技术编号:7183795
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件和电子装置。 背景技术近年来,设于绝缘衬底上的薄膜集成电路的转移技术发展已经有了进展。对于该 技术,存在例如这样的一种技术在薄膜集成电路和衬底之间设有剥离层,使用含有卤素的 气体除去该剥离层,由此从支撑衬底上分离薄膜集成电路并随后进行转移(见参考l 日本 专利待审查号H8-254686)。 此外,通过无线电发射和接收数据的半导体器件已经得到积极地发展。发射和接 收数据的半导体器件是指无线芯片、集成电路芯片、射频标...
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