技术编号:7180155
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电路的ESD(Electrostatic Discharge,静电放电)保护电路。 背景技术利用二极管形成的ESD保护电路比较注重二极管引入的寄生电容,特别是应用 于高速电路时。二极管所引入的寄生电容越小,响应速度越快。通常由TVS (Transient Voltage Suppressor,瞬态电压抑制)二极管形成的ESD保护电路含有浅沟槽做的电容,这 种结构的缺点是需要额外的可是浅沟槽的工艺步骤,工艺成本较高。发明内容本发明所要解决的技术...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。