V以下的低电压下动作、设计线规在0.13μm以下的高集成度以及高密度器件时,可以有效削减晶体管的漏电流的技术。在这样的状况下,在低阈值电压的晶体管中,即使在截止时也会在源极-漏极之间流过大截止漏电流的问题变得显著。为了解决该问题,在现有技术中,例如通过将字线设定成负电压,或者将源极电位向正电位方向移动,可以有效向晶体管施加负偏置,减少截止漏电流。但是...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。