技术编号:71884
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 发明领域本发明涉及磁阻元件(以下简写为“MR元件”)和利用该元件的磁器件。本发明的MR元件特别适用于从介质比如磁盘、磁-光盘和磁带读取信息的记录/重放磁头、用于汽车等的磁性传感器以及磁阻存储设备(即磁随机存取存储器,下文简写为“MRAM”)。发明背景至少两个磁层和至少一个非磁层交替叠置的多层膜可提供大的磁阻效应,这被称为巨磁阻(GMR)效应。在多层膜中,非磁层位于磁层之间(即磁层/非磁层/磁层/非磁层......)。磁阻效应是电阻随着磁层之间磁化方向的相对差异而变化的现象。GMR元件利用导电材料比如Cu和Au作为...
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