显示基板及其制作方法和显示装置与流程

本公开涉及显示技术领域，并且具体而言涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置。

背景技术：

在诸如液晶显示装置的显示装置中，存储电容器(storagecapacitor)配置成在薄膜晶体管关闭后预设时间内，将像素电极的电压维持在特定范围。存储电容器要求具备足够大的电容值(capacitance)，以避免像素闪烁、对比度低和串扰等问题，进而提高显示质量。增大存储电容器的面积可增大电容值。由于存储电容器一般由不透明金属形成，当存储电容器的面积增大时，像素单元的开口率(apertureratio)降低并且显示亮度(displayluminance)降低。现有的存储电容器通常为极板与显示基板所在平面平行的水平电容器。存储电容器的面积增大将导致一系列不期望的结果，例如，不利于缩小像素尺寸，并且不利于提高显示装置的分辨率。由此可见，本领域中存在对增大存储电容的需求。

技术实现要素：

本公开的目的在于减轻或解决前文所提到的问题的一个或多个。在本公开实施例的显示基板及其制作方法和显示装置中，通过在显示基板的绝缘层中形成与衬底基板垂直或倾斜设置的竖直存储电容器，有效地增大了显示基板中的存储电容。

在第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括衬底基板、形成于所述衬底基板上的多个器件层、以及形成于所述器件层之间的绝缘层，其中所述显示基板还包括第一电极和第二电极以及设置在所述绝缘层中的竖直存储电容器，所述竖直存储电容器包括相互隔开的第一极板和第二极板，所述第一极板连接到所述第一电极，所述第二极板连接到所述第二电极，并且所述第一极板和第二极板垂直于所述衬底基板，或者相对于所述衬底基板倾斜设置。

根据此实施例，通过在显示基板的绝缘层中形成与衬底基板垂直或倾斜设置的竖直存储电容器，有效地增大了显示基板中的存储电容。该竖直存储电容器设置在显示基板的已有绝缘层中，因而不增加显示基板的层结构。

在本公开上下文中，措辞"竖直存储电容器'是指该存储电容器整体上沿上下方向(即竖直方向)延伸，而不是指该存储电容器垂直于显示基板中的衬底基板所在的平面。

在一实施例中，所述第一极板和第二极板与所述衬底基板的法向之间的夹角小于或等于10度。

根据此实施例，第一极板和第二极板相对于衬底基板倾斜设置，这有利于增大第一极板和第二极板的有效面积，进而增大存储电容。另一方面，第一极板和第二极板与衬底基板的法向之间的夹角保持在较小，这有利于通过在绝缘层中形成沟槽并且随后利用导电材料填充所述沟槽而形成所述第一极板和第二极板。通常情形下，该夹角越小，越有利于在所述沟槽中填充导电材料。当第一极板和第二极板与衬底基板的法向之间的夹角为0度时，第一极板和第二极板垂直于衬底基板设置，减小了该竖直存储电容器阻挡光线的可能性。

在一实施例中，所述绝缘层为设置在两个所述多个器件层之间的层间电介质层。

显示基板通常包括层间电介质层，该层间电介质层设置在两个相邻的器件层之间，用于电气绝缘这两个相邻的器件层。根据此实施例，通过将竖直存储电容器设置在层间电介质层中，有效地增大了显示基板中的存储电容。

在一实施例中，所述绝缘层为设置在所述多个器件层之间的平坦化层。

显示基板通常包括覆盖在一器件层上的平坦化层，以减少或消除衬底基板上由各器件层引入的段差，从而为后续形成的诸如像素电极的器件层提供相对平整的表面。根据此实施例，通过将竖直存储电容器设置在平坦化层中，有效地增大了显示基板中的存储电容。将竖直存储电容器设置在平坦化层中是有利的，因为平坦化层本身较厚，而且平坦化层通过涂布有机树脂材料形成，成膜速率较快。

