技术编号:7207867
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及可很好地用于发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、电子器件等中的 III族氮化物半导体发光元件的制造方法、III族氮化物半导体发光元件以及灯。本申请基于在2008年6月4日在日本申请的专利申请2008-147275号要求优先 权,将该申请的内容援引到本申请中。背景技术III族氮化物半导体具有相当于从可见光到紫外光区域的范围的能量的直接迁移 型的带隙,发光效率优异,因此已被制品化来制成为发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等 的半导体发光元...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。