专利名称：制造硅烷化多孔绝缘膜的方法、制造半导体装置的方法和硅烷化材料的制作方法
技术领域：
本发明涉及制造硅烷化多孔绝缘膜的方法、制造半导体装置的方法和硅烷化材 料。
背景技术：
近来，在具有多层布线结构的半导体装置中，已经将多孔绝缘膜用作低介电常数 的层间绝缘膜。例如，关于低介电常数(低k)的层间绝缘膜，存在含有硅氧烷聚合物作为 基本结构的薄膜。例如，能够以下列顺序制造这种低k的层间绝缘膜。首先，在衬底上对通 过将含有硅氧烷键的原料如烷氧基硅烷等和具有挥发性的原料进行混合而得到的溶液进 行旋涂，所述具有挥发性的原料充当用于中等尺度的孔(具有1至几个纳米的直径)的模 板。随后，通过在炉子中进行烘烤处理来挥发所述模板材料。结果，所述模板材料挥发的部 分分别变成孔，从而在衬底上形成了含有硅氧烷聚合物作为基本结构的多孔绝缘膜，所述 硅氧烷聚合物由含硅氧烷键的材料生成。然而，上述多孔绝缘膜在这种状态下易于吸收水分并易于损失低介电常数的性 能。非专利文献1公开了一种在1，3，5，7-四甲基环硅氧烷(TMCTS)蒸汽的气氛下对作为 多孔低介电常数薄膜的多孔二氧化硅进行退火的技术。因此认为，所述TMCTS分子与多孔 薄膜的各个孔表面上的Si-OH基团发生反应而形成聚合物网络，从而提高了多孔二氧化硅 的疏水性和强度。专利文献1(日本特开2005-89448号公报)公开了这样一种技术，其中在使用化 学气相沉积(CVD)法形成二氧化硅如二氧化硅膜时将环四硅氧烷用作CVD前体的情况下， 添加了有效量的自由基阻聚剂。专利文献1 日本特开2005-89448号公报非专利文献1 :K. Kohmura等人，“用于改进多孔低k膜的新型有机硅氧烷蒸气退 火法(Novel organosiloxane vapor annealing process for improving properties of porous low-k films) ”，薄固体膜(Thin Solid Films), 515, 5019 (2007)
发明内容
在非专利文献1中所述的技术中，由于TMCTS的自聚而导致材料的粘度增大，从而 产生了诸如在作为处理溶液进行处理时存在困难或因在硅烷化设备的管道中发生堵塞而 造成故障的问题。根据本发明，提供了一种制造硅烷化多孔绝缘膜的方法，所述方法包括形成具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜；以及向所述二氧化硅基多孔绝缘膜施用通过蒸发硅烷化材料而得到的硅烷化气体，所 述硅烷化材料包含具有疏水基团的有机硅烷化合物和用于抑制所述有机硅烷化合物自聚 的阻聚剂。
根据本发明，提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括在衬底上形成具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜；以及向所述二氧化硅基多孔绝缘膜上施用通过蒸发硅烷化材料而得到的硅烷化气体， 所述硅烷化材料包含具有疏水基团的有机硅烷化合物和用于抑制所述有机硅烷化合物自 聚的阻聚剂。根据本发明，提供了一种硅烷化材料，所述硅烷化材料以汽化状态(evaporated state)施用到具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜上，从而使得所述二氧化硅基多孔绝缘 膜具有疏水性或赋予其疏水性能，并对其进行强化，所述硅烷化材料包含具有疏水基团的有机硅烷化合物；和用于抑制所述有机硅烷化合物自聚的阻聚剂。根据本发明人的研究发现，在不添加阻聚剂的情况中(将阻聚剂的浓度设定为 Oppm)，在所述硅烷化材料中，所述有机硅烷化合物发生自聚，从而使所述硅烷化材料的稳 定性存在问题。特别地，发现添加阻聚剂是使所述硅烷化材料在充分的时间内稳定从而抑 制这种有机硅烷化合物的自聚并在工业上施加硅烷化处理所必需的。根据本发明的构造，可以防止所述有机硅烷化合物的自聚并适当地进行硅烷化处 理。另外，在本文中，作为阻聚剂，可以使用例如苯酚、氢醌或它们的混合物中的一种。此外，关于方法和设备，本发明上述元素的任意组合和表达的任意修改也可以有 效地作为本发明的方面。根据本发明，可以适当地对具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜进行硅烷化处理。