在一实施例中，所述显示基板包括多个像素单元，每个所述像素单元包括显示区域和外围区域，并且所述竖直存储电容器设置在所述外围区域。

根据此实施例，由于像素单元的外围区域通常是不透光的，设置在外围区域的竖直存储电容器将不影响显示基板的开口率。

在一实施例中，所述显示基板还包括设置在每个所述像素单元的外围区域的水平存储电容器，所述水平存储电容器包括相互隔开的上极板和下极板，并且所述上极板和下基板平行于所述衬底基板。

根据此实施例，显示基板同时包括水平存储电容器和竖直存储电容器。该竖直存储电容器作为常见的水平存储电容器的补充，有利于增大显示基板中的存储电容。

在一实施例中，所述竖直存储电容器在所述衬底基板上的投影落在所述水平存储电容器在所述衬底基板上的投影之内。

根据此实施例，由于水平存储电容器通常是不透光的，通过将竖直存储电容器设置在显示基板中水平存储电容器所在的不透光区域，该竖直存储电容器将不影响显示基板的开口率。

在一实施例中，所述竖直存储电容器在所述衬底基板上的投影与所述水平存储电容器在所述衬底基板上的投影无交叠。

根据此实施例，竖直存储电容器和水平存储电容器的投影相互之间不交叠。由于该竖直存储电容器的存在，水平存储电容器的面积可以减小以增大显示基板的开口率。当该竖直存储电容器的存储电容足够大的情形下，该水平存储电容器甚至可以省略，这有利于进一步增大显示基板的开口率。

在一实施例中，所述层间电介质层的厚度为300nm-1500nm。

以第一极板和第二极板垂直于衬底基板为例，当竖直存储电容器设置在层间电介质层中时，层间电介质层的厚度为第一极板和第二极板在竖直方向的尺寸的上限。因此，层间电介质层的厚度越大，设置在该层间电介质层中的竖直存储电容器可实现的存储电容越大。当层间电介质层的厚度超过1500nm时，成膜时间较长，这从量产角度是不利的。根据此实施例，当第一极板和第二极板垂直于衬底基板时，第一极板和第二极板在竖直方向上的尺寸为300nm-1500nm。

在一实施例中，所述平坦化层的厚度为1000-3000nm。

出于减小或消除段差的目的，平坦化层通常较厚。根据此实施例，当第一极板和第二极板垂直于衬底基板时，第一极板和第二极板在竖直方向上的尺寸为1000nm-3000nm。在树脂平坦化层中通过曝光显影形成沟槽并且随后填充导电材料的情形下，2000nm的尺寸是有利的。

在一实施例中，所述第一极板和第二极板之间的间距为100-300nm。

根据此实施例，第一极板和第二极板设置成具有小的间距，这有利于增大竖直存储电容器的存储电容。

在一实施例中，所述第一极板和第二极板在所述衬底基板上的投影呈折线形状或螺旋形状。

根据此实施例，第一极板和第二极板的投影呈折线形状或螺旋形状，这有利于增大第一极板和第二极板的有效面积，进而增大存储电容。

在一实施例中，所述层间电介质层由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锆形成。

根据此实施例，这些氧化物绝缘材料具有较大的介电常数，即，第一极板和第二极板之间的材料具有较大的介电常数。这有利于增大竖直存储电容器的存储电容。

在一实施例中，所述平坦化层由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂形成。

根据此实施例，这些有机树脂材料具有较大的介电常数，即，第一极板和第二极板之间的材料具有较大的介电常数。这有利于增大竖直存储电容器的存储电容。

在一实施例中，所述竖直存储电容器还包括设置在所述第一极板和第二极板之间的绝缘间隔物，并且所述绝缘间隔物的介电常数大于所述绝缘层的介电常数。

根据此实施例，通过在第一极板和第二极板之间填充介电常数较大的绝缘间隔物，这有利于增大竖直存储电容器的存储电容。

在一实施例中，所述显示基板还包括设置所述衬底基板上的驱动薄膜晶体管，所述第一极板电连接到所述驱动薄膜晶体管的栅极，并且所述第二极板电连接到所述驱动薄膜晶体管的源极。

根据此实施例，第一极板和第二极板分别电连接到驱动薄膜晶体管的栅极和漏极。当显示基板还包括水平存储电容器时，该水平存储电容器的上极板和下极板也分别电连接到驱动薄膜晶体管的栅极和漏极。

