显示装置的制作方法
本申请要求于2016年3月8日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0027699号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
本发明的方面涉及一种显示装置。
背景技术：
随着视觉上表现各种电信号信息的显示领域快速发展，引入了具有诸如纤薄外形、重量轻、功耗低的优异特性的各种平板显示装置，此外，正在研究和开发柔性显示装置。
具有纤薄外形和柔性特性的显示装置可以包括薄膜包封层以阻挡来自外部的水分和/或氧气等的渗透。通常的薄膜包封层具有无机层和有机层交替堆叠的构造。然而，因为有机层和无机层在不同的腔室中通过不同的工艺制造，所以制造薄膜包封层的工艺是复杂的，并且在腔室之间转移期间会将杂质引入薄膜包封层中，导致薄膜包封层受损。
技术实现要素：
本发明的一些实施例的方面针对一种显示装置，所述显示装置包括具有诸如纤薄外形、重量轻、功耗低的期望的(例如，优异的)特性的薄膜包封层，并且所述薄膜包封层是通过简单的工艺制造的。
另外的方面部分地将在以下的描述中阐述，并且部分地通过该描述将是清楚的或者可以通过实施所提出的实施例而了解。
根据本发明的一个或更多个实施例，提供一种显示装置，所述显示装置包括：显示基底，包括至少一个台阶部；薄膜包封层，位于显示基底上方，所述薄膜包封层包括构造为减少由于至少一个台阶部引起的高度差异的缓冲层和位于缓冲层上方的阻挡层，缓冲层包括多个子层和位于多个子层之间的界面，界面包括从台阶部的外部朝向与台阶部叠置的部分从凹面形状变为凸面形状的弯曲表面。
在实施例中，多个子层中的每个具有从大约
在实施例中，在台阶部的外部中的界面中的两个相邻的界面之间的间距朝向显示基底增大。
在实施例中，界面中的两个相邻的界面之间的间距从台阶部的外部朝向与台阶部叠置的部分减小。
在实施例中，缓冲层在与台阶部分隔开的位置处具有第一厚度，在与台阶部叠置的位置处具有第二厚度，其中，第二厚度大于等于第一厚度的大约0.5倍，并且小于第一厚度的大约1倍。
在实施例中，多个子层包括具有碳和氢的氧化硅，基于硅、氧和碳的原子总数，多个子层中的每个包括大约20至大约50原子％的硅、大约10至大约40原子％的氧和大约30至大约60原子％的碳。
在实施例中，多个子层中的每个包括第一区域和位于第一区域上方的第二区域，第二区域的上表面形成多个界面中的一个界面，第二区域具有比第一区域的硅含量比例大的硅含量比例，第二区域具有比第一区域的碳含量比例小的碳含量比例。
在实施例中，基于硅、氧和碳的原子总数，多个子层中的每个包括大约30至大约40原子％的硅、大约18至大约28原子％的氧和大约40至大约50原子％的碳。
在实施例中，基于硅、氧和碳的原子总数，多个子层中的每个包括大约33至大约36原子％的硅、大约20至大约23原子％的氧和大约42至大约45原子％的碳。
在实施例中，显示基底包括基础基底和位于基础基底上方的显示部分，显示部分包括多个显示元件和限定多个显示元件的发光区域的像素限定层，至少一个台阶部包括像素限定层。
在实施例中，显示装置还包括位于显示部分上方的保护层，保护层包括与缓冲层的材料相同的材料。
在实施例中，多个显示元件中的每个包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的中间层，中间层包括有机发射层，显示基底还包括位于第一电极与保护层之间的覆盖层，覆盖层具有比保护层的折射率大的折射率。
在实施例中，保护层具有从大约1.38至大约1.5的折射率。
在实施例中，保护层还包括结合氢的碳化硅。
在实施例中，薄膜包封层被构造为密封显示部分，阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，缓冲层置于第一阻挡层和第二阻挡层之间，第一阻挡层和第二阻挡层包括无机层。
在实施例中，第一阻挡层和第二阻挡层在缓冲层的外部处彼此接触。
根据本发明的一个或更多个实施例，提供一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在基础基底上方形成显示部分；形成密封显示部分的薄膜包封层，薄膜包封层的形成包括：将原料气体和反应气体注入到其中设置有基础基底的腔室中，通过利用等离子体增强化学气相沉积在基础基底上方沉积前驱体层，以及通过利用等离子体固化前驱体层来形成子层；形成多个子层并形成其中堆叠有多个子层的缓冲层；在腔室内部在缓冲层上方形成阻挡层，其中，多个子层包括具有碳和氢的氧化硅，其中，基于硅、氧和碳的原子总数，多个子层中的每个包括大约20至大约50原子％的硅、大约10至大约40原子％的氧和大约30至大约60原子％的碳。
在实施例中，原料气体包括六甲基二硅氧烷，反应气体包括氧气、一氧化二氮和/或氢气。
在实施例中，缓冲层包括多个子层之间的界面，多个子层中的每个包括第一区域和位于第一区域上方的第二区域，第二区域的上表面形成多个界面中的一个界面，第二区域具有比第一区域的硅含量比例大的硅含量比例，并且第二区域具有比第一区域的碳含量比例小的碳含量比例。
