一种tft阵列基板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002] 现有的薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT)阵列基板，一般都是利用5mask 工艺，即五道光罩工艺制作而成的，该制作工艺流程具体包括：第一道光罩：形成图案化的 公共电极；第二道光罩：形成图案化的栅线和公共电极线；第三道光罩：形成图案化的有源 层，其中，该有源层可具体包括半导体层和源、漏极；第四道光罩：在沉积绝缘层之后制作 贯穿该绝缘层的过孔；第五道光罩：形成图案化的像素电极。至此，阵列基板的制作工艺流 程中所需要进行的五道光罩工艺完成，其中，每次光罩工艺所得到的图案化的膜层的图案 都是由预先选择的掩膜板所决定的。
[0003] 然而，在显示技术领域，基板，尤其是阵列基板的制作工艺起到举足轻重的作用， 一般而言，制作工艺越简单，其生产效率及良率都会相对较好，反之，制作工艺越复杂，其生 产效率及良率相对较差。考虑到五道光罩工艺相对而言，其制作工艺流程较为繁琐，生产效 率及良率都较低，因此，亟需找到一种更为简化的阵列基板的制作工艺。
【发明内容】
[0004] 本发明实施例提供一种TFT阵列基板及其制作方法、显示装置，用以解决现有技 术中存在的由于采用五道光罩工艺制作阵列基板而导致制作工艺流程繁琐的问题。
[0005] 本发明实施例采用以下技术方案：
[0006] -种TFT阵列基板的制作方法，所述方法包括：
[0007] 提供一基底；
[0008] 在所述基底之上形成第一图案化的栅线和公共电极线；
[0009] 在形成有栅线和公共电极线的所述基底之上形成第二图案化的栅绝缘层，其中， 位于显示区域的栅绝缘层按照预设间隙至少形成有多个第一栅绝缘条，所述每个第一栅绝 缘条与相邻间隙位置处的表面膜层的高度差相等且大于10000
[0010] 在位于有源区域的栅绝缘层之上形成第三图案化的半导体层及源、漏极；
[0011] 在所述显示区域形成第四图案化的相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，其 中，在施加电压时，位于所述第一栅绝缘条之上的第一透明电极与位于相邻间隙位置处的 第二透明电极形成水平电场。
[0012] 优选地，在形成有栅线和公共电极线的所述基底之上形成第二图案化的栅绝缘 层，具体包括：
[0013] 沉积覆盖整个所述基底的栅绝缘层；
[0014] 根据第二道光罩工艺，在显示区域形成多个交替设置的第一栅绝缘条和第二栅绝 缘条，以及，在公共电极线之上形成贯穿所述栅绝缘层的过孔，其中，所述第一栅绝缘条与 所述第二栅绝缘条的高度差的取值范围为：IQOOQ灰-12000: A。
[0015] 优选地，在所述显示区域形成第四图案化的相互绝缘的第一透明电极和第二透明 电极，具体包括：
[0016] 在所述基底之上沉积透明电极层；
[0017] 根据第四道工艺，在显示区域形成包含多个像素电极支电极的像素电极，以及包 含多个公共电极支电极的公共电极，其中，所述像素电极与所述公共电极相互绝缘，每个像 素电极支电极覆盖相应地第一栅绝缘条，且所述像素电极搭接在漏极，每个公共电极支电 极覆盖相应地第二栅绝缘条，所述公共电极通过所述过孔与所述公共电极线电连接。
[0018] 优选地，在形成有栅线和公共电极线的所述基底之上形成第二图案化的栅绝缘 层，具体包括：
[0019] 沉积覆盖整个所述基底的栅绝缘层；
[0020] 利用灰度掩膜板，在显示区域按照预设间隙仅形成有多个第一栅绝缘条，以及，在 公共电极线之上形成贯穿所述栅绝缘层的过孔，其中，所述第一栅绝缘条的高度取值范围 为：10000 A-12000 Aa