在第二方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括如上文所述的显示基板。

根据本公开实施例的显示装置具有与上文所述的显示基板相同或相似的益处，此处不再赘述。

在第三方面，本公开实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成器件层；在所述器件层上形成绝缘层；以及在所述绝缘层中形成竖直存储电容器，其中所述竖直存储电容器包括相互隔开的第一极板和第二极板，所述第一极板和第二极板垂直于所述衬底基板，或者相对于所述衬底基板倾斜设置。

此外，根据本公开实施例的显示基板的制作方法具有与上文所述的显示基板相同或相似的益处，此处不再赘述。

附图说明

附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下文的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：

图1为本公开一实施例的显示基板的示意性剖面图；

图2为本公开一实施例的制备显示基板的方法的示意性流程图；

图3a、3b、3c、3d、3e、3f和3g为本公开一实施例的显示基板在制备过程各阶段的示意性剖面图；

图4为本公开一实施例的竖直存储电容器的示意性俯视图；以及

图5为本公开一实施例的显示装置的示意性剖面图。

具体实施方式

下面结合附图，对本公开的显示基板及其制作方法和显示装置通过的具体实施方式进行详细地说明。本公开的附图示意性地绘示出与发明点有关的结构、部分和/或步骤，而没有绘示或者仅仅部分地绘示与发明点无关的结构、部分和/或步骤。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开的内容。

附图中示出的部件标注如下：100衬底基板；102缓冲层；104有源层；106、106'栅极绝缘层；108栅极；108'栅极连接部；110层间电介质层；112源极；114漏极；116保护层；118平坦化层；120a第一沟槽；120b第二沟槽；122竖直存储电容器；122a第一极板；122b第二极板；124第一电极；126像素定义层；128功能层；130第二电极；132封装基板；v1第一过孔；v2第二过孔；v3第三过孔。

以下结合图1描述根据本公开一实施例的显示基板。如图1所示，在一示例性实施例中，显示基板包括衬底基板100、形成于衬底基板上的多个器件层、以及形成于器件层之间的绝缘层。

在图1所示实施例中，显示基板包括驱动薄膜晶体管。该驱动薄膜晶体管包括形成于衬底基板100上的有源层104、栅极108、源极112和漏极114。例如，衬底基板100和有源层104之间还设置有缓冲层102。缓冲层102有助于防止衬底基板100中的杂质进入有源层104，进而影响驱动薄膜晶体管的电气性能。栅极绝缘层106设置在有源层104和栅极108之间。源极112和漏极114通过层间电介质层110与栅极108分隔开。保护层116覆盖驱动薄膜晶体管，并且平坦化层118覆盖该保护层116以提供平坦顶表面。

如图1所示，该显示基板还包括设置在平坦化层118中的竖直存储电容器122。竖直存储电容器122包括相互隔开的第一极板122a和第二极板122b。第一极板122a和第二极板122b垂直于衬底基板100，或者相对于衬底基板100倾斜设置（未示出）。通过在显示基板的平坦化层118中形成与衬底基板100垂直或倾斜设置的竖直存储电容器122，这有效地增大了显示基板中的存储电容。

如图1所示，竖直存储电容器122包括由导电材料形成的第一极板122a和第二极板122b。第一极板122a通过贯穿保护层116的第二过孔v2而电连接到驱动薄膜晶体管的源极112。第二极板122b通过贯穿保护层116的第三过孔v3和贯穿层间电介质层110的第一过孔v1而电连接到栅极连接部108'。此处，栅极绝缘层106'和栅极连接部108'的叠层与栅极绝缘层106和栅极108的叠层由同一构图工艺形成。具体而言，栅极绝缘层106和栅极绝缘层106'由同一成膜工艺形成，随后栅极108和栅极连接部108'由同一成膜工艺形成，接着利用同一构图工艺同时形成栅极绝缘层106和栅极108的叠层以及栅极绝缘层106'和栅极连接部108'的叠层。