在实施例中，基于硅、氧和碳的原子总数，多个子层中的每个包括大约30至大约40原子％的硅、大约18至大约28原子％的氧和大约40至大约50原子％的碳。
在实施例中，基于硅、氧和碳的原子总数，多个子层中的每个包括大约33至大约36原子％的硅、大约20至大约23原子％的氧和大约42至大约45原子％的碳。
在实施例中，显示部分在它的表面上方包括至少一个台阶部，缓冲层在与台阶部隔开的位置处具有第一厚度，在与台阶部叠置的位置处具有第二厚度，第二厚度大于等于第一厚度的大约0.5倍，并且小于第一厚度的大约1倍。
在实施例中，界面形成为从台阶部的外部朝向与台阶部叠置的部分从凹面形状变为凸面形状的弯曲表面。
在实施例中，台阶部的外部中的界面中的两个相邻的界面之间的间距朝向显示部分增大。
在实施例中，界面中的两个相邻的界面之间的间距从台阶部的外部朝向与台阶部叠置的部分减小。
在实施例中，多个子层中的每个具有从大约
在实施例中，所述方法还包括：在形成薄膜包封层之前，在显示部分上方形成保护层，其中，保护层包括与子层的材料相同的材料，并通过利用与子层相同的方法来形成，其中，在形成保护层时引入到腔室中的氧气的流量比在形成子层时引入到腔室中的氧气的流量大。
在实施例中，保护层还包括结合氢的碳化硅。
在实施例中，保护层具有从大约1.38至大约1.5的折射率。
在实施例中，显示部分包括多个显示元件，每个显示元件包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的中间层，中间层包括有机发射层，其中，显示装置包括位于第二电极与保护层之间的覆盖层，覆盖层具有比保护层的折射率大的折射率。
因此，根据本发明的一些实施例，薄膜包封层包括缓冲层，使得可以防止或基本上防止阻挡层被由杂质等引起的台阶差异损坏，因此可以改善薄膜包封层的特性。另外，因为缓冲层和阻挡层通过相同的工艺制造，所以可以改善(例如，增大)显示装置的制造效率。如本领域普通技术人员所理解的，发明构思的范围不受该效果的限制。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显和更加容易领会，在附图中：
图1是示出根据本发明的实施例的显示装置的平面图；
图2是示出沿图1的线i-i'截取的显示装置的一部分的示例的剖视图；
图3是示出图2的显示装置的部分a的放大视图；
图4是示出与图3的子层的位置相对的子层的组成的曲线图。
图5是示出制造图1的显示装置的工艺的流程图；
图6是示出沿图1的线i-i'截取的显示装置的部分的另一示例的剖视图；
图7是示出沿图1的线i-i'截取的显示装置的部分的另一示例的剖视图；
图8是示出沿图1的线i-i'截取的显示装置的部分的另一示例的剖视图；
图9是示出沿图1的线i-i'截取的显示装置的部分的另一示例的剖视图；以及
图10是示出沿图1的线ii-ii'截取的显示装置的一部分的示例的剖视图。
具体实施方式
由于发明构思允许各种合适的改变和许多实施例，因此将在附图中示出示例性实施例并在书面描述中详细描述示例性实施例。然而，这不意图将发明构思限制为具体的实践模式，并且应当理解的是，不脱离发明构思的精神和技术范围的所有改变、等同物和替代物被包含在发明构思中。在发明构思的描述中，当认为现有技术的某些详细解释可能不必要地使发明构思的实质模糊时，省略现有技术的某些详细解释。
在下文中，将参照其中示出发明构思的示例性实施例的附图更充分地描述发明构思。在参照附图进行描述时，附图中同样的附图标记表示同样的或对应的元件，并且可以省略它们的重复的描述。
图1是示出根据本发明的实施例的显示装置10的平面图；图2是示出沿图1的线i-i'截取的显示装置10的一部分的示例的剖视图；图3是示出图2的显示装置10的部分a的放大视图；图4是示出与图3的子层的位置相对的子层的组成的曲线图。
参照图1至图4，根据实施例的显示装置10可以包括显示基底100和位于显示基底100上方的薄膜包封层200。薄膜包封层200可以包括缓冲层210和阻挡层220。
显示基底100可以通过包括多个显示元件来产生图像。显示基底100可以包括诸如有机发光二极管(oled)、发光二极管(led)和液晶显示器(lcd)的各种合适种类的显示元件。另外，显示基底100可以在一侧上包括用于从电源或信号发生器向多个显示元件传递电信号的焊盘部150。
显示基底100可以包括至少一个台阶部s。台阶部s可以由显示基底100的结构造成，或者可以由于显示基底100的表面上的颗粒和/或类似物而形成。
台阶部s在显示基底100的表面中引起高度差异，当外力施加到显示基底100时，应力集中在台阶部s上，因此会发生对薄膜包封层200(例如，台阶部s上方的阻挡层220)的诸如裂缝的损坏。另外，在台阶部s与显示基底100之间的接触角小(例如，形成锐角，诸如台阶部s具有倒锥形的形状或者台阶部s通过颗粒形成)的情况下，薄膜包封层200不完全地填充台阶部s与显示基底100之间的空间，因此会在显示基底100与薄膜包封层200之间产生气隙和/或类似物。为了防止或基本上防止气隙的形成，形成在显示基底100上方的薄膜包封层200可以包括缓冲层210。
