技术编号:7197282
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种激光器倍频晶体的加热装置本实用新型涉及一种应用于激光器倍频晶体的加热装置。技术背景现有的激光器倍频晶体的加热装置是半导体致热片直接贴紧在被加热的倍频晶 体座底面,整个半导体致热片在发热过程中暴露在激光器腔体中,其半导体发热产生的气 体物质污染了腔内的光学器件;探测晶体温度的传感器安装位置靠侧,没有正对晶体近距 离接触。其缺点为1、半导体致热片在发热过程中暴露在激光器腔体中易对腔内的光学器 件产生污染;2、探测晶体温度的传感器安装位置靠偏,带来加热的不准...
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