技术编号:7196623
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺,尤其涉及一种在具有N型埋层和深磷的双极工艺中的。背景技术 现有技术半导体集成电路制造工艺中,N型埋层应用于晶体管正下方,N型埋层同时和N型深磷串联在一起,其共同效果使NPN管集电极串联电阻减少,同时发射极到集电极饱和压降V ces减少,这些对于大电流工作的功率晶体管是有利于性能的改进。但是,深磷工艺基本上要纵向深透外延层厚度,因此结深较深;正因为纵向结深较深,同时引起副作用使横向扩散也相当严重,从而影响了器件的合格率。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。