缓冲层210可以通过减小台阶部s的台阶差异来防止或基本上防止由于台阶差异引起的应力集中或当施加外力时阻挡层220的损坏。缓冲层210完全地围绕台阶部s，从而防止或基本上防止在显示基底100与薄膜包封层200之间产生气隙，即使在台阶部s与显示基底100之间的接触角处形成锐角。另外，缓冲层210可以减小形成在阻挡层220上的应力。
缓冲层210可以包括多个堆叠的子层222。多个子层222是可以彼此区分开的(例如，可以彼此辨别的)层。界面226可以位于多个子层222之间。
多个子层222可以包括具有碳和氢的氧化硅。例如，多个子层222可以包括具有经验式sioxcyhz的材料。在这种情况下，当x的组成比例增大时，多个子层222可以具有接近无机层的性质。当y的组成比例增大时，多个子层222可以具有接近有机层的性质。
如果x的组成比例过大，那么因为多个子层222共形地形成，所以会很难减小台阶部s的台阶差异(例如，台阶高度)，并且在台阶部s与显示基底100之间的接触角小的情况下，会在显示基底100与薄膜包封层200之间产生气隙。然而，如果y的组成比例过大，那么因为用于形成子层222的前驱体层具有高的流动性，所以在台阶部s上方形成具有恒定厚度的子层222会是困难的。此外，当缓冲层210的厚度等于或小于台阶部s的厚度时，如果y的组成比例特别大，那么缓冲层210不会充分地覆盖台阶部s的上部，因此，阻挡层220会被台阶部s损坏。
因此，即使缓冲层210具有优异的台阶覆盖，并且台阶部s与显示基底100之间的接触角是小的，为了防止或基本上防止在显示基底100与薄膜包封层200之间产生气隙，基于硅、氧和碳的原子总数，多个子层222中的每个可以包括大约20至大约50原子％的硅、大约10至大约40原子％的氧和大约30至大约60原子％的碳。在实施例中，多个子层222中的每个可以包括大约30至大约40原子％的硅、大约18至大约28原子％的氧和大约40至大约50原子％的碳。在另一实施例中，多个子层222中的每个可以包括大约33至大约36原子％的硅、大约20至大约23原子％的氧和大约42至大约45原子％的碳。在这种情况下，氧与硅的比例(o/si)可以是大于等于大约0.4并且小于等于大约1。
多个子层222中的每个可以具有范围从大约
多个子层222完全地围绕台阶部s。在这种情况下，界面226可以包括从台阶部s的外部朝向与台阶部s叠置的位置的从凹面形状变化为凸面形状的弯曲的表面。这里，凹面形状表示朝向显示基底100弯折的形状，凸面形状表示远离显示基底100(例如，朝向显示基底100的相对侧)弯折的形状。界面226的具有凹面形状和凸面形状的曲率半径可以随着距显示基底100越远而逐渐地增大。
例如，在台阶部s的外部中，界面226中的两个相邻的界面226之间的间距(例如，间隙或距离)g1和g21可以朝向显示基底100增大(g21>g1)。界面226中的两个相邻的界面226之间的间距g21和g22可以从台阶部s的外部朝向与台阶部s叠置的位置减小(g21>g22)。这里，位于台阶部s的外部处的界面226之间的间距g1和g21可以表示界面226的凹面形状之间的最大间距。
即，在一个子层222中，位于台阶部s的外部处的厚度g21和位于与台阶部s叠置的位置处的厚度g22之间的差异朝向显示基底100增大，并随着台阶部s的高度增大而增大。所述差异可以随着子层222堆叠而逐渐地减小。因此，初始堆叠的子层222可以完全地覆盖台阶部s的表面，并填充台阶部s与显示基底100之间的间隙。随着子层222堆叠，台阶部s的台阶差异(例如，台阶高度)减小，并可以使缓冲层210的上表面平坦化或基本上平坦化。另外，缓冲层210在与台阶部s分隔开的位置处具有第一厚度t1，在与台阶部s叠置的位置处具有第二厚度t2。在这种情况下，第二厚度t2可以大于等于厚度t1的大约0.5倍，并且小于等于厚度t1的1倍。
多个子层222中的每个可以包括第一区域223和依次位于第一区域223上方并包括形成界面226的上表面的第二区域224。在固化用于形成子层222的前驱体层的同时形成第二区域224，并且第二区域224可以具有范围从大约
第二区域224可以具有与第一区域223的组成不同的组成。图4示出了在图3的第一位置p1、第二位置p2和第三位置p3处通过使用x射线光电子能谱(xps)测定包括在子层222中的碳1、氧2和硅3的含量而得到的结果。参照图4，示出了在第一位置p1处的硅3的含量大于在第二位置p2和第三位置p3处的硅3的含量，在第一位置p1处的碳1的含量小于在第二位置p2和第三位置p3处的碳1的含量。即，因为第二区域224的硅3的含量比例大于第一区域223的硅3的含量比例，第二区域224的碳1的含量比例小于第一区域223的碳1的含量比例，所以相比于第一区域223，第二区域224可以具有接近无机层的性质。因此，因为缓冲层210具有在其中有着不同性质的第一区域223和第二区域224具有小的厚度并是多层的结构，所以提高了阻挡水分和氧气的特性，并可以获得优异的柔性。