通过下列优选实施方案和附图，将使得上述和其它目的、特征和优点变得更加明显。图1为显示根据本发明实施方案形成硅烷化多孔绝缘膜的顺序的过程截面图。图2为显示根据本发明实施方案制造半导体装置的顺序的过程截面图。图3为显示根据本发明实施方案制造半导体装置的顺序的过程截面图。图4为显示在硅烷化处理期间阻聚剂相对于硅烷化材料中的有机硅烷化合物的 浓度发生变化的情况中以及在不进行硅烷化处理的情况中，多孔绝缘膜特性的测量结果的 图。图5为显示在硅烷化处理期间阻聚剂相对于硅烷化材料中的有机硅烷化合物的 浓度发生变化的情况下以及在不进行硅烷化处理的情况中，通过切断半导体装置来使用透 射电子显微镜进行观察的结果的图。
具体实施例方式在下文中，将参考附图对本发明的实施方案进行说明。在全部附图中，相同的参考 符号表示相同的元件，并不再重复对其进行说明。实施方案1
图1为显示根据本实施方案形成硅烷化多孔绝缘膜的顺序的过程截面图。在本实施方案中，以下列顺序形成了硅烷化多孔绝缘膜2(Mc。首先，将多孔绝缘膜材料20 旋涂在衬底200上，所述多孔绝缘膜材料20 为通 过将含有硅氧烷键(-Si-O-Si-)的材料如烷氧基硅烷等与具有高挥发性且可用作中等尺 度的孔的模板的模板材料进行混合而得到的溶液(图1 (a))。所述衬底200可以由例如硅 衬底等制成。另外，可在所述衬底200上形成诸如晶体管的元件、半导体元件和布线结构等。随后，通过使用炉子进行烘烤处理(热处理)来挥发模板材料。结果，挥发了所述 模板材料的部分变成孔，且将硅氧烷聚合物用作基本结构，从而使得在衬底200上形成了 具有多个孔的多孔绝缘膜204b (图1(b))。例如，所述多孔绝缘膜204b可包含多孔二氧化 硅、多孔甲基-硅倍半氧烷(MSQ)、多孔SiOCH等。在本实施方案中，作为烷氧基硅烷，可使用例如四乙氧基硅烷(TEOS)。另外，例如， 可将作为一类表面活性剂的三嵌段共聚物用作模板材料。使用这种材料，所述三嵌段共聚 物在水溶液中形成胶束，且TEOS的低聚物排列在其周围。在将这种溶液旋涂至衬底200上 的情况中，所述胶束周期性地或随机地排列在所述衬底200上。结果，在烘烤处理之后，孔 周期性地或随机地排列在形成的多孔绝缘膜204b中。如果存在具有Si-CH3键的添加剂， 则孔的排列变为随机性的，否则变为周期性的。在本文中，由于这种状态的多孔绝缘膜204b因其中提供了孔而具有巨大的表面 积，所以所述多孔绝缘膜204b易于吸收水。由于水具有大的相对介电常数80，所以当多 孔绝缘膜204b吸收水时，所述多孔绝缘膜204b的相对介电常数增大。另外，还存在这 样的问题形成多孔绝缘膜204b的-Si-O-Si-键可能与H2O反应从而使得所述键断裂。 当-Si-O-Si-键断裂时，形成Si-OH键使得多孔绝缘膜204b的弹性模量下降。另外，由于所 述多孔绝缘膜204b具有孔，所以与没有孔的薄膜相比，其具有更低的机械强度。在这点上， 在本实施方案中，使用硅烷化材料进行硅氧烷处理，从而赋予所述多孔绝缘膜204b疏水性 能并同时对其进行强化而提高特性。在本实施方案中，将通过蒸发硅烷化材料而得到的硅烷化材料蒸汽210(硅烷化 气体)施用到多孔绝缘膜204b上，所述硅烷化材料包含具有疏水基团的有机硅烷化合物和 用于抑制所述有机硅烷化合物自聚的阻聚剂。本发明人已经发现了如下问题在对多孔绝缘膜赋予疏水性能时使用有机硅烷化 合物的情况中，如果不对阻聚剂的添加量进行适当地控制，则不能有效地进行硅烷化处理， 且难以获得多孔绝缘膜的性能提高的效果。