技术编号：7204034
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及硅太阳电池生产设备领域，尤其是一种SE电池的掩膜设备。 背景技术目前硅太阳电池的制造工艺中，PN结的制作是核心步骤，对电池的光电转换效率 有决定性的影响。为了得到更高的转换效率，需要在PN结下进行选择性的扩散，即制备SE 电池。SE电池的制作要求是在电机栅线下及其附近形 成高掺杂深结区，形成更好的欧姆接 触，而在其它区域，也即活性受光区域形成低掺杂浅结区，以得到更高的电流。欧姆接触的 实现与电流的提升在传统结构电池中是一对矛盾，现有的掩膜设备...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。