薄膜包封层200包括位于缓冲层210上方的阻挡层220。阻挡层220阻挡外部水分和氧气的渗透，阻挡层220可以比缓冲层210大，可以覆盖缓冲层210的上表面和侧表面，并在缓冲层210的外部处接触显示基底100。
阻挡层220可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铯和/或氮氧化硅(sion)等。
图5是示出制造图1的显示装置10的方法的流程图；图6是示出沿图1的线i-i'截取的显示装置10的部分的另一示例的剖视图。
参照图1至图3和图5，制造显示装置10的方法可以包括形成显示基底100(s10)并在显示基底100上方形成薄膜包封层200(s20至s40)。
如下面参照图7所描述的，显示基底100包括基础基底101(参见，例如，图7)和形成在基础基底101上方的显示部分110(参见，例如，图7)。下面参照图7描述显示基底100。
可以通过形成缓冲层210，然后通过在缓冲层210上方形成阻挡层220(s40)来形成薄膜包封层200，所述缓冲层210通过重复在显示基底100上方沉积前驱体层(s20)并通过固化沉积的前驱体层形成一个子层222(s30)的操作来形成。
可以通过将原料气体和反应气体注入其中设置有显示基底100的腔室中，并执行等离子体增强化学气相沉积(pecvd)来形成前驱体层。原料气体可以是六甲基二硅氧烷，反应气体可以是氧气或氢气；然而，本发明的实施例不限于此。在实施例中，原料气体可以是六甲基二硅氮烷、四乙氧基硅烷、四甲基环四硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、四甲基硅烷和/或四甲基二硅氧烷等。
作为示例，当六甲基二硅氧烷用作原料气体，并且氧气用作反应气体时，六甲基二硅氧烷在单体的基础上分解，然后可以如下所述沉积具有sioxcyhz的组成的前驱体层。
化学式1
hmdso((ch3)3si-o-si(ch3)3)→(ch3)3si-o-si(ch3)2+ch3→sioxcyhz+chx’
化学式2
hmdso((ch3)3si-o-si(ch3)3)→(ch3)3si-o-+-si(ch3)3→sioxcyhz+sicx"hy
即，当六甲基二硅氧烷分解时，形成碳酸酯基和甲基。在这种情况下，随着作为反应气体的氧气的流量的增大，氧化反应占优势，沉积的前驱体层内的碳的含量可以减小。当前驱体层内的碳的含量减小时，形成的子层222可以具有接近无机层的性质。因此，子层222的性质可以在沉积前驱体层时通过调整氧气的流量或使用一氧化二氮代替氧气来调整。
例如，为了执行沉积以允许前驱体层填充显示基底100与薄膜包封层200之间的间隙并且具有足够的(例如，优异的)台阶覆盖，引入到腔室中的氧气的流量可以是大约100至大约20000sccm；然而，本发明的实施例不限于此。在沉积前驱体层时，可以根据子层222的性质来调节腔室内的原料气体和反应气体的温度、压力和流量。例如，氧气的流量可以随着子层222的堆叠的数量(例如，随着堆叠的次数)增大而增大。因此，初始沉积的前驱体层具有改善的流动性，因此可以有效地填充台阶部s与显示基底100之间的间隙。
在沉积前驱体层之后，通过固化前驱体层形成子层222。例如，前驱体层的固化可以通过使用氢气等离子体来执行。在实施例中，前驱体层的固化可以通过使用氧气或任意气体的等离子体来执行。
子层222可以具有范围从大约
在一个子层222中，台阶部s的外部处的厚度g21和与台阶部s叠置的位置处的厚度g22之间的差异可以朝向显示基底100增大，并随着子层222堆叠而逐渐地减小。因此，初始堆叠的子层222完全地覆盖台阶部s的表面，并填充台阶部s与显示基底100之间的间隙。随着多个子层222被堆叠，台阶部s的台阶差异(例如，台阶高度)减小，因此可以使缓冲层210的表面平坦化或基本上平坦化。在这种情况下，形成的缓冲层210在与台阶部s分隔开的位置处具有第一厚度t1，并在与台阶部s叠置的位置处具有第二厚度t2。这里，第二厚度t2可以大于等于厚度t1的大约0.5倍且小于等于厚度t1的一倍。
为此，基于硅、氧和碳的原子总数，子层222可以包括大约20至大约50原子％的硅、大约10至大约40原子％的氧和大约30至大约60原子％的碳。在实施例中，子层222可以包括大约30至大约40原子％的硅、大约18至大约28原子％的氧和大约40至大约50原子％的碳。在实施例中，子层222可以包括大约33至大约36原子％的硅、大约20至大约23原子％的氧和大约42至大约45原子％的碳。具有上面的组成的子层222可以具有范围从大约2至大约3gpa的模量。