在本实施方案的硅烷化材料中，可以将阻聚剂相对于有机硅烷化合物的浓度设定 为等于或大于IOOppm(重量)。通过将阻聚剂浓度的下限设定为这种水平，可以抑制有机硅 烷化合物的自聚并使所述硅烷化材料在充分的时间内稳定，从而可以在工业上施加硅烷化处理。优选的是，阻聚剂的浓度高，从而可以使有机硅烷化合物在高温下长时间稳定。然 而，根据本发明人的研究发现，如果在添加阻聚剂以稳定硅烷化材料的情况中阻聚剂相对 于有机硅烷化合物的浓度过高，则即使进行了硅烷化处理，二氧化硅基多孔绝缘膜的疏水 性或提高机械强度的效果仍会下降。据认为，如果阻聚剂的浓度太高，则大量的阻聚剂停留在多孔绝缘膜的孔部分中，从而使得有机硅烷化合物与多孔绝缘膜之间的反应受到抑制， 且不会充分地进行硅烷化处理。在本实施方案的硅烷化材料中，可将阻聚剂相对于有机硅 烷化合物的浓度设定为低于500ppm。通过以这种方式来设定阻聚剂浓度的上限，可以通过 硅烷化处理而充分获得提高二氧化硅基多孔绝缘膜的疏水性或机械强度的效果。如果将阻聚剂相对于有机硅烷化合物的浓度设定为上述范围，则可以稳定所述硅 烷化材料充分的时间以施加工业上的硅烷化处理并同时通过所述硅烷化处理而获得提高 二氧化硅基多孔绝缘膜的疏水性或机械强度的效果。作为阻聚剂，例如可以使用苯酚、氢醌或它们的混合物中的一种。在专利文献1中 描述了这种阻聚剂的细节，且可以使用在专利文献1中公开的自由基阻聚剂等。具有疏水基团的有机硅烷化合物可以至少在Si-O基础结构中包含Si-H基团和疏 水基团。本文中，疏水基团可充当硅烷化之后为材料提供疏水性的官能团如烷基、烯丙基、 炔基、芳基、烯基等。作为具有疏水基团的有机硅烷化合物，例如可以使用1，3，5，7_四甲基 环硅氧烷(TMCTS)等。将衬底200和多孔绝缘膜204b配置在退火炉中，并通过使用汽化器对作为载气的 惰性气体如氮气、氦气等进行蒸发而将上述硅烷化材料引入至退火炉中。此处，可将所述退 火炉的温度设定为等于或高于200°C并等于或低于500°C，例如约350°C。作为总压力，可 以将气体压力设定为等于或高于约IkPa并等于或低于约50kPa，更优选地，等于或高于约 4kPa并等于或低于约30kPa。因此，可使得混合气体中包含的硅烷化气体易于被吸收在多 孔绝缘膜204b的表面上和孔的表面上。可将处理时间设定为例如约120分钟。通过上述处理，由硅烷化材料及其聚合反应物来覆盖多孔绝缘膜204b的孔内壁 表面上的精细二氧化硅基础结构中的缺陷，同时，因由硅烷化材料引入的有机官能团而提 供了疏水性，从而提供了具有疏水性能且被强化的硅烷化多孔绝缘膜2(Mc(图1(c))。另 外，存在这样一种效果，通过使用含有硅烷化气体和惰性气体的混合气体来进行硅烷化，可 使得多孔绝缘膜204b的表面以及内部细孔的表面具有疏水性或赋予其疏水性能。接下来，将对本实施方案的优点进行说明。通过在硅烷化处理期间向硅烷化材料中的有机硅烷化合物中添加阻聚剂，可以抑 制所述有机硅烷化合物的自聚并使所述硅烷化材料在充分的时间内稳定，从而在工业上施 加硅烷化处理。因此，可适当对具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜进行硅烷化处理。此外，通过在硅烷化处理期间对阻聚剂相对于硅烷化材料中的有机硅烷化合物的 浓度适当进行控制，可以获得下列效果。图4显示了在硅烷化处理期间阻聚剂相对于硅烷化材料中的有机硅烷化合物的 浓度发生变化的情况中以及在不进行硅烷化处理的情况中，多孔绝缘膜特性的测量结果的 图。在下列条件下形成了多孔绝缘膜，并测量了特性。(a)通过在硅烷化处理期间将阻聚剂相对于硅烷化材料中的有机硅烷化合物的浓 度设定为200ppm(重量)来进行硅烷化处理。(b)通过在硅烷化处理期间将阻聚剂相对于硅烷化材料中的有机硅烷化合物的浓 度设定为500ppm(重量)来进行硅烷化处理。(c)不进行硅烷化处理。
