层位于薄膜晶体管的上方，该光阻挡层可阻挡照射光照射到薄膜晶体管，避免了照射光对薄膜晶体管特性的影响，从而提高了薄膜晶体管的稳定性。本实施例中的光阻挡层不仅可以避免曝光工艺中紫外光照射到薄膜晶体管，还可以避免后期使用时环境中的紫外光中照射到薄膜晶体管，从而在制造过程中和后期使用时均提高了薄膜晶体管的稳定性。本实施例中，薄膜晶体管稳定性的提高，有利于提高发光器件显示的均匀性。
[0053]图2为本发明实施例三提供的一种LTPS背板的制造方法的流程图，如图2所示，该方法包括:
[0054]步骤101、在衬底基板的上方形成薄膜晶体管。
[0055]其中，薄膜晶体管可包括栅极、有源层和源漏极，则步骤101具体包括:
[0056]步骤1011、在衬底基板的上方形成有源层。
[0057]图3a为实施例二中形成有源层的不意图，如图3a所不，在衬底基板11的上方沉积有源材料层，对有源材料层进行构图工艺形成有源层122。可选地，在步骤1011之前还可以包括:在衬底基板11之上形成缓冲层21，则有源层122可形成于缓冲层21之上。
[0058]步骤1012、在有源层之上形成栅绝缘层。
[0059]图3b为实施例三中形成栅绝缘层的示意图，如图3b所示，在有源层122之上沉积栅绝缘层14。
[0060]步骤1013、在栅绝缘层之上形成栅极。
[0061]图3c为实施例三中形成栅极的示意图，如图3c所示，在栅绝缘层14之上沉积栅极材料层，对栅极材料层进行构图工艺形成栅极121。
[0062]步骤1014、在栅极之上形成中间绝缘层。
[0063]图3d为实施例三中形成中间绝缘层的示意图，如图3d所示，在栅极12之上沉积中间绝缘层15。
[0064]步骤1015、在中间绝缘层和栅绝缘层上形成第一过孔。
[0065]图3e为实施例三中形成第一过孔的示意图，如图3e所示，对中间绝缘层15和栅绝缘层14进行构图工艺形成第一过孔16。
[0066]步骤1016、在中间绝缘层之上形成源漏极，该源漏极通过第一过孔与有源层连接。
[0067]图3f为实施例三中形成源漏极的示意图，如图3f所示，在中间绝缘层15之上沉积源漏极材料层，对源漏极材料层进行构图工艺形成源漏极123。源漏极123填充于第一过孔16中且位于有源层122之上，从而实现与有源层122连接。
[0068]步骤102、在薄膜晶体管的上方形成光阻挡层，光阻挡层用于阻挡照射光照射到薄膜晶体管。
[0069]具体地，可在在源漏极之上形成光阻挡层。
[0070]图3g为实施例三中形成光阻挡层的示意图，如图3g所示，在源漏极123之上涂覆光阻挡层13。
[0071]步骤103、在光阻挡层之上形成平坦化层。
[0072]图3h为实施例三中形成平坦化层的示意图，如图3h所示，在光阻挡层13之上涂覆平坦化层17。
[0073]步骤104、在平坦化层和光阻挡层上形成第二过孔。
[0074]图3i为实施例三中形成第二过孔的示意图，如图3i所示，对平坦化层17和光阻挡层13进行构图工艺形成第二过孔19，第二过孔19位于源漏极123之上。本实施例中，平坦化层17的材料为感光材料，光阻挡层13的材料为非感光材料，因此构图工艺可包括对平坦化层17进行曝光和显影去除平坦化层17的部分结构之后，通过灰化工艺或者酸液刻蚀工艺对光阻挡层13进行刻蚀去除光阻挡层13的部分结构，以形成第二过孔19。在实际应用中，若平坦化层17的材料为非感光材料，光阻挡层13的材料为非感光材料，则构图工艺可包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。在实际应用中，若平坦化层17的材料为感光材料，光阻挡层13的材料为感光材料，则构图工艺可包括曝光和显影工艺。
[0075]步骤105、在平坦化层之上形成第一电极，第一电极通过第二过孔与薄膜晶体管的源漏极连接。
[0076]图3j为实施例三中形成第一电极的示意图，如图3j所示，在平坦化层17之上形成第一电极材料层，对第一电极材料层进行构图工艺形成第一电极18，第一电极18填充于第二过孔19中以实现与源漏极123中的漏极连接。
[0077]步骤106、在第一电极之上形成像素界定层。
[0078]如图1所示，在第一电极18之上形成像素界定材料层，对像素界定材料层进行构图工艺形成像素界定层20。