图6示出了缓冲层210围绕具有圆形横截面的颗粒p。当缓冲层210具有上面的组成时，如图6中所示，缓冲层210完全地围绕颗粒p。因此，即使在颗粒p与显示基底100之间的接触角形成锐角的情况下，也不在颗粒p下方产生气隙，并且减小了由颗粒p引起的台阶差异，使得可以减小施加到形成在缓冲层210上方的阻挡层220的应力。
多个子层222可以包括第一区域223和在固化工艺期间直接暴露于等离子体的第二区域224。第二区域224是其中通过等离子体减少了碳的含量比例的区域，并且与第一区域223相比，第二区域224可以具有接近无机层的性质。因此，因为缓冲层210具有其中有着不同性质的第一区域223和第二区域224具有小的厚度并且是多层的结构，所以提高了阻挡水分和氧气的特性，并可以保持优异的柔性。
可以通过在腔室内部使用与形成缓冲层210相同的方法来形成阻挡层220。因此，当形成薄膜包封层200时，可以减小单件产品生产时间。
图7是示出沿图1的线i-i'截取的显示装置10的部分的另一示例的剖视图。
参照图7，显示装置10可以包括显示基底100和位于显示基底100上方的薄膜包封层200。薄膜包封层200可以包括缓冲层210和阻挡层220。薄膜包封层200可以通过密封显示部分110防止或基本上防止外部氧气和水分渗透到显示部分110中。因为缓冲层210和阻挡层220与参照图1至图6描述的缓冲层210和阻挡层220相同或基本上相同，所以可以不重复它们的描述。
显示基底100可以包括基础基底101和位于基础基底101上方的显示部分110。显示部分110可以包括显示元件110b和电连接到显示元件110b的薄膜晶体管(tft)110a。尽管下面描述显示元件110b包括有机发射层的示例，但是本发明的实施例不限于此，显示元件110b可以包括各种合适种类的诸如发光二极管(led)和/或液晶显示器等的显示元件。
基础基底101可以包括各种合适的材料。例如，基础基底101可以包括具有sio2作为主要组分的透明玻璃材料。然而，基础基底101不限于此，并可以包括透明塑料材料。塑料材料可以包括具有聚醚砜(pes)、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(pc)、三乙酸纤维素(tac)和/或乙酸丙酸纤维素(cap)等的有机材料。
缓冲层102可以形成在基础基底101上方。例如，缓冲层102可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛和/或氮化钛等的无机材料和/或诸如聚酰亚胺、聚酯和/或丙烯醛基等的有机材料，并可以包括来自上面的材料中的多个堆叠的材料。
tft110a可以包括有源层103、栅电极105、源电极107和漏电极108。下面描述tft110a是顶栅型tft的情况，其中，有源层103、栅电极105、源电极107和漏电极108以所述顺序依次地形成。然而，本发明的实施例不限于此，可以使用诸如底部型tft的各种合适类型的tft110a。
有源层103包括半导体材料，并可以包括例如非晶硅和/或多晶硅等。然而，本发明的实施例不限于此，有源层103可以包括各种合适的材料。在实施例中，有源层103可以包括有机半导体材料。在另一实施例中，有源层103可以包括氧化物半导体材料。例如，有源层103可以包括诸如zn、in、ga、sn、cd、ge的12、13、14族的金属元素和/或它们的组合的氧化物。
栅极绝缘层104形成在有源层103上方。栅极绝缘层104可以包括具有诸如氧化硅和/或氮化硅等的无机材料的单层或多层结构。栅极绝缘层104将有源层103与栅电极105绝缘。
栅电极105形成在栅极绝缘层104上方。栅电极105可以连接到将导通/截止信号施加到tft110a的栅极线。栅电极105可以包括低电阻金属材料。栅电极105可以包括具有al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w和/或cu等的单层或多层结构。
层间绝缘层106形成在栅电极105上方。层间绝缘层106将源电极107和漏电极108与栅电极105绝缘。层间绝缘层106可以包括具有无机材料的单层或多层结构。例如，无机材料可以包括金属氧化物或金属氮化物。例如，无机材料可以包括sio2、sinx、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2和/或zro2等。
源电极107和漏电极108形成在层间绝缘层106上方。源电极107和漏电极108均可以包括具有al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w和/或cu等的单层或多层结构。源电极107和漏电极108接触有源层103的区域。
钝化层109可以覆盖tft110a。钝化层109解决了起源于tft110a的台阶差异，使它的上表面平坦化，因此，防止或基本上防止由于下部不规则性而对显示元件110b产生缺陷。
