技术编号:7184772
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种多晶硅的制作方法,特别是涉及一种利用金属触媒结晶化的方法制作低温多晶硅过程中的镍剥离方法。 背景技术AM0LED与PMOLED相比,具有耗电低、寿命长的优点,但AMOLED最大的问题在于多 晶硅的生产技术。由于OLED是电流驱动,需要保证基板上各像素多晶硅的均匀性,还要保 证载流子迁移率、阈值电压等的均匀性。由于低温多晶硅的载流子迁移率高,面板内可以集 成驱动电路,因此制造这些高质量中小型面板必须使用低温多晶硅。 多晶硅制造方法有激光照射方法...
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