技术编号:7206365
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及构造为使得在其顶层中制造的装置与在标准的高电阻率基材中制造 的相同装置具有类似性质的基材,并涉及所述基材的制造方法。背景技术在文献US 2006/0166451和US 2007/0032040中公开了已知的具有高电阻率的基材“HR”基材的实例。所述已知的基材通常包括在其中或在其上将形成高频装置的顶 层、在所述顶层之下的绝缘层以及高电阻率的支持体。在一些情况中,在绝缘层和支持 体之间还可以插入其它层,以进一步改善所述基材的高电阻率性质。尽管已知的H...
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