专利名称：一种激光器倍频晶体的加热装置的制作方法
技术领域：
一种激光器倍频晶体的加热装置
技术领域：
本实用新型涉及一种应用于激光器倍频晶体的加热装置。
技术背景
现有的激光器倍频晶体的加热装置是半导体致热片直接贴紧在被加热的倍频晶 体座底面，整个半导体致热片在发热过程中暴露在激光器腔体中，其半导体发热产生的气 体物质污染了腔内的光学器件；探测晶体温度的传感器安装位置靠侧，没有正对晶体近距 离接触。其缺点为1、半导体致热片在发热过程中暴露在激光器腔体中易对腔内的光学器 件产生污染；2、探测晶体温度的传感器安装位置靠偏，带来加热的不准确、不稳定。
发明内容
本实用新型所欲解决的技术问题是提供一种不会对激光器腔体中的其他光学器 件产生污染的激光器倍频晶体的加热装置。 本实用新型所采用的技术方案是一种激光器倍频晶体的加热装置，包括容置 倍频晶体的倍频晶体座、及容置半导体致热片的半导体致热片安装座，所述半导体致热片 安装座位于倍频晶体座的下方、并与倍频晶体座间隔一定距离，所述半导体致热片伸出半 导体致热片安装座一定距离，且半导体致热片的上表面贴紧倍频晶体座的下表面，且所述 半导体致热片位于倍频晶体的下方。 其中，所述倍频晶体座与半导体致热片安装座外侧的四周都填充有使所述半导体 致热片处于密封空间的绝热胶。 其中，还包括容置在倍频晶体座下方的温度传感器，该温度传感器位于倍频晶体 的正下方。 其中，所述所述温度传感器的线从半导体致热片安装座的穿线孔内穿出。 其中，所述穿线孔内填充有绝热胶。 其中，所述倍频晶体座的上端设有固定倍频晶体的倍频晶体盖。 其中，所述倍频晶体座与倍频晶体盖之间锁紧螺钉 本实用新型通过将半导体致热片致热端直接贴紧被加热的倍频晶体座底面，且整 个半导体致热片陷入一定深度的安装座的槽内，达到通过倍频晶体座来对倍频晶体传热 的，达到倍频晶体加热的效果，不会对激光器腔体内的其他光学器件产生污染。
下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的描述。
图1是本实用新型加热装置的示意图； 图2为图1所示加热装置的剖视图； 图3为图2所示加热装置的绝热胶的示意图； 图4为图1所示加热装置另一角度的示意图。
具体实施方式
本实用新型涉及一种激光器倍频晶体的加热装置，用于对倍频晶体加热，如图1 至图4为本激光器倍频晶体的加热装置的示意图，本激光器倍频晶体的加热装置，包括容 置倍频晶体3的倍频晶体座1、及位于该倍频晶体座1下端的半导体致热片安装座2。 其中，倍频晶体3通过导热铟膜包裹地收容在倍频晶体座1的倍频晶体收容槽11 内，并在该倍频晶体3上端通过一倍频晶体盖4固定，该倍频晶体盖4与倍频晶体座1之间 通过两锁紧螺钉8压紧固定，以使倍频晶体3固定在倍频晶体座1与倍频晶体盖3之间。 其中， 一温度传感器6安装在倍频晶体座1端部的条形槽12内，该温度传感器6位 于倍频晶体3的正下方，且该温度传感器6的面贴紧条形槽12内底面，且温度传感器6的 线从半导体致热片安装座2的穿线孔22内传出。由于温度传感器6位于倍频晶体3的正 下方，距离倍频晶体3的距离较短，保证探测倍频晶体3温度的准确性。 其中，半导体致热片安装座2与倍频晶体座1之间间隔一定距离， 一半导体致热片 5固定在该半导体致热片安装座2的凹槽21内，并位于倍频晶体3的下方。该半导体致热 片5高出该凹槽21 —定高度，使得倍频晶体座1与半导体致热片安装座2安装时上下不接 触，而使半导体致热片5的上表面贴紧倍频晶体座1的下表面，并在倍频晶体座1与半导体 致热片安装座2外侧的四周及半导体致热片安装座2的穿线孔22内都由绝缘绝热胶7填 充，使得半导体致热片5处于一个密封的空间里。 本本激光器倍频晶体的加热装置是通过半导体致热片5的上端面(即热面)加热 与之接触的倍频晶体座l，然后倍频晶体座1把热能传给已经用导热铟膜包裹的倍频晶体 3，达到对倍频晶体3加热的效果，且不会对激光器腔体内的其他光学器件产生污染。
权利要求一种激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于，包括容置倍频晶体的倍频晶体座、及容置半导体致热片的半导体致热片安装座，所述半导体致热片安装座位于倍频晶体座的下方、并与倍频晶体座间隔一定距离，所述半导体致热片伸出半导体致热片安装座一定距离，且半导体致热片的上表面贴紧倍频晶体座的下表面，且所述半导体致热片位于倍频晶体的下方。
2. 如权利如权利要求1所述的激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于所述倍频晶 体座与半导体致热片安装座外侧的四周都填充有使所述半导体致热片处于密封空间的绝 热胶。
3. 如权利要求1所述的激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于还包括容置在倍频 晶体座下方的温度传感器，该温度传感器位于倍频晶体的正下方。
4. 如权利要求3所述的激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于所述所述温度传感 器的线从半导体致热片安装座的穿线孔内穿出。
5. 如权利要求4所述的激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于所述穿线孔内填充 有绝热胶。
6. 如权利要求1所述的激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于所述倍频晶体座的 上端设有固定倍频晶体的倍频晶体盖。
7. 如权利要求6所述的激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于所述倍频晶体座与 倍频晶体盖之间锁紧螺钉。
专利摘要本实用新型所采用的技术方案是一种激光器倍频晶体的加热装置，包括容置倍频晶体的倍频晶体座、及容置半导体致热片的半导体致热片安装座，所述半导体致热片安装座位于倍频晶体座的下方、并与倍频晶体座间隔一定距离，所述半导体致热片伸出半导体致热片安装座一定距离，且半导体致热片的上表面贴紧倍频晶体座的下表面，且所述半导体致热片位于倍频晶体的下方。本实用新型通过将半导体致热片致热端直接贴紧被加热的倍频晶体座底面，且整个半导体致热片陷入一定深度的安装座的槽内，达到通过倍频晶体座来对倍频晶体传热的，达到倍频晶体加热的效果，不会对激光器腔体内的其他光学器件产生污染。
文档编号H01S3/02GK201508995SQ20092020540
公开日2010年6月16日 申请日期2009年9月24日 优先权日2009年9月24日
发明者何柏林, 吕启涛, 高云峰 申请人:深圳市大族激光科技股份有限公司