低温多晶硅背板及其制造方法和发光器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及低温多晶硅背板及其制造方法和发光器件。
【背景技术】
[0002]低温多晶娃(Low Temperature Poly-silicon，简称:LTPS)技术由于具有超薄、重量轻和低耗电等优点而得到越来越广泛的应用。
[0003]在LTPS背板的结构中设置有平坦化(Polarizat1n，简称:PLN)层，由于PLN层采用较厚的有机材料，因此在形成PLN层的过程中为防止残留通常需要大的曝光量以将需要去除的有机材料去除干净。但是大的曝光量会导致薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称:TFT)的阈值电压Vth正偏及Vth结果的发散性增大。
[0004]综上所述，PLN层曝光时采用的紫外光影响了 TFT的特性，从而降低了 TFT的稳定性。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种低温多晶硅背板及其制造方法和发光器件，用于提高薄膜晶体管的稳定性。
[0006]为实现上述目的，本发明提供了一种低温多晶硅背板，包括:衬底基板和位于所述衬底基板上方的薄膜晶体管和光阻挡层，所述光阻挡层位于所述薄膜晶体管的上方；
[0007]所述光阻挡层用于阻挡照射光照射到薄膜晶体管。
[0008]可选地，所述光阻挡层包括光吸收层；
[0009]所述光吸收层用于吸收所述照射光以阻挡照射光照射到薄膜晶体管。
[0010]可选地，所述光吸收层的厚度为200nm至440nm。
[0011]可选地，所述光阻挡层包括遮光层；
[0012]所述遮光层用于遮挡所述照射光以阻挡照射光照射到薄膜晶体管。
[0013]可选地，所述遮光层的厚度为50nm至500nm。
[0014]可选地，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层和源漏极，所述有源层位于衬底基板的上方，所述有源层之上设置有栅绝缘层，所述栅极位于栅绝缘层之上，所述栅极之上设置有中间绝缘层，所述源漏极设置于中间绝缘层之上且该源漏极通过设置于中间绝缘层和栅绝缘层上的第一过孔与有源层连接，所述光阻挡层位于所述源漏极之上。
[0015]可选地，所述光阻挡层之上设置有平坦化层，所述平坦化层之上设置有第一电极，所述第一电极通过设置于所述平坦化层和所述光阻挡层上的第二过孔与源漏极连接，所述第一电极之上设置有像素界定层。
[0016]为实现上述目的，本发明提供了一种发光器件，包括:上述低温多晶硅背板和像素结构。
[0017]为实现上述目的，本发明提供了一种低温多晶硅背板的制造方法，包括:
[0018]在衬底基板的上方形成薄膜晶体管；
[0019]在薄膜晶体管的上方形成光阻挡层，所述光阻挡层用于阻挡照射光照射到薄膜晶体管。
[0020]可选地，还包括:
[0021]在所述光阻挡层之上形成平坦化层；
[0022]在所述平坦化层和所述光阻挡层上形成第二过孔；
[0023]在所述平坦化层之上形成第一电极，所述第一电极通过所述第二过孔与薄膜晶体管的源漏极连接；
[0024]在所述第一电极之上形成像素界定层。
[0025]本发明具有以下有益效果:
[0026]本发明提供的低温多晶硅背板及其制造方法和发光器件的技术方案中，低温多晶硅背板包括薄膜晶体管和光阻挡层，光阻挡层位于薄膜晶体管的上方，该光阻挡层可阻挡照射光照射到薄膜晶体管，避免了照射光对薄膜晶体管特性的影响，从而提高了薄膜晶体管的稳定性。
【附图说明】
[0027]图1为本发明实施例一提供的一种LTPS背板的结构示意图；
[0028]图2为本发明实施例三提供的一种LTPS背板的制造方法的流程图；
[0029]图3a为实施例三中形成有源层的示意图；
[0030]图3b为实施例三中形成栅绝缘层的示意图；
[0031]图3c为实施例三中形成栅极的示意图；
[0032]图3d为实施例三中形成中间绝缘层的示意图；
[0033]图3e为实施例三中形成第一过孔的示意图；
[0034]图3f为实施例三中形成源漏极的示意图；
[0035]图3g为实施例三中形成光阻挡层的示意图；
[0036]图3h为实施例三中形成平坦化层的示意图；
[0037]图3i为实施例三中形成第二过孔的示意图；
