双垂直窗三埋层soi高压器件结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及高压器件领域，尤其涉及多埋层SOI高压器件结构。
【背景技术】
[0002]SOI独特的结构带来隔离性能好、漏电流小、速度快、抗辐照和功耗低等优点，充分发挥了硅集成电路技术的潜力，特别是SOI高压集成电路在未来空天抗辐照领域具有特殊作用，因而得以广泛发展和应用。SOI横向高压器件作为高压集成电路的基石，由于介质层阻止了其耗尽区向衬底层扩展，使得习用的器件纵向耐压仅由顶层硅和介质层承担。而因隔离和散热的限制，顶层硅和介质层都不能太厚，同时由界面处无电荷高斯定理，使得器件击穿时的介质层电场仅为硅临界场的3倍即100V / μ m左右，远未达到实际常用介质材料如S1的临界场600V / μ m，所以SOI横向高压器件纵向耐压较低，限制了高压集成电路的应用和发展，目前投入应用的还没有突破600V的瓶颈。对此，国内外众多学者进行了深入研究，当前工作主要集中在使用新器件结构提高纵向电压。
[0003]业界通常改变各个区域的掺杂浓度或者改变埋氧层结构来增加埋氧层的电场强度和使电场线更均匀分布，来提高纵向击穿电压。
[0004]下面以单窗口双埋层SOI高压器件阐述现有的SOI高压器件结构。
[0005]图1是现有技术中SOI高压器件的结构示意图，该结构的埋层包含两层氧化层，第一埋氧层有单一窗口，两氧化层之间填充多晶娃。第一层埋氧阻挡了横向电场对第二埋氧层与多晶硅界面反型层电荷的抽取，该反型电荷将大大增强第二层埋氧层的电场；同时第一埋氧层的硅窗口可以调制漂移区电场，因而可获得较高的击穿电压。不过相对于实际应用要求，该SOI高压器件结构的击穿电压仍然需要进一步提高。
【发明内容】
[0006]本发明提供双窗三层SOI高压器件的结构，以提高SOI器件的击穿电压。
[0007]本发明提供了双窗三层SOI高压器件的结构，包括了三层埋氧层以及两个窗口，这两个窗口与水平的埋氧层成一定角度。
[0008]可选的，所述的角度为90°或其他角度(小于180°大于0° )。
[0009]可选的，所述前两层埋氧层是可互换的，即第一埋层下降到第二埋层之下。
[0010]可选的，所述前两层埋氧层之间的垂直距离可变。
[0011]可选的，第一层与第三层的连接层到器件左边界的距离是可变的。
[0012]可选的，填充的多晶硅可换成其他材料。
【附图说明】
[0013]图1是单窗SOI高压器件的结构示意图；
图2是双窗SOI高压器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0014]图2是本发明第一实施例中双窗三埋层SOI高压器件结构示意图，该结构使用了窗口与埋氧层垂直且的结构前两层埋氧阻挡了横向电场对第三埋氧层与多晶硅界面反型层电荷的抽取，该反型电荷将大大增强第三层埋氧层的电场；同时第一埋氧层的硅窗口可以调制漂移区电场，因而可获得较高的纵向击穿电压。
【主权项】
1.一种双窗双埋层SOI高压器件结构，包括三层埋氧层以及埋氧层之间的多晶硅层，其特征在于所开的两个窗(第一埋层两端分别与第二埋层两端的连线)不与埋层平行或者第一埋层与第二埋层不在同一平面上，一二层与第三层埋层之间的填充多晶硅。2.如权利要求1所述的双窗双埋层SOI高压器件结构，其特征在于，所述窗口与埋层所成的角度为大于0°小于180°的角。3.如权利要求1所述的双窗双埋层SOI高压器件结构，所述前两层埋氧层是可互换的，即第一埋层下降到第二埋层之下。4.如权利要求1所述的双窗双埋层SOI高压器件结构，所述前两层埋氧层之间的垂直距离可变。5.如权利要求1所述的双窗双埋层SOI高压器件结构，所述的第一层与第三层的连接层到器件左边界的距离是可变的。6.如权利要求1所述的双窗双埋层SOI高压器件结构，所述的多晶硅可以换成其他材料。
【专利摘要】本发明公开了双垂直窗三埋层的SOI高压器件结构，器件结构如图1所示，该结构的埋层包含三层氧化层，两个窗不与埋层平行或者第一埋层与第二埋层不在同一平面上，第一层与第三层通过二氧化硅相连。第一层第二层埋氧层与第三层埋氧层之间填充多晶硅。该方法通过增强第三层埋氧层的电场，同时第一第二埋氧层的硅窗口可以调制漂移区电场来提高纵向击穿电压。
【IPC分类】H01L27/12
【公开号】CN105097823
【申请号】CN201410216653
【发明人】张炯, 邵兴, 徐帆, 程玉华
【申请人】上海北京大学微电子研究院
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年5月22日