同层设置，由相同材料形成，并且电连接到栅极108。

以下结合图2描述根据本公开一实施例的制备显示基板的方法的示意性流程图。

如图2所示，例如，一种制备显示基板的方法，包括：

步骤s210，在衬底基板上形成器件层；

步骤s220，在所述器件层上形成绝缘层；以及

步骤s230，在所述绝缘层中形成竖直存储电容器，其中所述竖直存储电容器包括相互隔开的第一极板和第二极板，所述第一极板和第二极板垂直于所述衬底基板，或者相对于所述衬底基板倾斜设置。

在下文中结合图3a、3b、3c、3d、3e、3f和3g描述根据本公开一实施例的显示基板的制作过程。

如图3a所示，在衬底基板100上形成一层有源层材料，并且进行构图工艺以形成有源层104的图形。

在一实施例中，在形成有源层104的图形之前，该步骤还可包括在衬底基板100上形成缓冲层102。例如，缓冲层102具有200-500nm的总厚度，并且缓冲层102为二氧化硅和氮化硅的双层叠层。

此处的构图工艺包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等过程。由于光刻胶涂布等过程为本领域技术人员所知晓，本公开各实施例在描述构图工艺时，不具体描述涂布光刻胶等过程，但是这不意味着这些过程不存在或被省略。

如图3b所示，在形成了包括有源层104的图形的衬底基板100上，形成栅极绝缘层106和栅极108的叠层，并且进行构图工艺以形成栅极绝缘层106和栅极108的图形。

例如，通过等离子体化学气相沉积等方法，在形成了包括有源层104的图形的衬底基板100上，沉积栅极绝缘层106。接着，通过溅射或蒸镀等方法，在栅极绝缘层106上形成栅极金属层，并且对该栅极绝缘层和栅极金属层进行构图工艺，形成包括栅极绝缘层106和栅极108的图形。此外，在此步骤中，在形成栅极绝缘层106和栅极108的叠层的同时，形成栅极绝缘层106'和栅极连接部108'的叠层。随后，对形成了栅极108的衬底基板100进行等离子体处理，将有源层104的露出部分导体化，以提高后续形成的薄膜晶体管的沟道导电性。

如图3c所示，在形成了包括栅极108的图形的衬底基板100上，形成层间电介质层110，形成连接到有源层104的源极112和漏极114，并且形成连接到栅极连接部108'的第一过孔v1。

例如，通过等离子体化学气相沉积等方法，在形成了包括栅极108的图形的衬底基板100上，形成层间电介质层110。对该层间电介质层110进行构图工艺，形成贯穿层间电介质层110的接触孔，使有源层104和栅极连接部108'部分露出。接着，通过溅射或蒸镀等方法形成金属层，并且通过构图工艺形成包括源极112、漏极114和第一过孔v1的图形。源极112和漏极114通过接触孔连接到有源层104，并且第一过孔v1连接到栅极连接部108'。例如，层间电介质层110的厚度为300nm-1500nm。例如，层间电介质层110由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锆形成。

如图3d所示，在形成了薄膜晶体管的衬底基板100上，形成保护层116，并且进行构图工艺以形成贯穿保护层116的第二过孔v2和第三过孔v3，其中第二过孔v2连接到源极112，并且第三过孔v3连接到第一过孔v1。

如图3e所示，在形成了第二过孔v2和第三过孔v3的衬底基板100上，形成平坦化层118。在一实施例中，平坦化层118包括有机树脂，例如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂形成。这些有机树脂材料具有较大的介电常数。由于该树脂材料夹置在后续形成的第一极板和第二极板之间，因此这有利于增大竖直存储电容器的存储电容。

如图3f所示，通过曝光显影工艺，在平坦化层118中形成第一沟槽120a和第二沟槽120b。例如，第一沟槽120a露出部分第二过孔v2，并且第二沟槽120b露出部分第三过孔v3。如所示，第一沟槽120a和第二沟槽120b垂直于衬底基板100。

