钝化和密封CdTe和CZT分段探测器的方法

专利名称：钝化和密封CdTe和CZT分段探测器的方法
技术领域：
本发明总体上涉及半导体器件领域，尤其涉及辐射探测器。

发明内容
在一个实施例中，一种形成钝化层的方法包括将宽带隙半导体材料的至少一个表 面与包括碱性次氯酸盐(hypochloride)的钝化剂接触以在所述至少一个表面上形成钝化层。在另一实施例中，一种钝化单片、多通道半导体辐射探测器的方法包括(a)提供碲 化镉或碲化镉锌基板，该基板在其第一表面上具有分段阳极电极阵列并且在其第二表面上 具有阴极电极，以及(b)通过将基板的第一表面与包括次氯化钠的溶液接触至少在阳极电 极阵列的各阳极电极之间形成钝化层。在另一实施例中，一种辐射探测器包括(a)具有相对的前表面和后表面的半导体 基板，(b)位于半导体基板的前表面上的阴极电极，(c)位于半导体基板的后表面上的多个 阳极电极，(d)位于该多个阳极电极之间的基板上的包括碲化镉的氧化物或碲化镉锌的氧 化物的钝化层，和(e)设置在钝化层上的密封材料层，其中该密封材料层包括延伸到阳极电 极的多个开口。


图1是具有阳极电极像素的CZT基板的透视图。图2A-I是在探测器上形成接触的过程中的各阶段制作探测器的方法的示意截面 图。图3A-C是制作具有外壳的探测器的方法的示意截面图。图4A-C是在半导体基板上的多个位置处具有钝化层的辐射探测器的截面图。图5A-5F是具有至少一层密封材料的辐射探测器的截面图。
具体实施例方式在本文中使用以下定义
阴极电极在探测器基板的一个主表面上的电极，在此入射伽玛(Y )射线或X射线进 入探测器，即定位朝向辐射源。阳极电极位于基板的后表面上的分段电极接触，即定位远离辐射源。像素间或像素间的分离像素电极的区域或间隙。对于具有未像素化的分立接触 段的电极配置，该术语等效地应用于接触段之间的间隙。
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辐射探测器设计
辐射探测器可以以多种方式来配置。常见配置包括位于半导体板或基板的相对侧上的 阴极电极和多个阳极电极。一般，这些单片多通道辐射探测器具有通过多个沉积和光刻工 艺制造在常见半导体基板上的像素化阳极电极阵列，在像素之间产生间隙，称为像素间间 隙或像素间区域。每个阳极电极像素形成多个探测器通道之一。在优选实施例中，辐射探测器包括半导体材料，例如优选地包括碲化镉锌(CdZnTe 或CZT)或CdTe的半导体材料。然而可以使用其它类型的半导体材料，例如碘化铅、溴化铊、 砷化镓或硅。更优选的是Cd(1_x) Znx Te (其中χ小于或等于0. 5)，具有独特电子特性的宽带隙 三元II-VI化合物半导体。这种类型的半导体在用作分光计的Y射线和X射线探测器中 是有用的，所述分光计工作在室温下，用于辐射探测、分光镜检查和医学成像应用。图1中示出的是形成在诸如CZT基板(也称为“瓦片(tile)”)的半导体基板304 上的像素化阳极电极302的实例。阴极电极形成在基板304的底面上。图2A-I示出(并没有打算限制本实施例)在半导体基板上在用于限定辐射探测器 单元的位置(像素)处形成三层金属接触的方法中的各步骤的实例，所述辐射探测器单元在 探测器单元之间具有具有高电阻率的像素间间隙。在该实例中，假定半导体基板由碲化镉 锌(CdZnTe)或碲化镉(CdTe)制成，然而应当理解，可以使用其它半导体材料，例如碘化铅、 溴化铊、砷化镓或硅。而且，还假定用于金属化层和接触的金属是金，然而应当理解，可以使 用其它金属、合金或其它导电材料，例如钼或铟。由此，图2A-2I是在CdSiTe基板上形成金接触过程中的各阶段的探测器基板的一 侧的示意截面图。示出了在该过程的每个步骤的详细特征和结构，导致产生在CZT的后表 面上的阳极接触像素的阵列(在该图示中被绘制为面朝上)，和在CZT瓦片的前表面上的单 个阴极电极(在该图示中被绘制为面朝下)。在该实例中，两个附加接触层被添加到背面上 的像素化主接触层上，用于改善的器件组件。