技术编号：7181586
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。从总体上来说，本发明的实施方式涉及半导体的制备方法。更具体地说，本发明的 实施方式涉及对高长宽比的插头进行插头填充(plug fill)的方法。背景技术现有的插头填充技术要求对金属进行共形沉积(conformal exposition)或使用 溅射法进行从上到下的填充。例如，在形成于含有半导体的层上的介电材料内形成过孔 (via)。使导电金属在过孔内从过孔的侧壁向下至底部进行沉积。使导电材料从过孔的侧 壁向内且从下至上地填充在过孔内。这会在进行过孔填充时产...
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