钝化层109可以包括具有有机材料的单层或多层结构。有机材料可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)、具有苯酚基的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳香醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和/或它们掺合物的通用的聚合物。另外，钝化层109可以包括无机绝缘层和有机绝缘层的复合堆叠层。
显示元件110b形成在钝化层109上方。显示元件110b包括第一电极111、面向第一电极111的第二电极113和位于第一电极111与第二电极113之间的中间层112。
第一电极111可以电连接到漏电极108。第一电极111可以具有各种合适的形状，例如，可以以岛的形状图案化。
第一电极111可以形成在钝化层109上方，并通过形成在钝化层109中的接触孔电连接到tft110a。例如，第一电极111可以是反射电极。例如，第一电极111可以包括具有ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr和/或它们的混合物的反射层，以及形成在反射层上方的透明电极层。透明电极层可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和/或氧化铝锌(azo)等。
面向第一电极111的第二电极113可以是透明电极，并可以包括金属薄膜，所述金属薄膜具有小的功函数，并包括li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag和/或mg等，以及它们的混合物。另外，还可以通过使用ito、izo、zno和/或in2o3等在金属薄膜上形成辅助电极层或汇流电极。因此，第二电极113可以传输从包括在中间层112中的有机发射层发射的光。即，从有机发射层发射的光可以直接地朝向第二电极113发射或者被包括反射电极的第一电极111反射并朝向第二电极113发射。
然而，根据实施例的显示部分110不限于顶部发射类型的显示部分，并可以是从有机发射层发射的光朝向基础基底101射出的底部发射类型的显示部分。在这种情况下，第一电极111可以包括透明电极，第二电极113可以包括反射电极。另外，根据实施例的显示部分110可以是在包括顶部方向和底部方向的两个方向上发射光的双发射类型的显示部分。
包括绝缘材料的像素限定层119形成在第一电极111上方。像素限定层119可以包括包含聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯(bcb)和/或苯酚树脂等的有机绝缘材料中的至少一种，并可以通过使用诸如旋转涂覆的方法来形成。像素限定层119暴露第一电极111的设定的或预定的区域，包括有机发射层的中间层112位于暴露的区域中。即，像素限定层119限定有机发光装置的像素区域。像素限定层119可以是图1至图6中示出的并参照图1至图6描述的台阶部s(参见，例如，图2)，缓冲层210可以减小由像素限定层119引起的台阶差异。
包括在中间层112中的有机发射层可以包括低分子的有机材料或聚合物有机材料，除了有机发射层之外，还选择性地包括诸如空穴传输层(htl)、空穴注入层(hil)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)的功能层。
图8是示出沿图1的线i-i'截取的显示装置10的部分的另一示例的剖视图。
参照图8，显示装置10可以包括显示基底100和位于显示基底100上方的薄膜包封层200。
显示基底100可以包括基础基底101和位于基础基底101上方的显示部分110。显示部分110可以包括tft110a和显示元件110b。另外，薄膜包封层200通过密封显示部分110来防止或基本上防止外部氧气和/或水分等渗透到显示部分110中，并可以包括缓冲层210和阻挡层220。
因为显示装置10的薄膜包封层200与图1至图7中示出的和参照图1至图7描述的薄膜包封层200相同或基本上相同，所以可以不重复它们的描述。
参照图8，显示装置10还可以包括位于显示部分110上方的保护层300。显示基底100还可以包括位于保护层300与显示元件110b的第二电极113之间的覆盖层120。
保护层300可以包括与缓冲层210的材料相同或基本上相同的材料。即，保护层300可以包括具有碳和氢的氧化硅。然而，与缓冲层210相比，保护层300可以具有接近无机层的性质。例如，保护层300可以包括比缓冲层210的氧的含量大的氧的含量，并包括比缓冲层210的碳的含量小的碳的含量，并还包括与氢结合的碳化硅。
当保护层300具有上述无机层的性质时，在形成保护层300期间脱气现象减少，因此可以防止或基本上防止显示元件被发出的气体所损坏。