该过程可以应用于针对CZT器件的任何阵列 尺寸和像素配置。典型器件尺寸是20x20x5 mm探测器，根据应用而具有8x8个像素或Ilxll 个像素。作为接触制造的前体，CZT晶片被抛光和蚀刻以便制备高质量的清洁晶体表面用 于沉积工艺。参考图2A-I来描述直接光刻制造工艺，对于主接触是金的情况，采用两个附加接 触层，并且在图2A中示出在CZT瓦片或基板304的相对侧上同时形成阴极接触。在图2B所示的步骤1中，主金层200沉积在CZT瓦片304上。金层200可以通过 无电沉积(electroless exposition)来被沉积。或者，金层200可以通过其它已知的技术， 例如溅射，来被沉积。CZT瓦片首先在溴-甲醇溶液中被蚀刻，之后进行甲醇漂洗，这是众所 周知的。清洁的CZT瓦片304被浸入无电金溶液中几分钟来沉积金层200，然后除去瓦片并 且用甲醇漂洗该瓦片。沉积的典型厚度等于或大于lOOnm。沉积的金可以在90摄氏度被退 火15分钟以提高与基板的粘附力。可以在使用kotch胶带(透明胶带)的几个小时之后进 行粘附力测试以确定粘附的质量。在图2C所示的可选步骤2中，两个附加接触层被沉积在瓦片的背面(将被像素化 的阳极侧)上，位于背面上的主接触层200之上。在该实例中，使用溅射或热蒸发工艺来沉 积Ni层312至< IOOnm的厚度并且该厚度标称是50nm。然后，使用溅射、热蒸发和/或无电镀工艺(electroless process)来沉积另一金层310至< 50nm的厚度并且该厚度标称 是20nm。可替换的导电接触材料可以替代两个附加接触层之一或者两个附加接触层都被替 代。在如图2D所示的步骤3中，在(多个)接触层上施加光致抗蚀剂202。瓦片304被 浸入抗蚀剂中，例如Siipley 1805抗蚀剂。如果需要的话，使用棉签从边缘去除多余的抗 蚀剂，确保抗蚀剂不形成任何边缘珠粒(尤其是在像素化面上)，因为这对于像素质量是不 利的。通常，最少可能量的抗蚀剂应留在像素化面上。抗蚀剂应被干燥10分钟且像素化面 保持向上和水平。在步骤4中通过在90°C烘焙10分钟来使抗蚀剂涂层硬化。进行该步骤来将多余 的溶剂驱出抗蚀剂。现在制备瓦片用于光刻曝光。在步骤5中，如图2E所示，通过光刻在瓦片304的背面上形成像素图案。在CZT 瓦片表面上方对准UV掩模204，并且将正抗蚀剂暴露于UV。直接光刻掩模遮蔽所选像素图 案中的抗蚀剂的区域并且将像素间间隙暴露于UV辐射。示出接触掩模，但是其它方法也将 很好地起作用，例如接近式和投影式掩模。将玻璃板放置在顶部上，确保玻璃板是水平的。 这保证了瓦片和掩模之间的均勻接触。对于示例性抗蚀剂，利用UV灯(365nm波长)曝光几 分钟是合适的。如果需要，可以使用负抗蚀剂来代替正抗蚀剂(在该情况下，曝光掩模的透 明和不透明区域被颠倒)。在图2F所示的步骤6中，显影被曝光的光致抗蚀剂。抗蚀剂显影机(例如 Microposit显影机，MF-319)应当覆盖(多个)瓦片。这些瓦片被放置在显影机中且像素化 侧面朝上，显影2分钟，从显影机除去该(多个)瓦片，并且在去离子水中漂洗所述瓦片。在 准备形成像素间间隙的过程中除去被UV曝光的抗蚀剂。在步骤7中，在90°C将剩余的抗蚀剂像素图案314烘焙20分钟。进行该步骤来进 一步硬化抗蚀剂。在图2G所示的步骤8中，蚀刻(未被像素抗蚀剂图案314覆盖的)被曝光的接触区 域316。对于实例接触材料，下面的蚀刻溶液适合于蚀刻穿过仅主接触层或可选的三层接 触。通过将25ml的乙二醇倒入塑料烧杯中，然后使用一次性使用吸管加入0. 5ml溴来制备 2% Br-乙二醇(Br-Ethanol Glycol, BrEG)溶液。使用同一吸管，充分混合该溶液直到它 变均勻为止。然而，还可以使用不同的吸管或混合装置。进行约3分钟的蚀刻。进行该蚀 刻来除去未被掩蔽的像素间接触材料。为了打开像素间间隙以获得清洁的像素间间隙，执 行有效喷洒搅动。可以使用一次性使用吸管来产生Br-EG恒定流以进行搅动而用于更好的 蚀刻。