技术编号:7180608
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有浮置栅的半导体存储器,特别涉及元件隔离区上形成浮置栅的半导体器件及其制造方法。背景技术 每年,在推进高集成度的半导体存储器方面,作为对微细化的要求,为了满足设计规则的按比率缩小,所以在元件隔离形成阶段采用浅沟的元件隔离(以下记为STI-Shallow Trench Isolation)区域。以下,以存储单元部分的形成方法为例,一边参照图1A到图1G一边说明现有半导体存储器的制造方法一例。如图1A所示,半导体衬底100中形成STI区域101...
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