专利名称：制作低温多晶硅方法中的镍剥离方法
技术领域：
本发明涉及一种多晶硅的制作方法，特别是涉及一种利用金属触媒结晶化的方法
制作低温多晶硅过程中的镍剥离方法。
背景技术：
AM0LED与PMOLED相比，具有耗电低、寿命长的优点，但AMOLED最大的问题在于多 晶硅的生产技术。由于OLED是电流驱动，需要保证基板上各像素多晶硅的均匀性，还要保 证载流子迁移率、阈值电压等的均匀性。由于低温多晶硅的载流子迁移率高，面板内可以集 成驱动电路，因此制造这些高质量中小型面板必须使用低温多晶硅。 多晶硅制造方法有激光照射方法、利用金属触媒结晶化的方法、连续结晶化方法 等。其中，利用金属触媒结晶化的方法中，所有层光刻工序都使用正性光刻胶进行图形工 艺，而镍剥离采用负性光刻胶进行，成本高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种成本低的制作低温多晶硅方法中的镍剥 离方法。 本发明解决技术问题所采用的技术方案是制作低温多晶硅方法中的镍剥离方 法，该方法包括以下步骤1)在基板上蒸镀非晶硅后制作非晶硅图形；2)根据所需要的镍 图形，进行正性光刻胶图案的制作；3)通过氧气灰化工艺去除图形边缘的光刻胶；4)蒸镀 镍金属；5)将不要的光刻胶及镍金属剥离。 本发明的有益效果是本发明的镍剥离工序采用正性光刻胶，正性光刻胶与负性 光刻胶相比，成本低得多，因此本发明的方法成本低；并且由于采用氧气灰化工艺去除残留 的光刻胶，有助于镍金属的蒸镀，可以制造出安定性好、效率高的AMOLED用的低温多晶硅。
图1是现有技术的步骤1的示意图。 图2是现有技术的步骤2的示意图。 图3是现有技术的步骤3的示意图。 图4是现有技术的步骤4的示意图。 图5是本发明的步骤2的示意图。 图6是本发明的步骤3的示意图。 图7是本发明的步骤4的示意图。
具体实施例方式目前的利用金属触媒结晶化的方法制作低温多晶硅过程中的镍剥离方法为
1)在基板1上蒸镀6001()()()人(十分之一纳米)的非晶硅后制作非晶硅图形2，如
3图1所示； 2)根据所需要的镍图形，进行负性光刻胶图案3的制作，如图2所示； 3)蒸镀501()(^的镍金属4，如图3所示； 4)将不要的光刻胶及镍金属剥离，如图4所示。
本发明的镍剥离方法如下 1)在基板1上蒸镀600 1()()(^的非晶硅后制作非晶硅图形2，如图1所示；
2)根据所需要的镍图形，进行正性光刻胶图案5的制作，如图5所示；
3)通过氧气灰化工艺去除图形边缘的光刻胶，如图6所示；
4)蒸镀50 1()(^的镍金属4，如图7所示；
5)将不要的光刻胶及镍金属剥离，如图4所示。 其中，氧气灰化工艺是一种现有的利用等离子蚀刻设备进行蚀刻的技术，本发明 的等离子蚀刻设备抽真空后采用200W的射频电源，氧气以50cm3/分种的流量注入，进行等 离子处理，不仅可以蚀刻掉相应的光刻胶，而且还可以干净地处理掉基板表面残存的光刻 胶。
权利要求
制作低温多晶硅方法中的镍剥离方法，其特征在于，该方法包括以下步骤1)在基板(1)上蒸镀非晶硅后制作非晶硅图形(2)；2)根据所需要的镍图形，进行正性光刻胶图案(5)的制作；3)通过氧气灰化工艺去除图形边缘的光刻胶；4)蒸镀镍金属(4)；5)将不要的光刻胶及镍金属剥离。
2. 如权利要求1所述的制作低温多晶硅方法中的镍剥离方法，其特征在于，步骤1所述蒸镀非晶硅的厚度为eo0—1Q(X)A。
3 如权利要求1所述的制作低温多晶硅方法中的镍剥离方法，其特征在于，步骤3所述 氧气灰化工艺是利用等离子蚀刻设备进行蚀刻，等离子蚀刻设备抽真空后采用200W的射 频电源，氧气以50cm3/分种的流量注入，进行等离子处理。
4. 如权利要求1所述的制作低温多晶硅方法中的镍剥离方法，其特征在于，步骤4所述蒸镀镍金属(4)的厚度为^—
全文摘要
本发明提供一种成本低的制作低温多晶硅方法中的镍剥离方法。制作低温多晶硅方法中的镍剥离方法，该方法包括以下步骤1)在基板上蒸镀非晶硅后制作非晶硅图形；2)根据所需要的镍图形，进行正性光刻胶图案的制作；3)通过氧气灰化工艺去除图形边缘的光刻胶；4)蒸镀镍金属；5)将不要的光刻胶及镍金属剥离。本发明的镍剥离工序采用正性光刻胶，正性光刻胶与负性光刻胶相比，成本低得多，因此本发明的方法成本低；并且由于采用氧气灰化工艺去除残留的光刻胶，有助于镍金属的蒸镀，可以制造出安定性好、效率高的AMOLED用的低温多晶硅。
文档编号H01L21/311GK101740359SQ200910311078
公开日2010年6月16日 申请日期2009年12月8日 优先权日2009年12月8日
发明者徐正勋, 李慧元 申请人:四川虹视显示技术有限公司