技术编号：7180631
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施方案涉及半导体发光器件。 背景技术III-V族氮化物半导体已经广泛用于光学器件例如蓝色和绿色发光二极管 (LED)、高速开关器件、例如M0SFET(金属-半导体场效应晶体管)和HEMT(异质结场效应 晶体管)以及照明器件或者显示器件的光源。 氮化物半导体主要用于LED或者LD(激光二极管)，已经持续进行研究来改善氮化 物半导体的制造工艺或者光效率。 发明内容 本发明实施方案提供一种能够分离芯片而无需实施隔离蚀刻工艺的半导体发光 器件。 本发明实施...
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