如图3g所示，通过诸如溅射、蒸镀的工艺，在第一沟槽120a和第二沟槽120b中填充导电材料，形成第一极板122a和第二极板122b。在一实施例中，该导电材料例如为铜(cu)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、钼(mo)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钛(ti)等。在其它实施例中，该导电材料为导电氧化物，例如ito。如所示，竖直存储电容器122的第一极板122a和第二极板122b垂直于衬底基板100。在其它实施例中，第一极板122a和第二极板122b相对于衬底基板倾斜设置。例如，第一极板122a和第二极板122b与衬底基板100的法向之间的夹角小于或等于10度。通过倾斜设置，有利于增大第一极板122a和第二极板122b的有效面积，进而增大竖直存储电容器122的存储电容。第一极板122a和第二极板122b与衬底基板100的法向之间的夹角保持在较小，例如小于5度。这有利于通过在平坦化层118中形成第一沟槽120a和第二沟槽120b并且随后利用导电材料填充以形成第一极板122a和第二极板122b。应指出，仅仅是为了简化起见，各个附图示出了第一极板122a和第二极板122b与衬底基板100垂直的情形。

通过上述步骤，完成了本公开实施例的显示基板的制作。

在图3d-3g描述的实施例中，在形成保护层116之后，在该保护层116中形成连接到源极112的第二过孔v2以及连接到栅极连接部108'的第三过孔v3。接着形成平坦化层118，并且在该平坦化层118中形成分别连接到第二过孔v2和第三过孔v3的第一极板122a和第二极板122b，使得第一极板122a和第二极板122b分别连接到薄膜驱动晶体管的源极112和栅极108。

如上所述，保护层116是可选的。在一实施例中，显示基板不包括保护层116。这种情形下，在图3c的衬底基板100上，接着形成平坦化层118，随后在平坦化层118中形成第一沟槽120a和第二沟槽120b，其分别露出源极112和第一过孔v1。接着在第一沟槽120a和第二沟槽120b中填充导电材料以形成第一极板122a和第二极板122b。与图3d-3g描述的实施例相比，此实施例省略了第二过孔v2和第三过孔v3，并且竖直存储电容器的第一极板122a和第二极板122b兼具这些过孔的作用。根据此实施例，可以减少显示基板中的层或部件(即保护层、第二过孔和第三过孔)，并且相应地简化工艺。

图4示意性示出图3g的竖直存储电容器的俯视图。沿虚线ab截取显示基板时，即得到图3g的剖面图。如4所示，竖直存储电容器122包括第一极板122a和第二极板122b，并且第一极板122a和第二极板122b在衬底基板100上的投影呈折线形状。在其它实施例中，第一极板122a和第二极板122b在衬底基板100上的投影呈螺旋形状，类似于传统电解电容器中的螺旋设计。这有利于增大第一极板和第二极板的有效面积，进而增大存储电容。

例如，第一极板122a和第二极板122b之间的间距为100-300nm，比如为150nm。通过将第一极板122a和第二极板122b设置成具有小的间距，这有利于增大竖直存储电容器122的存储电容。

在一示例性实施例中，第一极板122a和第二极板122b之间的有机树脂被移除，然后填充绝缘间隔物。该绝缘间隔物的介电常数大于该有机树脂的介电常数。这有利于增大竖直存储电容器122的存储电容。

在上述实施例中，以栅极位于源极和漏极的下方的底栅型薄膜晶体管为例，描述了该显示基板。然而，本公开实施例不对薄膜晶体管的结构类型进行限定。例如，薄膜晶体管可以为顶栅型，其中栅极位于源极和漏极的上方。

在上述实施例中，以竖直存储电容器设置于平坦化层内为例，描述了该显示基板。然而，本公开实施例不对该竖直存储电容器的所在层进行限定。该竖直存储电容器可以设置于该显示基板中的任何绝缘层。例如，在一实施例中，竖直存储电容器设置于该显示基板的层间电介质层110中。在此实施例中，层间电介质层110的厚度为300nm-1500nm。根据此实施例，当第一极板和第二极板垂直于衬底基板时，第一极板和第二极板在竖直方向上的尺寸为300nm-1500nm。在一实施例中，层间电介质层110由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锆形成。这些氧化物绝缘材料具有较大的介电常数，即，第一极板和第二极板之间的材料具有较大的介电常数。这有利于增大竖直存储电容器的存储电容。