[0038]图3j为实施例三中形成第一电极的示意图。
【具体实施方式】
[0039]为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的低温多晶硅背板及其制造方法和发光器件进行详细描述。
[0040]图1为本发明实施例一提供的一种LTPS背板的结构示意图，如图1所示，该LTPS背板包括:衬底基板11和位于衬底基板11上方的薄膜晶体管12和光阻挡层13，光阻挡层13位于薄膜晶体管12的上方。光阻挡层13用于阻挡照射光照射到薄膜晶体管12。
[0041]本实施例中，照射光为紫外光，该紫外光可以是曝光工艺中采用的紫外光或者是后期使用时环境中的紫外光。
[0042]可选地，光阻挡层13可包括光吸收层，该光吸收层可吸收照射光以阻挡照射光照射到薄膜晶体管12。优选地，该光吸收层的厚度可以为200nm至440nm。该吸收层的材料可以包括一种有机材料或者多种有机材料的混合物，例如:有机材料可包括P3HT或F8T2 ;或者，该吸收层的材料可以包括一种无机材料或者多种无机材料的混合物，例如:无机材料可包括氧化锌或氧化钛。该光吸收层可以对紫外光进行吸收，特别是对200nm至400nm的紫外光具有吸收功能，避免了紫外光中的短波照射到下方的薄膜晶体管12，从而避免了紫外光对薄膜晶体管的损伤。
[0043]可选地，光阻挡层13可包括遮光层，该遮光层可遮挡照射光以阻挡照射光照射到薄膜晶体管12。优选地，该遮光层的厚度可以为50nm至500nm。该遮光层的材料可以包括黑色树脂材料或者由绝缘层和金属层构成的复合层结构，该复合层可包括绝缘层和位于绝缘层上方的金属层，该绝缘层可位于薄膜晶体管12之上以起到将薄膜晶体管12和金属层隔离的作用，该金属层可遮挡照射光。该遮光层可以对紫外光进行遮挡，特别是对200nm至400nm的紫外光具有遮挡功能，避免了紫外光中的短波照射到下方的薄膜晶体管12，从而避免了紫外光对薄膜晶体管的损伤。
[0044]本实施例中，薄膜晶体管12可包括栅极121、有源层122和源漏极123，有源层122位于衬底基板11的上方，有源层122之上设置有栅绝缘层14，栅极121位于栅绝缘层14之上，栅极121之上设置有中间绝缘层15，源漏极123设置于中间绝缘层15之上且该源漏极123通过设置于中间绝缘层15和栅绝缘层14上的第一过孔16与有源层122连接，光阻挡层13位于源漏极123之上。
[0045]进一步地，光阻挡层13之上设置有平坦化层17。优选地，平坦化层17的材料为感光材料，例如:东丽公司的DL-1000系列PI材料。平坦化层17之上设置有第一电极18，第一电极18通过设置于平坦化层17和光阻挡层13上的第二过孔19与源漏极123连接，其中，第一电极18可以为阳极。第一电极18之上设置有像素界定层(Pixel definit1nlayer，简称:PDL)20。具体地，第一电极18通过第二过孔19和源漏极123中的漏极连接。
[0046]进一步地，该LTPS背板还包括缓冲层21，该缓冲层21位于衬底基板11之上，有源层122位于缓冲层21之上。
[0047]需要说明的是:本实施例中描述的各结构之间的位置关系仅为一种优选方案，在实际应用中，还可以根据产品需要变更各结构之间的位置关系，位置关系变更后的LTPS背板也应属于本发明的保护范围。
[0048]本实施例提供的LTPS背板包括薄膜晶体管和光阻挡层，光阻挡层位于薄膜晶体管的上方，该光阻挡层可阻挡照射光照射到薄膜晶体管，避免了照射光对薄膜晶体管特性的影响，从而提高了薄膜晶体管的稳定性。本实施例中的光阻挡层不仅可以避免曝光工艺中紫外光照射到薄膜晶体管，还可以避免后期使用时环境中的紫外光中照射到薄膜晶体管，从而在制造过程中和后期使用时均提高了薄膜晶体管的稳定性。本实施例中，薄膜晶体管稳定性的提尚，有利于提尚发光器件显不的均勾性。
[0049]本发明实施例二提供了一种发光器件，该显示装置包括:LTPS背板和像素结构，LTPS背板采用上述实施例一提供的LTPS背板，此处不再重复描述。
[0050]其中，像素结构的材料为有机发光材料。
[0051]进一步地，该发光器件还包括第二电极，该第二电极可位于有机发光材料的上方。其中，该第二电极可以为阴极。
[0052]本实施例提供的发光器件中，LTPS背板包括薄膜晶体管和光阻挡层，光阻挡