然而，还可以使用不同的吸管或搅动或混合装置。喷洒蚀刻技术应当快速从像素间 间隙除去接触材料碎片，导致产生高像素间电阻。这些瓦片被从蚀刻剂除去并在去离子水 中被漂洗。在图2H所示的步骤9中，使用丙酮溶剂浸泡法(acetone bath)来剥离剩余的抗 蚀剂，导致产生具有接触的像素阵列的瓦片320。因此没有光致抗蚀剂留在CdTe或CdSiTe 探测器上，因为它通常是适时地吸收湿气并且使探测器性能恶化的吸湿材料。在整个基板表面上立刻沉积金属层、直接光刻和蚀刻工艺的全部组合导致改善的 器件像素间电阻和性能。在图21所示的步骤10中，通过侧面抛光除去制造的CZT器件322的各侧的主接触材料(在该实例中是金)。例如，首先以1200粒度抛光(多个)瓦片的侧面，然后以0.3微米 进行精细抛光。替换实施例会在步骤1中掩蔽CZT瓦片的各侧而不是在所有侧上沉积金。 为此，侧接触除去步骤10可以是可选的。所得到的制造的CZT器件具有留在正面上的阴极 电极200，由主接触层200形成的像素化阳极电极阵列，和辅助接触层312和310，它们被像 素间间隙316分开。为了说明的目的，图21示出与截面相同宽度的多层像素。图3A示出包含阳极电极像素400的完整器件。可选地，边缘涂层420被施加到 CZT瓦片的抛光的侧边缘，如图;3B所示。例如，CZT瓦片可以被浸入保护涂层(例如焊料掩 模、硅树脂或环氧树脂)中以覆盖暴露的各侧并且被干燥至少5个小时。阴极外壳(可诜的)
可选地，导电外壳可以通过下述被附着到探测器阴极(a)提供包括具有相对的前表 面和后表面的半导体基板、位于所述半导体基板的前表面上的阴极电极和在所述半导体基 板的后表面上的多个阳极电极的辐射探测器，(b)提供单独形成的导电外壳，和(C)将外壳 附着到阴极电极使得外壳和阴极电极电接触。外壳的非限制性实例在图3A-C中被描绘，示出在将外壳附着到探测器的各阶段 探测器的侧截面图。从图3A开始，示出辐射探测器及其基本元件，阴极电极200，半导体基 板304和阳极电极400。探测器可以包括或可以不包括保护环或屏蔽电极中的至少一个。 接着，诸如焊料掩模、硅树脂(Humiseal)或UV可固化环氧树脂的可选的电绝缘边缘涂层42 被施加到基板304的边缘，如图:3B所示。可替换地，一旦在该涂层上形成外壳，则该涂层可 以被除去，导致在所述外壳和探测器的一侧之间形成空气隙。如图3C所示，导电外壳被附着到阴极并且可选地被附着到探测器的各侧。在该图 示中，外壳425包括顶部部分440和可选的侧部430。探测器的各侧可以或可以不胶结到覆 盖探测器的各侧的边缘涂层420，取决于多种原因，例如如果有人希望稍后除去保护涂层。 在该实例中，外壳通过环氧树脂附着到阴极，然而本领域技术人员可以选择其它粘接剂。导电外壳425从背景电磁场(或磁场)屏蔽探测器。另外，器件电场使用该外壳被 聚集。该外壳还优选对X射线或Y射线辐射透明。另外，该外壳优选在周围的空气中展示 很少的氧化或者没有氧化，例如在探测器的正常工作状态下。同样，外壳最优选是薄结构并 包括对辐射透明、基本上不透背景电磁场的材料，并且在环境条件下展示出很少的氧化或 没有氧化。例如，该外壳的厚度可以在约50微米和100微米之间。在一些情况下，金属箔足 以用作外壳。基于上述参数，本领域技术人员可以从用于构造外壳的许多材料中进行选择。通 常，金属和金属合金是优选的。可以使用在空气中基本不氧化的任何适当的金属。适当的金 属合金的非限制性实例包括不锈钢、黄铜(例如涂有Ni/Ti的黄铜)、NiCo合金、NiFe合金、 Nii^eCo合金、Nii^eMo合金或Nii^CuMo合金。被称为“ μ金属”的一类金属合金是最优选 的。μ金属是一种NWe合金，在屏蔽静态磁场或低频磁场下尤其有效。在一些情况下，前 述合金可以被掺杂有其它合金元素，被机械地预先处理(例如冷加工、热加工等)，或被化学 地表面处理(例如表面涂覆以便抗腐蚀)，或其任何组合。