技术编号:7180685
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总地涉及集成电路器件的领域,更具体地,涉及制造集成电路器件的方法。背景技术由于半导体器件变得更加高度集成,所以半导体器件中的特征尺寸及其间的间隔逐渐减小。因此,用于形成器件特征的各种图案的节距也按比例地减小。然而,由于用来形成图案的传统光刻工艺的分辨率极限,已经逐渐难以在各种基板材料上形成足够精细的线条和间隔图案(后面称作"L/S"图案)。 使这些半导体器件更加高度集成的一种方法是通过使用有时称作自对准反转图案化(self-aligned rever...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。