保护层300可以通过使用与用于形成缓冲层210所使用的方法相同的方法来形成。即，在形成薄膜包封层200之前，将原料气体和反应气体注入到其中设置有显示基底100的腔室中，可以通过使用pecvd形成保护层300。在这种情况下，为了允许保护层300具有接近无机层的性质，在形成保护层300时引入腔室中的作为反应气体的氧气的流量可以大于在形成缓冲层210时引入腔室中的氧气的流量。因此，保护层300和薄膜包封层200二者可以通过使用相同的方法在一个腔室中形成。
覆盖层120形成在第二电极113上方，并保护显示元件110b、协助从显示元件110b产生的光，使得可以有效率地发射光。例如，覆盖层120可以包括诸如a-npd、npb、tpd、m-mtdata、alq3和/或cupc的有机材料。在这种情况下，覆盖层120可以具有范围从大约1.6至大约3.0的折射率。然而，本发明的实施例不限于此，覆盖层120可以包括可阻挡水分和/或氧气的材料。
包括与缓冲层210的材料相同或基本上相同的材料的保护层300可以具有比覆盖层120的折射率小的折射率。例如，保护层300可以具有范围从大约1.38至大约1.5的折射率。当进一步将氟(f)添加到保护层300中时，保护层300可以具有更低的折射率。当保护层300具有如上所述的小的折射率时，可以抑制从显示元件110b产生的光在被发射到外部的过程期间消光，因此可以改善(例如，增大)显示装置10的光提取效率。
图9是示出沿图1的线i-i'截取的显示装置10的部分的另一示例的剖视图；图10是示出沿图1的线ii-ii'截取的显示装置的一部分的示例的剖视图。
参照图9和图10，显示装置10可以包括显示基底100和位于显示基底100上方的薄膜包封层200。
显示基底100可以包括基础基底101和位于基础基底101上方的显示部分110。显示部分110可以包括tft110a和显示元件110b。因为显示部分110与参照图7描述的显示部分110相同或基本上相同，所以可以不重复它们的描述。
薄膜包封层200密封显示部分110，并可以包括顺序地堆叠的第一阻挡层230、缓冲层210和第二阻挡层220。
基于硅、氧和碳的总原子数，缓冲层210可以包括大约20至大约50原子％的硅、大约10至大约40原子％的氧和大约30至大约60原子％的碳。另外，在实施例中，缓冲层210可以包括大约30至大约40原子％的硅、大约18至大约28原子％的氧和大约40至大约50原子％的碳。在实施例中，缓冲层210可以包括大约33至大约36原子％的硅、大约20至大约23原子％的氧和大约42至大约45原子％的碳。因此，缓冲层210可以减少由像素限定层119形成的台阶差异(例如，台阶高度)，并防止或基本上防止在台阶差异与薄膜包封层200之间形成气隙。
第二阻挡层220可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铯和/或氮氧化硅等。
例如，第一阻挡层230可以包括与第二阻挡层220的材料相同或基本上相同的材料。
在另一实施例中，第一阻挡层230可以包括与缓冲层210的材料相同或基本上相同的材料。在第一阻挡层230包括与缓冲层210的材料相同或基本上相同的材料的情况下，第一阻挡层230可以包括比缓冲层210的无机材料的量大的无机材料的量。第一阻挡层230和缓冲层210可以通过使用相同的沉积方法依次地在相同腔室内形成。然而，当沉积第一阻挡层230时，相比于缓冲层210的沉积，可以通过增大氧气(反应气体)的流量来改善(例如，增大)第一阻挡层230的硬度。
如图10中所示出的，第一阻挡层230和第二阻挡层220可以比缓冲层210进一步延伸，并可以在缓冲层210的外部处彼此接触。另外，第一阻挡层230和第二阻挡层220中的至少一个可以在缓冲层210的外部处接触栅极绝缘层104和层间绝缘层106。因此，可以防止或基本上防止通过侧面传输外部水分，并可以改善(例如，增大)薄膜包封层200的粘合力。
另外，显示基底100还可以在基础基底101的边缘处包括坝状物d。坝状物d可以形成在非显示区域中，所述非显示区域是其中设置有显示元件110b的显示区域的外侧。电压线p可以设置在非显示区域中，并通过布线116连接到第二电极113。然而，本发明的实施例不限于此，电压线p可以直接地接触第二电极113。
坝状物d可以包括与具有从栅极绝缘层104至像素限定层119的绝缘层中的至少一个的材料相同或基本上相同的材料。坝状物d可以与包括金属材料的电压线p的至少外边缘叠置并接触。因此，与无机材料相比，包括相对于金属具有优异的粘合力的有机材料的坝状物d由于具有优异的粘合力而可以稳定地形成。
坝状物d可以包括单层或多个层。例如，坝状物d可以包括具有与钝化层109的材料相同或基本上相同的材料的第一层和位于第一层上方具有与像素限定层119的材料相或基本上相同的材料的第二层。另外，坝状物d可以以复数的形式设置。在坝状物d以复数的形式设置的情况下，坝状物d的高度可以朝向基础基底101的外部增大。
坝状物d可以防止或基本上防止缓冲层210形成至基础基底101的边缘。因为用于形成缓冲层210的前驱体层可以具有一定程度的流动性，所以坝状物d可以通过阻挡前驱体层朝向基础基底101的边缘流动来防止或基本上防止缓冲层210的边缘尾部的形成。因此，缓冲层210可以面对或接触坝状物d的内表面。对于另一个示例，缓冲层210可以与坝状物d的一部分重叠，但不延伸到坝状物d外侧。