在一些情况下，外壳425被定形以符合探测器的几何形状，更具体的说是符合阴 极的几何形状，该外壳被固定到该阴极。因此，在给定探测器的形状的情况下，本领域技术人员可以想到多种弯曲的或有角的外壳形状。在非限制性实例中，该外壳是矩形或圆形截 面(例如圆柱体)形状。当外壳被构造成在基板的至少一侧上方延伸(部分地或完全地)时，所述至少一侧 与所述外壳间隔开。该间隙是空的或者被填充有绝缘材料。外壳425被附着到阴极电极200使得在两者之间存在导电路径。在优选情况下， 外壳和阴极通过导电材料被附着。最优选地，使用导电聚合材料，例如施加到外壳的内面或 内表面的导电环氧树脂。在于2006年12月21日提交的序号为11/642，819的美国申请中描述了适合于本 发明的特定实施例的边缘涂层420，在此通过引用并入该申请的全部内容。半导体器件钝化
在成像应用(例如医学成像)中使用的半导体器件，例如分段辐射探测器，可以被表面 钝化，例如以改善器件可靠性。目前，由于几个原因，用于单通道辐射探测器的钝化和密封 方法对于供分段多通道单片辐射探测器使用来说是不实际的。例如，单通道密封过程可能 与分段探测器所需的基于光刻的化学制造工艺不兼容。而且，特定钝化或密封过程对于分 段探测器的大规模工业生产来说是不实际的。更进一步地，特定钝化技术可能仅应用于较 低电阻率或窄带隙半导体材料。为此，本实施例描述了在半导体器件上形成钝化层的方法。 这些方法对于供分段辐射探测器以及宽带隙半导体材料使用来说是实用的。特别地，在一 个方面中，本实施例描述了在CZT或CdTe多通道探测器的阳极像素之间形成钝化层的方 法。在一个实施例中，一种形成钝化层的方法包括将宽带隙半导体材料的至少一个表 面与包括碱性次氯酸盐的钝化剂接触以在所述材料的所述至少一个表面上形成钝化层。优 选地，该半导体材料被并入辐射探测器中。例如，半导体材料可以是具有相对的前表面和后 表面的半导体基板，其中阴极电极位于所述半导体基板的前表面上，并且分段阳极电极阵 列位于所述半导体基板的后表面上，由此形成探测器。例如，并且没有任何打算限制本实施 例，图1示出包括半导体材料(CdTe或CZT)的基板304，其被并入辐射探测器中。在本实施例的情况下，“钝化层”指的是形成在半导体材料的表面上的氧化物。作 为非限制性实例，形成在CdTe或CZT表面上的钝化层可以包括氧化碲。在特定情况下，半 导体材料的将被钝化的表面在接触钝化剂之前可能已经包含氧化层。例如，该氧化层可以 是自然氧化层或热氧化层。在一些情况下，根据本实施例形成的钝化层是通过将半导体材 料表面(氧化的和/或未氧化的)与钝化剂接触而得到的钝化层。钝化剂优选地包括碱性次氯酸盐，该碱性次氯酸盐有助于在半导体材料的至少一 个表面上形成钝化层。例如，该碱性次氯酸盐包括碱金属，例如但不限于钠，和次氯酸盐。更 有选地，该碱性次氯酸盐与碲化镉或碲化镉锌反应以形成氧化物。根据半导体材料表面的 成分，可以形成一种或多种类型的氧化物，例如金属氧化物或II-VI半导体材料的氧化物。 在不希望被特定理论限制的情况下，认为钝化层包括氧化碲。然而，可能的是，钝化层可以 是CZT上的氧化镉、氧化锌和/或氧化碲的混合物，或者是CZT上的氧化碲、氧化镉和/或 碲化镉的混合物。特别地，一种好处是根据本实施例形成的钝化氧化物与利用其它技术形 成的氧化物相比通常随时间退化较少。钝化剂可以使用多种技术被施加到半导体材料或者与半导体材料接触。例如，钝化剂可以在水溶液或非水溶液中。半导体材料被部分地或全部浸入该溶液中达足以形成氧 化层的时间段。在一些情况下，施加钝化剂的步骤可以紧跟在例如蚀刻步骤的其它表面处 理步骤之后或在这些步骤之前。作为浸入的替换方式，钝化剂可以被喷洒或者被沉积在半 导体材料上。在非限制性实例中，与将半导体材料与钝化剂接触相关的步骤如下所述
(1)在干净的烧杯中准备NaOCl溶液，例如在去离子水中的1%_5%NaCIO，达5_15分
钟；
(2)轻轻地将在一个表面上包括像素化阳极的(多个)CZT瓦片浸入该溶液中，且阳极面 朝上；
