技术编号：7207882
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体器件领域，尤其涉及辐射探测器。 发明内容在一个实施例中，一种形成钝化层的方法包括将宽带隙半导体材料的至少一个表 面与包括碱性次氯酸盐(hypochloride)的钝化剂接触以在所述至少一个表面上形成钝化层。在另一实施例中，一种钝化单片、多通道半导体辐射探测器的方法包括(a)提供碲 化镉或碲化镉锌基板，该基板在其第一表面上具有分段阳极电极阵列并且在其第二表面上 具有阴极电极，以及(b)通过将基板的第一表面与包括次氯化钠的溶液接触至少在阳...
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