技术编号:7205812
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基于氮化物的器件。更具体地,本发明涉及在共用的基板上单块集成 不同类型的基于氮化物的器件,以及所获得的器件。背景技术宽带隙半导体材料,包括III族-氮化物,例如氮化镓、氮化铝镓、氮化铟及其合 金,以及碳化硅都是制造大功率、高温和/或高频器件所期望的材料。这些宽带隙材料与其 他诸如砷化镓和硅的半导体材料相比具有高电场击穿强度以及高电子饱和速度。在以高频率(例如射频,包括例如S-频带(2-4GHZ)以及X-频带(8_12GHz))操 作时需要大功率处...
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