可以在进行了条件(a)和(b)的硅烷化处理的多孔绝缘膜中保持低相对介电常 数。同时，未进行硅烷化处理的条件(c)的多孔绝缘膜具有更高的相对介电常数。据认为 这是因为吸收了水分。在即使当进行硅烷化处理时阻聚剂的浓度与条件(b)中一样高的情 况中，杨氏模量为5. 5GPa，与条件(a)的7. 相比，这表现了更低的机械强度。据认为， 如果阻聚剂的浓度过高，则大量的阻聚剂存在于多孔绝缘膜的孔部分中，并且使得有机硅 烷化合物与多孔绝缘膜之间的反应受到抑制，从而不会充分地进行硅烷化处理。另外，即使在硅烷化处理期间将阻聚剂相对于硅烷化材料中的有机硅烷化合物的 浓度设定为300ppm(重量)、400ppm(重量)和450ppm(重量)的情况中，仍可以获得与条 件(a)相同的结果。在硅烷化处理期间不向硅烷化材料中的有机硅烷化合物中添加阻聚剂 的情况中，由于在为了通过与载气混合来进行蒸发而将温度保持在150°C下的汽化器中发 生自聚，从而不可能进行硅烷化处理。此外，在硅烷化处理期间将阻聚剂相对于硅烷化材料 中的有机硅烷化合物的浓度设定为约50ppm(重量)的情况中，不可能适当地进行硅烷化处 理，因为为了通过与载气混合来进行蒸发而将温度保持在150°C下的汽化器会因自聚而变 得堵塞一个月。如上所述，根据本实施方案的硅烷化多孔绝缘膜2(Mc的制造方法，可以提高多孔 绝缘膜的机械特性如弹性模量、硬度和韧度并同时提高疏水性而防止吸收水分且保持低的 相对介电常数。因此，在半导体装置如半导体集成电路的制造期间，可以获得期望的集成电 路特性，且在半导体装置的制造过程期间，可以防止多孔绝缘膜的剥落或损坏。实施方案2图2为显示根据本实施方案制造半导体装置的顺序的过程截面图。半导体装置100包含衬底102和在所述衬底102上依次形成的绝缘膜104、腐蚀阻 止膜106、多孔层间绝缘膜108a和覆盖膜110。例如，所述衬底102可以为半导体衬底如硅 衬底。尽管未在本文中示出，但是在所述衬底102上形成了元件如晶体管。例如，所述绝缘 膜104可由二氧化硅膜等制成。尽管在本文中将绝缘膜104显示为单层，但是所述绝缘膜 104可以具有多个绝缘膜的堆叠结构。可以以与实施方案1中所述的多孔绝缘膜204b相同的顺序来制造多孔层间绝缘 膜10&i。在本实施方案中，在该步骤中不进行硅烷化处理。所述腐蚀阻止膜106可以为通过例如等离子体CVD法形成的SiCN膜。所述覆盖 膜110可以为通过例如类似于腐蚀阻止膜106的等离子体CVD法形成的SiCN膜。在这种堆叠结构上，使用光刻技术形成了具有用于形成布线槽的开口 11 的抗 蚀膜112 (掩膜)(图2 (b))。随后，通过使用所述抗蚀膜112作为掩模对所述抗蚀膜112下 的覆盖膜110、多孔层间绝缘膜108a以及腐蚀阻止膜106进行干法腐蚀，从而在这种绝缘膜 中形成布线槽115(凹部)(图2(c))。此处，可使用含有氟碳气体如C4F8等、惰性气体如氩 气等和氧化性气体如氧气等的混合气体的等离子体114来进行干法腐蚀。然后，通过剥离将抗蚀膜112除去(图2(d))。通过首先在约350°C的高温下使用 含氦气和氢气的混合气体的等离子体进行处理，然后使用含有氟化铵的羧酸盐水溶液进行 清洁处理，可以将所述抗蚀膜112剥离或除去。随后，通过施用硅烷化材料116的蒸汽(硅烷化气体)来进行硅烷化处理。还可以 通过与实施方案1的硅烷化处理相同的顺序来进行本实施方案。另外，与实施方案1类似，在本实施方案中，可以对在硅烷化处理期间阻聚剂相对于硅烷化材料中的有机硅烷化合物 的浓度进行适当控制。此处，可将处理时间设定为例如约30分钟。结果，利用硅烷化材料 及其聚合反应物覆盖了多孔层间绝缘膜108的孔内壁表面上的精细二氧化硅结构中的缺 陷，同时，因由硅烷化材料引入的有机官能团而提供了疏水性，从而提供了具有疏水性能并 被强化的硅烷化多孔层间绝缘膜108b(图3(a))然后，在衬底102的整个表面上形成导电膜，并通过所述导电膜来掩埋布线槽 115。