技术编号：7180582
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及一种集成电路器件，具体来说，涉及一种金属栅极结构及其制造 方法。背景技术随着技术节点的减少，半导体制造过程已经引入具有高介电常数(例如，高-k电 介质)的栅极电介质材料来保持性能。高-k电介质比传统使用的二氧化硅有更高的介电 常数；这允许使用更厚的电介质层来获得类似的等效氧化层厚度(E0Ts)。引入的金属栅极 结构的电阻比传统的多晶硅栅极结构低，这也对制造过程有利。 然而，高-k栅极结构可能导致相关器件阈值电压(Vt)的负向转换。这种转换，尤...
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