技术编号:7183307
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造方法。背景技术随着近来技术的发展,半导体发光器件变得越发高效并且具有更高输出。然而,随着输出变高,由半导体发光器件生成的热量同样增加,这导致如下问题半导体发光器件变得低效,半导体膜退化,并且可靠性降低。为了解决这个问题,采用一种结构,在这种结构中,去除了相对低热导率的生长衬底,而是采用由相对高热导率的金属支撑的半导体膜。通过采用这样一种结构可以提高半导体发光器件的散热性能,并且通过去除生长衬底可以期待提高发光效率,具体地讲,提高出...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。