此处，所述导电膜可以由阻挡金属膜118和布线金属膜120制成。首先，通过溅射法 (PVD法)形成阻挡金属膜118并形成了充当电解电镀用电极的铜晶种层。然后，通过电解 电镀来形成布线金属膜120以掩埋所述布线槽115(图3(b))。所述布线金属膜120可以由 含铜作为主要成分的材料制成。随后，通过化学机械研磨(CMP)法将暴露在布线槽115外部的阻挡金属膜118和 布线金属膜120除去以形成布线122(图3(c))。然后，在覆盖膜110上依次堆叠阻挡绝缘 膜IM和绝缘膜126。可将所述阻挡绝缘膜IM用作具有防止铜扩散功能的绝缘膜且所述 阻挡绝缘膜1 可由例如氮化硅、硝基碳化硅、硝基碳化硼或氮化硼等形成。通过重复上述 处理，可获得多层布线结构。然后，将对通过根据本实施方案制造半导体装置的顺序制造的半导体装置100的 优点进行说明。在本实施方案中，可获得与实施方案1相同的那些优点。另外，根据本实施方案通过在硅烷化处理期间对阻聚剂相对于硅烷化材料中的有 机硅烷化合物的浓度进行适当控制，可以获得下列优点。图5为显示在硅烷化处理期间阻聚剂相对于硅烷化材料中的有机硅烷化合物的 浓度发生变化的情况中以及在不进行硅烷化处理的情况中，通过切断半导体装置来使用透 射电子显微镜进行观察的结果的图。使用下列条件形成所述半导体装置，并测量了特性。(a)通过在硅烷化处理期间将阻聚剂相对于硅烷化材料中的有机硅烷化合物的浓 度设定为200ppm(重量)来进行硅烷化处理。(b)通过在硅烷化处理期间将阻聚剂相对于硅烷化材料中的有机硅烷化合物的浓 度设定为500ppm(重量)来进行硅烷化处理。(c)不进行硅烷化处理。图5(a)为显示在上述条件(a)下制造的半导体装置的结果的图。图5 (b)为显示 在上述条件(b)下制造的半导体装置的结果的图。图5(c)为显示在上述条件(c)下制造 的半导体装置的结果的图。在未进行硅烷化处理的图5(c)中，形成了空隙，从而使得多孔层间绝缘膜溶解， 如同图中的虚线所示。据认为多孔层间绝缘膜发生溶解是因为在图2(c)中所述的干法腐 蚀过程期间在所述多孔层间绝缘膜中吸收的氟成分与在随后过程中的水分发生反应而形 成了高度酸性的氢氟酸。在条件(b)中阻聚剂的浓度高的图5(b)中，观察到形成了如同在图中由虚线所包 围的空隙，然而所述空隙比图5(c)中的小。据认为，如果阻聚剂的浓度过高，则大量的阻聚 剂存在于多孔层间绝缘膜108a的孔部分中，且有机硅烷化合物与多孔层间绝缘膜108a之间的反应受到抑制，从而使得不能充分地进行硅烷化处理。为此，认为如条件(C)中那样形 成了氢氟酸，且多孔层间绝缘膜发生溶解。同时，在进行硅烷化处理并同时将阻聚剂的浓度适当地控制为低于500ppm的情 况(a)中，如图5(a)中所示，未观察到这种空隙的形成。认为未形成氢氟酸且未形成空 隙，因为通过控制阻聚剂的浓度而充分地对多孔层间绝缘膜108a赋予了疏水性能。另外， 即使在硅烷化处理期间将阻聚剂相对于硅烷化材料中的有机硅烷化合物的浓度设定为 300ppm (重量)、400ppm (重量)和450ppm (重量)的情况中，仍可获得与条件(a)相同的结果。在制造半导体装置100的过程中，例如当在形成多孔层间绝缘膜108a之后通过干 法腐蚀形成布线槽115时，所述多孔层间绝缘膜108a易于吸收水分。另外，当在所述布线 槽115中形成阻挡金属膜118和布线金属膜120时或者在CMP期间，可以通过表面上的膜 将各种气体引入至所述多孔层间绝缘膜108a中。在本实施方案中，在通过干法腐蚀在多孔 层间绝缘膜108a上形成布线槽115之后立即进行硅烷化处理，可形成硅烷化多孔层间绝缘 膜108b。因此，在随后的处理中，可以防止在所述硅烷化多孔层间绝缘膜108b中吸收水分 或引入气体。尽管已参考附图对本发明的实施方案进行了说明，但是旨在将这些实施方案作为 例子来提供，并且可以采用各种其它构成。本申请要求在2008年5月四日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2008-141485的优先权，通过参考将其全部内容引入至本文中。
