技术编号:7188723
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及混合金属FUSI栅的系统、结构及其制造方法。现在参考图3a,在图中示出了半导体衬底302,该半导体衬底302包 括浅槽隔离区304和适合于PMOS和NMOS结构的阱区(未示出)。衬底 302可包括硅或其它半导体材料,例如绝缘体上硅(SOI)。也可采用化合 物半导体代替硅,如GaAs、 InP、 Si/Ge或SiC。衬底302也可能包括前道 工艺(FEOL)中形成的其它有源元件或电路,在图中未示出。在村底302上淀积电介质层306。电介质层306可...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。