技术编号:7180431
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置,特别是涉及高耐压功率用半导体装置。 背景技术图49是整体用700标示、传统的横向n沟道IGBT(绝缘栅双极 型晶体管)的顶视图;此外,图50是从X-X方向看图49的截面图。如图50所示,IGBT700包含p型衬底1。 n层2设置在p型衬 底l中,此外在n—层2内形成n型緩沖层3。此外,在n型緩冲层3 中形成p型集电极层4。另一方面,在n-层2中,与p型集电极层4相隔规定的距离,形 成p型基极层5。在p型基极层5内,n型发射极层(n+)...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。