[0021] 优选地，在所述显示区域形成第四图案化的相互绝缘的第一透明电极和第二透明 电极，具体包括：
[0022] 在所述基底之上沉积透明电极层；
[0023] 根据第四道工艺，在显示区域形成包含多个像素电极支电极的像素电极，以及包 含多个公共电极支电极的公共电极，其中，所述像素电极与所述公共电极相互绝缘，每个像 素电极支电极覆盖相应地第一栅绝缘条，所述像素电极搭接在漏极，每个公共电极支电极 覆盖与所述第一绝缘条相邻的间隙位置处的基底，所述公共电极通过所述过孔与所述公共 电极线电连接。
[0024] 优选地，所述第一栅绝缘条为条形结构或Z型结构。
[0025] -种利用所述的TFT阵列基板的制作方法制作而成的阵列基板，包括：
[0026] 基底；
[0027] 位于所述基底之上的第一图案化的栅线和公共电极线；
[0028] 位于形成有栅线和公共电极线的所述基底之上的第二图案化的栅绝缘层，其中， 位于显示区域的栅绝缘层至少包含多个按照预设间隙排布的第一栅绝缘条，所述每个第一 栅绝缘条与相邻间隙位置处的表面膜层的高度差相等且大于10000盖:；
[0029] 位于有源区域的栅绝缘层之上的第三图案化的半导体层及源、漏极；
[0030] 位于所述显示区域，第四图案化的相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，其 中，在施加电压时，位于所述第一栅绝缘条之上的第一透明电极与位于相邻间隙位置处的 第二透明电极形成水平电场。
[0031] 优选地，所述第二图案化的栅绝缘层，具体包括：
[0032] 位于显示区域的交替设置的多个第一栅绝缘条和多个第二栅绝缘条，以及，位于 所述公共电极线之上且贯穿所述栅绝缘层的过孔，其中，所述第一栅绝缘条与所述第二栅 绝缘条的高度差的取值范围为： ]0000 A-12000 A。
[0033] 优选地，所述第四图案化的相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，具体包 括：
[0034] 位于显示区域的包含多个像素电极支电极的像素电极，以及包含多个公共电极支 电极的公共电极，其中，所述像素电极与所述公共电极相互绝缘，每个像素电极支电极位于 相应地第一栅绝缘条之上，且所述像素电极搭接在漏极，每个公共电极支电极位于相应地 第二绝缘条之上，所述公共电极通过所述过孔与所述公共电极线电连接。
[0035] 优选地，所述第二图案化的栅绝缘层，具体包括：
[0036] 位于显示区域的按照预设间隙排布的多个第一栅绝缘条，以及，位于所述公共 电极线之上且贯穿所述栅绝缘层的过孔，其中，所述第一栅绝缘条的高度取值范围为： IO(X)O A-12000 A。
[0037] 优选地，所述第四图案化的相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，具体包 括：
[0038] 位于显示区域的包含多个像素电极支电极的像素电极，以及包含多个公共电极支 电极的公共电极，其中，所述像素电极与所述公共电极相互绝缘，每个像素电极支电极位于 相应地第一栅绝缘条之上，所述像素电极搭接在漏极，每个公共电极支电极位于与所述第 一绝缘条相邻的间隙位置处的基底之上，所述公共电极通过所述过孔与所述公共电极线电 连接。
[0039] 优选地，所述第一栅绝缘条为条形结构或Z型结构。
[0040] 一种显示装置，包括所述的阵列基板。
[0041] 在本发明实施例中，通过上述实施例可知，为了解决现有技术中的五道光罩工艺 的繁琐问题，本发明巧妙选择在对栅绝缘层进行光罩时的灰度掩膜板，使得该次光罩工艺 可以实现显示区域的栅绝缘层的特殊图案化，即在显示区域至少形成按照预设间隙排布的 多个第一栅绝缘条，每个第一栅绝缘条与相邻间隙位置处的表面膜层（该表面膜层为第