技术编号：7189948
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及功率MOS场效应管器件及其制造方法，特别涉及一种低栅漏电容的沟槽MOS场效应管器件。背景技术沟槽MOS器件广泛应用于功率类电路中，作为开关器件连接电源与负载。随着用电效率要求提高，以及设备小型化要求，沟槽MOS器件需要在更高开关频率下工作，随之而来的器件高开关损耗变得无法接受。造成开关损耗的主要原因是MOS器件栅极与漏极间存在寄生电容Cgd，M0S器件开关动作中，由于寄生电容Cgd的存在，造成流经源漏极的电流信号和源漏电压信号间产生相位差，引...
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