技术编号：7205283
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过施加电压脉冲稳定保持的阻抗值变化的非易失性半导体存储装 置及其制造方法。背景技术近年来，伴随着数字技术的进展，便携式信息机器和信息家电等的电子机器，更进 一步高功能化。因此，要求非易失性存储元件的大容量化、写入电力的降低、写入/读出时 间的高速化、以及长寿命。应对上述要求，谋求现存的使用浮动门的闪存存储器的细微化。另一方面，在存储 部使用通过施加电压脉冲变化稳定保持的阻抗值的阻抗变化元件的非易失性半导体存储 元件(电阻变化型存储器)的情况下，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。