技术编号:7182672
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,且特别涉及可以避免浮置基体效应 (floating body effect)的一种。背景技术在半导体制造产业中,如何增加半导体集成电路的操作速度为相当重要课题。绝 缘层上覆硅金属氧化物半导体(SOI M0S)晶体管即是一种相较于体金属氧化物半导体 (bulk M0S)晶体管具有低漏电、低栅极寄生电容、无闭锁(latch-up free)以及高操作速度 的一种半导体元件。图1为已知一种绝缘层上覆硅元件的剖面示意图。请参照图1,绝缘层上覆硅元件...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。