权利要求
1.一种制造硅烷化多孔绝缘膜的方法，所述方法包括形成具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜；以及向所述二氧化硅基多孔绝缘膜上施用通过蒸发硅烷化材料而得到的硅烷化气体，所述 硅烷化材料包含具有疏水基团的有机硅烷化合物和用于抑制所述有机硅烷化合物自聚的 阻聚剂。
2.如权利要求1所述的方法，其中在所述硅烷化材料中，所述阻聚剂相对于所述有机 硅烷化合物的浓度低于500ppm。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述有机硅烷化合物包含1，3，5，7-四甲基环硅氧烷 (TMCTS)。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅基多孔绝缘膜由具有Si-O-Si键的材 料制成。
5.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括在衬底上形成具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜；以及向所述二氧化硅基多孔绝缘膜施用通过蒸发硅烷化材料而得到的硅烷化气体，所述硅 烷化材料包含具有疏水基团的有机硅烷化合物和用于抑制所述有机硅烷化合物自聚的阻 聚剂。
6.如权利要求5所述的方法，其中在所述硅烷化材料中，所述阻聚剂相对于所述有机 硅烷化合物的浓度低于500ppm。
7.如权利要求5所述的方法，其中所述有机硅烷化合物包含1，3，5，7-四甲基环硅氧烷 (TMCTS)。
8.如权利要求5所述的方法，其中所述二氧化硅基多孔绝缘膜由具有Si-O-Si键的材 料制成。
9.如权利要求5所述的方法，还包括在所述形成二氧化硅基多孔绝缘膜之后且在所 述施用硅烷化气体之前，在所述二氧化硅基多孔绝缘膜上形成掩膜，并使用所述掩膜通过 干法腐蚀在所述二氧化硅基多孔绝缘膜中形成凹部。
10.如权利要求9所述的方法，还包括在所述施用硅烷化气体之后，在所述衬底的整个表面上形成导电膜以用所述导电膜掩埋所述凹部；以及使用化学机械研磨法除去从所述凹部中露出的所述导电膜。
11.一种硅烷化材料，所述硅烷化材料以汽化状态施用到具有多个孔的二氧化硅基多 孔绝缘膜上，以使所述二氧化硅基多孔绝缘膜具有疏水性能，并对所述二氧化硅基多孔绝 缘膜进行强化，所述硅烷化材料包含具有疏水基团的有机硅烷化合物；和用于抑制所述有机硅烷化合物自聚的阻聚剂。
12.如权利要求11所述的硅烷化材料，其中在所述硅烷化材料中，所述阻聚剂相对于 所述有机硅烷化合物的浓度低于500ppm。
13.如权利要求11所述的硅烷化材料，其中所述有机硅烷化合物包含1，3，5，7-四甲基 环硅氧烷(TMCTS)。
全文摘要
本发明提供一种对具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜进行有效的硅烷化处理的方法。本发明还提供制造硅烷化多孔绝缘膜(204c)的方法，所述方法包括形成具有多个孔的多孔绝缘膜(204b)的步骤和使通过蒸发硅烷化材料而得到的硅烷化材料蒸汽(210)作用于所述多孔绝缘膜(204b)的步骤，所述硅烷化材料包含具有疏水基团的有机硅烷化合物和用于抑制所述有机硅烷化合物自聚的阻聚剂。
文档编号H01L21/3065GK102047395SQ200980119778
公开日2011年5月4日 申请日期2009年5月26日 优先权日2008年5月29日
发明者中山高博, 木下启藏, 邻真一 申请人:株式会社爱发科, 瑞萨电子株式会社