技术编号：7182582
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米电子器件及纳米加工，尤其涉及一种电荷俘获型非易失 存储器及其制作方法，采用双层堆叠俘获层结构进行能带调制从而提高器件性能。背景技术非易失性存储器的主要特点是在不加电的情况下也能够长期保持存储的信息，它 既有只读存储器(ROM)的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗较小。随 着多媒体应用、移动通信等对大容量、低功耗存储的需要，非易失性存储器，特别是闪速存 储器(Flash)，所占半导体器件的市场份额变得越来越大，成为一种非常重要的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。