技术编号：7183677
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在同一衬底上具有不同耐压漏极的高压MOS(金属氧化物半导体)晶体管与低压MOS晶体管的，并涉及一种根据此方法制造的半导体装置。背景技术 一般情况下，用于驱动图像传感器、LCD以及印刷磁头等的集成电路(以下称为“驱动IC”)，由具有在+V以上的电源电压下工作的漏极及源极间的耐压(或简称为“漏极耐压”)能力强的高压MOS晶体管的驱动输出单元，以及具有在数伏以下的电源电压下可以使用的漏极耐压能力差的低压MOS晶体管的控制驱动输出单元的逻辑单元构成。...
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