技术编号：7181325
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路制造工艺，特别涉及一种深亚微米超大规模 集成电路Cu互连模系用低阻、高稳定性a -Ta/TaN梯度扩散阻挡层的制备工艺。背景技术随着集成电路特征尺寸的持续縮小、集成度不断提高，Cu已逐步取代A1作为新一 代互连金属材料。然而，由于Cu在Si和Si基氧化物介质中，在低温下即可扩散生成深能 级杂质，对器件中的载流子具有很强的陷阱效应，使器件性能退化甚至失效。因此，在Cu和 Si或Si02之间必须要增加金属阻挡层，起到阻止Cu扩散以及改善...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。