Tft基板结构的制作方法及tft基板结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板结构的制作方法及TFT基板结构。
【背景技术】
[0002]液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无福射等众多优点，得到了广泛的应用，如:移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。
[0003]通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。其中，液晶面板的结构主要是由一薄膜晶体管阵列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、一彩色滤光片基板(Color Filter,CF)、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
[0004]随着移动显示技术在生活中的应用起到的作用越来越大，移动显示技术向更高画质、更高精细程度、更轻薄和更低功耗的方向发展，在器件上就要求尺寸越来越小，器件内部局部区域的电场强度也因此而增强，特别是在漏极附近存在强电场。载流子在强电场的作用下获得较高的能量成为热载流子。热载流子对器件性能的影响主要表现在以下两个方面:
[0005](I)热载流子越过绝缘层注入到氧化层，不断积累，改变阈值电压，影响器件寿命;
[0006](2)在漏极附近的耗尽区与晶格碰撞产生新的电子空穴对，以金属氧化物半导体(Metal Oxid Semiconductor, M0S)场效应晶体管为例，碰撞产生的电子形成附加的漏电流，空穴则被衬底收集，形成衬底电流，使总电流成为饱和漏电流与衬底电流之和。热载流子效应是限制器件最高工作电压的基本因素之一。
[0007]为了解决热载流子的出现对器件特性的影响，技术人员想出了各种办法来避免局部强电场的产生。请参阅图1，为一种现有的TFT基板结构的示意图，所述TFT基板结构包括基板100、设于基板100上的半导体层200、设于所述半导体层200上的源/漏极300、设于所述源/漏极300及半导体层200上的绝缘层400、及设于所述绝缘层400上的栅极500，具体的，所述半导体层200包括对应于所述栅极500下方的沟道区210、位于所述沟道区210两侧且与所述源/漏极300相接触的两N型重掺杂区220、及位于两N型重掺杂区220与沟道区210之间的两偏移区230，由于偏移区230没有掺杂，阻值较高，可以分散电极附近的强电场，从而减少热载流子的产生，但是，该种TFT基板结构的漏电流虽然变小了，其工作电流也相应减小，导致功耗增大。
【发明内容】
[0008]本发明的目的在于提供一种TFT基板结构的制作方法，可以在多晶硅层形成η型重掺杂区的同时，在η型重掺杂区之间形成未掺杂区，以增加阻值，分散电极附近的强电场，避免因局部强电场的存在而发生的热载流子效应对器件特性造成影响，提高工作电流。
[0009]本发明的目的还在于提供一种TFT基板结构，多晶硅层的η型重掺杂区之间形成有未掺杂区，可避免局部强电场的产生，消除热载流子效应对器件特性的影响，提高工作电流。
[0010]为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板结构的制作方法，包括如下步骤:
[0011 ] 步骤1、提供基板，在所述基板上沉积缓冲层；
[0012]步骤2、在所述缓冲层上沉积多晶娃层；
[0013]步骤3、在所述多晶硅层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积金属层；
[0014]步骤4、在所述金属层上涂布光阻层，通过一道光罩对所述光阻层进行曝光、显影，得到位于中间的第一光阻段、及间隔分布于所述第一光阻段两侧的数个第二光阻段；
[0015]步骤5、以所述第一光阻段、及数个第二光阻段为阻挡层，对所述金属层进行蚀刻，对应所述第一光阻段下方得到栅极，分别对应所述数个第二光阻段下方得到数个金属段；
[0016]步骤6、剥离所述第一光阻段、及数个第二光阻段，以所述栅极、及数个金属段为光罩，对所述多晶硅层进行离子注入，在所述多晶硅层上对应所述栅极下方形成未掺杂的沟道区，对应所述沟道区的两侧形成数个η型重掺杂区，对应所述数个金属段下方形成位于所述数个η型重掺杂区之间的数个未掺杂区。
[0017]所述步骤4采用单缝光罩、半色调光罩、或灰阶光罩得到所述第一光阻段、及数个第二光阻段。
[0018]靠近所述第一光阻段两侧的两个第二光阻段与所述第一光阻段之间的距离均小于I μ m，所述第二光阻段的宽度为I μ m?2 μ m。
[0019]所述步骤5采用干法蚀刻或湿法蚀刻得到所述栅极、及数个金属段。
[0020]靠近所述栅极两侧的两个金属段与所述栅极之间的距离均小于I ym，所述金属段的宽度为I μπι?2 μπι。
[0021]所述缓冲层、及栅极绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
[0022]所述金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
