技术编号:7205140
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用碳化硅半导体(SiC)作为材料的用于功率控制的诸如M0SFET的 高击穿电压半导体器件。背景技术高度期望SiC成为下一代功率半导体器件材料。SiC的带隙是Si的约三倍,击穿 场强度是Si的约十倍,且热导率是Si的约三倍,并且SiC具有作为功率半导体器件材料的 良好物理特性。利用这样的物理特性,可以获得损耗远低于Si功率半导体器件并且可以高 温操作的功率半导体器件。虽然存在使用SiC的特性的各种高击穿电压半导体器件,但是,例如,已知其中通 过离...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。