[0079]至此，完成了 LTPS背板的制造过程。而后，可继续执行如下步骤:通过蒸镀工艺形成像素结构，在像素结构的上方形成第二电极。
[0080]可选地，步骤101、步骤102、步骤105和步骤106中的构图工艺可包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。
[0081]本实施例提供的LTPS背板的制造方法可用于制造上述实施例一提供的LTPS背板，具体描述可参见上述实施例一提供的LTPS背板。本实施例提供的LTPS背板的制造方法制造出的LTPS背板包括薄膜晶体管和光阻挡层，光阻挡层位于薄膜晶体管的上方，该光阻挡层可阻挡照射光照射到薄膜晶体管，避免了照射光对薄膜晶体管特性的影响，从而提高了薄膜晶体管的稳定性。本实施例中的光阻挡层不仅可以避免曝光工艺中紫外光照射到薄膜晶体管，还可以避免后期使用时环境中的紫外光中照射到薄膜晶体管，从而在制造过程中和后期使用时均提高了薄膜晶体管的稳定性。本实施例中，薄膜晶体管稳定性的提高，有利于提高发光器件显示的均匀性。制造光阻挡层时无需增加掩膜板，从而使得制造工艺简单且成本低。
[0082]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种低温多晶硅背板，其特征在于，包括:衬底基板和位于所述衬底基板上方的薄膜晶体管和光阻挡层，所述光阻挡层位于所述薄膜晶体管的上方； 所述光阻挡层用于阻挡照射光照射到薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的低温多晶硅背板，其特征在于，所述光阻挡层包括光吸收层； 所述光吸收层用于吸收所述照射光以阻挡照射光照射到薄膜晶体管。3.根据权利要求2所述的低温多晶硅背板，其特征在于，所述光吸收层的厚度为200nm至 440nm。4.根据权利要求1所述的低温多晶硅背板，其特征在于，所述光阻挡层包括遮光层； 所述遮光层用于遮挡所述照射光以阻挡照射光照射到薄膜晶体管。5.根据权利要求4所述的低温多晶硅背板，其特征在于，所述遮光层的厚度为50nm至500nmo6.根据权利要求1所述的低温多晶硅背板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层和源漏极，所述有源层位于衬底基板的上方，所述有源层之上设置有栅绝缘层，所述栅极位于栅绝缘层之上，所述栅极之上设置有中间绝缘层，所述源漏极设置于中间绝缘层之上且该源漏极通过设置于中间绝缘层和栅绝缘层上的第一过孔与有源层连接，所述光阻挡层位于所述源漏极之上。7.根据权利要求1所述的低温多晶硅背板，其特征在于，所述光阻挡层之上设置有平坦化层，所述平坦化层之上设置有第一电极，所述第一电极通过设置于所述平坦化层和所述光阻挡层上的第二过孔与源漏极连接，所述第一电极之上设置有像素界定层。8.一种发光器件，其特征在于，包括:低温多晶硅背板和像素结构，所述低温多晶硅背板采用上述权利要求1至7任一所述的低温多晶硅背板。9.一种低温多晶硅背板的制造方法，其特征在于，包括: 在衬底基板的上方形成薄膜晶体管； 在薄膜晶体管的上方形成光阻挡层，所述光阻挡层用于阻挡照射光照射到薄膜晶体管。10.根据权利要求9所述的低温多晶硅的制造方法，其特征在于，还包括: 在所述光阻挡层之上形成平坦化层； 在所述平坦化层和所述光阻挡层上形成第二过孔； 在所述平坦化层之上形成第一电极，所述第一电极通过所述第二过孔与薄膜晶体管的源漏极连接； 在所述第一电极之上形成像素界定层。
【专利摘要】本发明公开了一种低温多晶硅背板及其制造方法和发光器件。该低温多晶硅背板包括：衬底基板和位于所述衬底基板上方的薄膜晶体管和光阻挡层，所述光阻挡层位于所述薄膜晶体管的上方；所述光阻挡层用于阻挡照射光照射到薄膜晶体管。本发明提供的技术方案中，低温多晶硅背板包括薄膜晶体管和光阻挡层，光阻挡层位于薄膜晶体管的上方，该光阻挡层可阻挡照射光照射到薄膜晶体管，避免了照射光对薄膜晶体管特性的影响，从而提高了薄膜晶体管的稳定性。
【IPC分类】H01L23/552, H01L21/77, H01L27/12
【公开号】CN105097831
【申请号】CN201510350257
【发明人】许晓伟, 刘利宾, 李良坚, 龙春平
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年6月23日