技术编号:7180180
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路器件,特别是涉及一种SiGe BiCMOS工艺中的 PNP双极晶体管。背景技术在射频应用中,需要越来越高的器件特征频率,RFCMOS虽然在先进的工艺技术中 可实现较高频率,但还是难以完全满足射频要求,如很难实现40GHz以上的特征频率,而且 先进工艺的研发成本也是非常高;化合物半导体可实现非常高的特征频率器件,但由于材 料成本高、尺寸小的缺点,加上大多数化合物半导体有毒,限制了其应用。SiGe HBT则是超 高频器件的很好选择,...
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