专利名称：Se电池的掩膜设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及硅太阳电池生产设备领域，尤其是一种SE电池的掩膜设备。
背景技术：
目前硅太阳电池的制造工艺中，PN结的制作是核心步骤，对电池的光电转换效率 有决定性的影响。为了得到更高的转换效率，需要在PN结下进行选择性的扩散，即制备SE 电池。SE电池的制作要求是在电机栅线下及其附近形 成高掺杂深结区，形成更好的欧姆接 触，而在其它区域，也即活性受光区域形成低掺杂浅结区，以得到更高的电流。欧姆接触的 实现与电流的提升在传统结构电池中是一对矛盾，现有的掩膜设备和制造工艺来难以满足 上述要求。
发明内容本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供的一种可实现在电机栅线 及其附近形成深结区，其余区域为浅结区的SE电池的掩膜设备。为了达到上述目的，本实用新型所设计的SE电池的掩膜设备，它包括沉淀室，沉 淀室内设有石墨载板，石墨载板上规则地分布有硅片承载框，所述的承载框内凸出地设有 与电池电极形状一致的掩模。当生产运行沉积工艺后，由于掩模与电池电极图形一致，掩模 的阻挡作用可使电池表面待印电极栅线的地方不淀积上薄膜，而在其它区域形成一层阻挡 薄膜，为后续扩散工艺形成选择性的扩散创造了条件。所述的掩模外可为挖空结构，使浅结区沉积更多的阻挡薄膜。优选的方案是所述的石墨载板上设有36个硅片承载框，硅片承载框呈平行排布， 共分六行、六列。所述的沉淀室可为Si02沉淀室或SiNx沉淀室，可进行Si02沉淀或SiNx沉淀，也 可沉淀其它的阻挡薄膜。本实用新型所得到的SE电池的掩膜设备，当生产运行沉积工艺后，由于掩模与电 池电极图形一致，掩模的阻挡作用可使电池表面待印电极栅线的地方不淀积上薄膜，而在 其它区域形成一层阻挡薄膜，为后续扩散工艺形成选择性的扩散创造了条件，使得后续的 轻重掺杂可一次性完成，节省了工艺的同时又可实现在电机栅线及其附近形成深结区，其 余区域为浅结区的技术工艺要求。
图1是实施例1的结构示意图；图2是石墨载板的结构示意图；图3是图2中A处硅片承载框的放大图。图中沉淀室1、石墨载板2、硅片承载框3、掩模4。
具体实施方式
下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。实施例1如图1、2、3所示，本实施例所描述的SE电池的掩膜设备，它包括沉淀室1，沉淀室1内设有石墨载板2，石墨载板2上规则地分布有硅片承载框3，所述的承载框内凸出地设有 与电池电极形状一致的掩模4，石墨载板2上设有36个硅片承载框3，硅片承载框3呈平行 排布，共分六行、六列，沉淀室1为Si02沉淀室1，可沉积Si02阻挡薄膜。该SE电池制作工艺如下用氢氧化钠溶液进行硅片表面织构化；将硅片放入上述沉淀室1，并运行Si02沉积工艺，使硅片表面待印电极的以外的 区域镀上阻挡膜；进行扩散工艺，用液态三氯化磷进行轻重掺杂，使电极区域形成重掺杂区，在其它 区域(受光区)形成一层薄薄的PN结，为轻扩区；采用等离子刻蚀，却除硅片周边的PN结；用酸性溶液洗膜，将表面的阻挡膜去除干净；用等离子增强化学法沉积一层氮化硅，该技术为本领域常规手段，非本实用新型 发明点，在此不加累述；丝印和烧结。从而完成SE电池的制作。
权利要求一种SE电池的掩膜设备，它包括沉淀室(1)，沉淀室(1)内设有石墨载板(2)，石墨载板(2)上规则地分布有硅片承载框(3)，其特征是所述的承载框内凸出地设有与电池电极形状一致的掩模(4)。
2.根据权利要求1所述的SE电池的掩膜设备，其特征是所述的掩模(4)外为挖空结构。
3.根据权利要求1或2所述的SE电池的掩膜设备，其特征是所述的石墨载板(2)上设 有36个硅片承载框(3)，硅片承载框(3)呈平行排布，共分六行、六列
4.根据权利要求1或2所述的SE电池的掩膜设备，其特征是所述的沉淀室(1)为Si02 沉淀室或SiNx沉淀室。
5.根据权利要求3所述的SE电池的掩膜设备，其特征是所述的沉淀室(1)为Si02沉 淀室或SiNx沉淀室。
专利摘要本实用新型所公开的SE电池的掩膜设备，它包括沉淀室，沉淀室内设有石墨载板，石墨载板上规则地分布有硅片承载框，所述的承载框内凸出地设有与电池电极形状一致的掩模。本实用新型所得到的SE电池的掩膜设备，当生产运行沉积工艺后，由于掩模与电池电极图形一致，掩模的阻挡作用可使电池表面待印电极栅线的地方不淀积上薄膜，而在其它区域形成一层阻挡薄膜，为后续扩散工艺形成选择性的扩散创造了条件，使得后续的轻重掺杂可一次性完成，节省了工艺的同时又可实现在电机栅线及其附近形成深结区，其余区域为浅结区的技术工艺要求。
文档编号H01L31/18GK201576695SQ200920314228
公开日2010年9月8日 申请日期2009年11月6日 优先权日2009年11月6日
发明者李科伟, 石劲超 申请人:浙江百力达太阳能有限公司