Tft基板结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板结构的制作方法。
【背景技术】
[0002]在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting D1de, OLED)等平板显示器已经逐步取代CRT显示器，广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。
[0003]薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是目前液晶显示装置和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix/Organic Light-Emitting D1de，简称AM0LED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶娃(Low TemperaturePoly-silicon，简称LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶娃的原子规则排列，载流子迀移率高，对电压驱动式的液晶显示装置而言，多晶硅薄膜晶体管由于其具有较高的迀移率，可以使用体积较小的薄膜晶体管实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了薄膜晶体管所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度；对于电流驱动式的有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置而言，低温多晶硅薄膜晶体管可以更好的满足驱动电流要求。
[0004]在液晶显示面板的制作过程中，如图1所示，已经形成薄膜晶体管的基板100上需要覆盖一层有机膜作为平坦层(planarizat1n，PLN) 200，以改变下层膜表面的平整性，防止电场互相干扰，平坦层通常为感旋光材料，利用光罩，通过曝光显影工艺可在平坦层上形成过孔210，之后，需要在平坦层200上沉积氧化铟锡(ITO)薄膜300以用作于共通电极(COM)，由于共通电极与TFT电性绝缘，因此需要通过在ITO薄膜300上涂覆光阻400 (photoresist，PR)，对光阻400曝光、显影后，将未被光阻400覆盖的平坦层过孔210底部的ITO刻蚀掉；但是，为增强光阻400与下层ITO膜300的黏附性，涂覆光阻的工艺本身需要进行加热烘烤，光阻400受热可能发生流动现象，同时又由于平坦层200厚度较大，一般约为
2.5 μ m，平坦层200上的过孔210的坡度较缓，涂覆于平坦层200的过孔210孔壁上的光阻因受热会积聚在过孔210的底部，曝光无法将其除掉，从而导致光阻残留，最终造成积聚光阻下的ITO残留。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种TFT基板结构的制作方法，能够在显示面板制造工艺中，避免有机涂层上的光阻涂敷时因加热烘烤工艺而导致光阻流到有机涂层的过孔的底部，在有机涂层的过孔中形成光阻残留，从而导致过孔底部的电极材料残留，进而因此造成的显示不良。
[0006]为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板结构的制作方法，包括如下步骤:
[0007]步骤1、提供一基板，所述基板上设有薄膜晶体管；在所述基板上涂布一层有机涂层，所述有机涂层为感旋光性材料；
[0008]步骤2、提供光罩，所述光罩具有全曝光区、位于全曝光区外围的数个半曝光区、及位于全曝光区与半曝光区之外区域的非曝光区；
[0009]利用所述光罩对所述有机涂层进行曝光、显影，通过光罩上的全曝光区实现全曝光从而在所述有机涂层上形成过孔、通过光罩上的半曝光区实现半曝光从而在所述过孔孔壁上形成数个盲孔；
[0010]步骤3、在所述有机涂层上形成透明导电层；
[0011]步骤4、在所述透明导电层上涂覆光阻，并对所述光阻进行加热；通过一道光罩对所述光阻进行曝光、显影，去除位于所述过孔底部的光阻；
[0012]步骤5、以剩余的光阻为遮挡，对所述透明导电层进行蚀刻，并剥离剩余的光阻，得至IJ电极。
[0013]所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、或者氧化铟镓锌薄膜晶体管。
[0014]所述步骤I中形成的有机涂层为形成于所述薄膜晶体管表面的平坦化层。
[0015]所述步骤I中形成的有机涂层的厚度为2.5 μ m。
[0016]所述步骤2中的光罩的半曝光区的面积小于全曝光区的面积。
[0017]所述步骤5中形成的电极为液晶显示装置的共通电极。
[0018]所述电极的材料为ΙΤ0。
[0019]所述步骤I中形成的有机涂层为形成于所述薄膜晶体管表面的绝缘覆盖层。
[0020]所述步骤5中形成的电极为OLED显示装置的阳极。
[0021]所述步骤5采用湿法蚀刻制程对所述透明导电层进行蚀刻。
[0022]本发明的有益效果:本发明的TFT基板结构的制作方法，利用半曝光光罩对有机涂层进行曝光、显影，在有机涂层上形成过孔的同时，在过孔的孔壁上形成数个盲孔，增加过孔孔壁的表面积，且利用盲孔部分容纳光阻，从而减薄有机涂层的过孔孔壁上的光阻厚度，减少光阻受热时流动至有机涂层过孔底部的光阻量，避免光阻集聚在有机涂层过孔的底部，从而避免由此引发的电极材料残留，进而提高显示面板的显示效果。
【附图说明】
[0023]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
[0024]附图中，
[0025]图1为现有的TFT基板结构的制作方法中光阻受热后的示意图；
[0026]图2为本发明的TFT基板结构的制作方法的流程示意图；
[0027]图3为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤I的示意图；
[0028]图4为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤2的示意图；
[0029]图5为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤2中在有机涂层上形成的过孔及盲孔的不意图；
[0030]图6为本发明的TFT基板结构的制作方法的的步骤3的示意图；
[0031]图7为本发明的TFT基板结构的制作方法的的步骤4的示意图；
[0032]图8为本发明的TFT基板结构的制作方法的的步骤5的示意图。
【具体实施方式】
[0033]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0034]请参阅图2，本发明提供一种TFT基板结构的制作方法，包括如下步骤:
[0035]步骤1、如图3所示，提供一基板10，所述基板10上设有薄膜晶体管，在所述基板10上涂布一层有机涂层20。
[0036]具体的，所述基板10作为液晶显示装置的TFT基板，所述薄膜晶体管可以是低温多晶硅薄膜晶