技术编号:7206871
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造硅烷化多孔绝缘膜的方法、制造半导体装置的方法和硅烷化材 料。背景技术近来,在具有多层布线结构的半导体装置中,已经将多孔绝缘膜用作低介电常数 的层间绝缘膜。例如,关于低介电常数(低k)的层间绝缘膜,存在含有硅氧烷聚合物作为 基本结构的薄膜。例如,能够以下列顺序制造这种低k的层间绝缘膜。首先,在衬底上对通 过将含有硅氧烷键的原料如烷氧基硅烷等和具有挥发性的原料进行混合而得到的溶液进 行旋涂,所述具有挥发性的原料充当用于中等尺度的孔(具有1至几个纳...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。