然而，第一阻挡层230和第二阻挡层220可以覆盖坝状物d。当第一阻挡层230包括与缓冲层210的材料相同或基本上相同的材料时，相比于缓冲层210，第一阻挡层230包括无机层的许多特性，因此第一阻挡层230共形地形成。因此，用于形成第一阻挡层230的前驱体层的流动性是没有问题的。
第一阻挡层230和第二阻挡层220可以在坝状物d的外部处彼此接触。另外，第一阻挡层230和第二阻挡层220中的至少一个可以在坝状物d的外部处接触栅极绝缘层104或层间绝缘层106。因此，可以防止或基本上防止通过侧面传输外部水分，并可以改善(例如，增大)薄膜包封层200的粘合力。
图9和图10中示出的显示装置10还可以包括保护层300(参见，例如，图8)和图8中示出的并参照图8描述的覆盖层120(参见，例如，图8)。
将理解的是，虽然在这里可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了易于描述，在这里可使用诸如“在……下方”、“下面的”、“在……下”、“在……上方”和“上面的”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包含设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，那么被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“下”的元件将随后被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下”可包含上方和下方两种方位。设备可被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位)并应该相应地解释这里使用的空间相对描述符。此外，还将理解的是，当层被称为“在”两个层“之间”时，该层可以是位于两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。
这里使用的术语是出于描述具体实施例的目的，并非意图限制发明构思。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种/者)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意和全部组合。诸如“……中的至少一种(个)”的表述在一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰该列的单独元件。另外，在描述发明构思的实施例时“可以”的使用指“发明构思的一个或更多个实施例”。另外，术语“示例性”意图指示例或图示。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”、“结合到”或“邻近”另一元件或层时，该元件或层可以直接在其它元件或层上、直接连接到、结合到或邻近其它元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”、“直接结合到”或“紧邻”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。
如在此使用的，术语“基本上”，“大约”和类似术语用作近似的术语，而不是作为程度的术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有变化。
如在此使用的，术语“使用”可以被认为与术语“利用”同义。
此外，在这里所述的任何数值范围意图包括所述范围内包含相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括在所列举的最小值1.0和所述最大值10.0之间(并且包括)的所有子范围，即，具有大于等于1.0的最小值，小于等于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。在这里所述的任何最大数值限制意图包括其中包含有所有较低数值限制，并且在本说明书中所述的任何最小数值限制意图包括其中包含有所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地陈述包含在在这里明确引用的范围内的任何子范围。所有这些范围意图在本说明书中固有地描述。
尽管已经参照附图中示出的实施例描述了发明构思，但是这仅是示例性的，并且本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求及其等同物限定的发明构思的精神和范围的情况下，可以在形式、细节及其等同物上进行各种合适的改变。
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