以下简要描述本公开实施例的竖直存储电容器在显示基板中的设置。

显示基板通常包括多个像素单元，每个所述像素单元包括显示区域和外围区域。在一实施例中，上述竖直存储电容器设置在该外围区域。由于像素单元的外围区域通常是不透光的，设置在外围区域的竖直存储电容器将不影响显示基板的开口率。

在一实施例中，该显示基板还包括设置在每个该像素单元的外围区域的水平存储电容器，该水平存储电容器包括相互隔开的上极板和下极板，并且该上极板和下基板平行于该衬底基板。根据此实施例，显示基板同时包括水平存储电容器和竖直存储电容器。该竖直存储电容器作为常见的水平存储电容器的补充，有利于增大显示基板中的存储电容。

在一实施例中，该竖直存储电容器在该衬底基板上的投影落在该水平存储电容器在该衬底基板上的投影之内。根据此实施例，由于水平存储电容器通常是不透光的，通过将竖直存储电容器设置在显示基板中水平存储电容器所在的不透光区域，该竖直存储电容器将不影响显示基板的开口率。

在一实施例中，该竖直存储电容器在该衬底基板上的投影与该水平存储电容器在该衬底基板上的投影无交叠。根据此实施例，竖直存储电容器和水平存储电容器的投影相互之间不交叠。由于该竖直存储电容器的存在，水平存储电容器的面积可以减小以增大显示基板的开口率。当该竖直存储电容器的存储电容足够大的情形下，该水平存储电容器甚至可以省略，这有利于进一步增大显示基板的开口率。

在下文中结合图5描述根据本公开一实施例的显示装置。如图5所示，在图3g所示的显示基板中形成接触孔，该接触孔贯穿平坦化层118，使漏极114部分露出。接着，通过溅射或蒸镀等方法形成金属层，并且通过构图工艺形成第一电极124。第一电极124通过接触孔连接到漏极114。在形成有第一电极124的平坦化层118上形成像素定义层126，并且通过构图工艺露出第一电极124的大部分表面区域。接着，在形成有像素定义层126的显示基板上依次形成功能层128和第二电极130。在一实施例中，功能层128可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和/或电子注入层。第一电极124、功能层128和第二电极130由此可以形成有机发光元件。利用封装基板132进行封装，由此得到一种显示装置。

在上述实施例中，以有机电致发光装置(oled)为例描述了该显示装置。然而，本公开实施例的显示装置不限于此。在其它实施例中，该显示装置可以为薄膜晶体管液晶显示装置(tftlcd)。在这种情形下，该显示装置的制作过程包括在图3g所示的显示基板上滴注液晶、与诸如彩膜基板的对置基板对盒等步骤。这些步骤为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。

本公开实施例的显示装置可以是任何具有显示功能的产品或部件，例如液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等。

在本公开中，第一电极和第二电极具有设置于所述绝缘层之一内并且沿垂直方向的导电部，并且所述第一极板或第二极板之一包括所述导电部。例如，第一电极和第二电极为驱动薄膜晶体管的源极或漏极，或者该显示基板中的任何其它电学部件。例如，第一电极和第二电极的导电部为设置在绝缘层之一内的过孔形式的导电材料。这样如果第一极板为第一电极的所述导电部，第一极板和第一电极可以同时形成，进一步简化工艺。

本公开实施例提供了一种显示基板及其制作方法和显示装置。该显示装置包括衬底基板、形成于所述衬底基板上的多个器件层、以及形成于所述器件层之间的绝缘层，其中所述显示基板还包括第一电极和第二电极以及设置在所述绝缘层中的竖直存储电容器，所述竖直存储电容器包括相互隔开的第一极板和第二极板，所述第一极板连接到所述第一电极，所述第二极板连接到所述第二电极，并且所述第一极板和第二极板垂直于所述衬底基板，或者相对于所述衬底基板倾斜设置。根据本公开实施例，通过在显示基板的绝缘层中形成与衬底基板垂直或倾斜设置的竖直存储电容器，有效地增大了显示基板中的存储电容。该竖直存储电容器设置在显示基板的已有绝缘层中，因而不增加显示基板的层结构。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何本领域技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。