[0023]本发明还提供一种TFT基板结构，包括基板、设于所述基板上的缓冲层、设于所述缓冲层上的多晶硅层、设于所述多晶硅层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的栅极、及设于所述栅极绝缘层上间隔分布于所述栅极两侧的数个金属段；
[0024]所述多晶硅层包括对应于所述栅极下方的沟道区，位于所述沟道区两侧的数个η型重掺杂区，以及对应于所述数个金属段下方且位于所述数个η型重掺杂区之间的数个未惨杂区。
[0025]靠近所述栅极两侧的两个金属段与所述栅极之间的距离均小于I ym，所述金属段的宽度为I μπι?2 μπι。
[0026]所述缓冲层、及栅极绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合；所述栅极、及数个金属段的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
[0027]本发明的有益效果:本发明的TFT基板结构的制作方法，在制作栅极的同时，在栅极两侧形成间隔分布的数个金属段，并以栅极和数个金属段作为光罩，对多晶硅层进行离子注入，在多晶硅层上形成η型重掺杂区的同时，在η型重掺杂区之间形成未掺杂区，增加了阻值，分散了电极附近的强电场，避免了因局部强电场的存在而发生的热载流子效应对器件特性造成的影响，提高了工作电流，简化了制程，降低了生产成本，减小了 TFT基板的尺寸。本发明的TFT基板结构，多晶硅层的η型重掺杂区之间形成有未掺杂区，避免了局部强电场的产生，消除了热载流子效应对器件特性的影响，具有较高的工作电流，结构简单，生产成本低。
【附图说明】
[0028]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
[0029]附图中，
[0030]图1为一种现有的TFT基板结构的不意图；
[0031]图2为本发明的TFT基板结构的制作方法的流程图；
[0032]图3为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤I的示意图；
[0033]图4为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤2的示意图；
[0034]图5为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤3的示意图；
[0035]图6-7为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤4的示意图；
[0036]图8为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤5的示意图；
[0037]图9-10为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤6的示意图；
[0038]图11为本发明的TFT基板结构的制作方法另一种实施方式的示意图；
[0039]图12为本发明的TFT基板结构的第一实施例的剖面示意图；
[0040]图13为本发明的TFT基板结构的第二实施例的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0041]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0042]请参阅图2，本发明首先提供一种TFT基板结构的制作方法，包括如下步骤:
[0043]步骤1、如图3所示，提供基板I，在所述基板I上沉积缓冲层2。
[0044]具体地，所述基板I可以是玻璃基板或塑料基板。所述缓冲层2的材料可以是氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)、或二者的组合。
[0045]步骤2、如图4所不，在所述缓冲层2上沉积多晶娃(poly-Si)层3。
[0046]步骤3、如图5所示，在所述多晶硅层3上沉积栅极绝缘层4，在所述栅极绝缘层4上沉积金属层5。
[0047]具体地，所述栅极绝缘层4的材料可以是氧化硅、氮化硅、或二者的组合。所述金属层5的材料可以是钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的堆栈组合。
[0048]步骤4、如图6、图7所示，在所述金属层5上涂布光阻层6，通过一道光罩对所述光阻层6进行曝光、显影，得到位于中间的第一光阻段61、及间隔分布于所述第一光阻段61两侧的两个第二光阻段62。
[0049]具体地，可以采用单缝光罩(Single Slit Mask，SSM)、半色调光罩(Hakf ToneMask，HTM)、或灰阶光罩(Gray Tone Mask，GTM)得到所述第一光阻段61、及两个第二光阻段62。
[0050]优选的，所述第一光阻段61与两个第二光阻段62之间的距离均小于I μ m，所述第二光阻段62的宽度为I μ m?2 μ m。
[0051]步骤5、如图8所示，以所述第一光阻段61、及两个第二光阻段62为阻挡层，对所述金属层5进行蚀刻，对应所述第一光阻段61下方得到栅极51，分别对应所述两个第二光阻段62下方得到两个金属段52。
[0052]具体地，可以采用干法蚀刻(Dry Etch)或湿法蚀刻(Wet Etch)得到所述栅极51、及两个金属段52。
[0053]具体的，由于所述栅极51与两个金属段52分别对应于所述第一光阻段61与两个第二光阻段62形成，因此，所述两