(3)将(多个)瓦片保持在该溶液中至少5分钟，例如5-15分钟；
(4)使用轻搅动除去瓦片并且浸入去离子水中至少2分钟；
(5)通过吸湿性织物轻拍来干燥(多个)瓦片并利用空气吹干。形成阴极电极和(多个)钝化层的步骤可以以任一顺序执行。在一个实施例中，辐 射探测器的阳极电极和阴极电极都在形成钝化层之前形成。在另一个实施例中，钝化层在 形成辐射探测器的阴极电极之前、但是在形成阳极电极之后形成。在这些情况下，可能期望 避免在随后通过利用掩模覆盖阴极表面或者通过从阴极表面蚀刻钝化层而形成阴极的基 板的面上形成钝化层。钝化层可以形成在半导体材料的多个部分上，该半导体材料被并入辐射探测器器 件中。在一个实施例中，钝化层仅形成在像素间区域处。在另一个实施例中，钝化层仅形成 在半导体材料的侧壁上。在又一实施例中，钝化层既形成在像素间区域处也形成在侧壁上。 这些实施例在图4A-C中是示例性的，而并不打算限制其。如图4A所示，半导体基板304包 括阴极电极200、阳极电极400和形成在基板400侧壁上的钝化层500。图4B与图4A相同， 除了钝化层500形成在(阳极电极之间的)像素间区域402处而不是形成在半导体基板304 侧壁上之外。图4B所示的钝化层的厚度小于阳极电极400的高度。然而，在特定情况下， 钝化层500可以处于等于或高于阳极电极400的高度的高度处。图4C代表图4A和4B的 组合，其中探测器包括既在像素间区域402处又在半导体基板侧壁上的钝化层500。参考图3A-C，辐射探测器除了包括(多个)钝化层之外还可以可选地包括阴极外 壳，如所示。由此，不需要图3B中所示的边缘涂层420，如果钝化层500形成在基板侧壁上 的话。例如，(多个)钝化层在附着阴极外壳425之前可以形成在基板侧壁上和/或像素间 区域处。可替换地，在基板侧壁上的钝化层可以首先形成，其后是附着阴极外壳425，然后形 成像素间钝化层。作为另一替换方式，阴极外壳425可以完全形成在像素间钝化层之前。半导体器件密封
在一个实施例中，半导体器件包括至少一层密封材料。优选地，密封材料密封至少一个 钝化层以保护该钝化层。例如，密封材料层可以被施加到像素间区域处的钝化层上以保护 该钝化层。适当的密封材料的实例包括，但不限于，氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、聚合物的聚对 二甲苯族(parylene family)(例如聚二甲苯)和焊料掩模材料。一些焊料掩模材料可以选 自多种可光成像的(Photoimagable)聚合材料。最优选地，焊料掩模材料包括可UV固化的 环氧基焊料掩模。焊料掩模进一步在于2006年12月21日提交的序号为11/642，819的美
9国申请中被描述，在此通过引用并入该申请的全部内容。焊料掩模材料可以被施加作为单连续层、几个重叠或对接层、或它们的组合。施加 焊料掩模的优选方法是喷涂和浸涂。用于形成焊料掩模层的步骤的非限制性实例如下所述 (1)利用适当量的稀释剂准备环氧基焊料掩模材料。(2)通过喷涂、旋涂或浸涂方法将焊料掩模材料层施加到像素化探测器的阳极面 上。(3)在约70-100°C (例如80_90°C )下粘性干燥约15分钟或以上(例如约20_30分 钟)的持续时间。(4)使用光刻对像素间区域处的焊料掩模层进行UV固化，并使用诸如1-5%的 Na2CO3溶液的显影液对该层的其余部分进行显影。(5)在约120_150°C (例如在约135_140°C )下对像素间区域处的焊料掩模材料进 行固化达约0. 5-2小时(例如约1-1. 5小时)的持续时间。包括密封层的半导体器件在图5A-F中也是示例性的，其并不旨在以任何方式限 制本实施例。在图5A中，辐射探测器包括在阳极像素间区域402上和在半导体基板304侧 壁上的钝化层500。密封层600覆盖在阳极像素间区域402处的钝化层500并且层600覆 盖阳极400。可替换地，在图5B中，密封层600覆盖在像素间区域402处的钝化层500，并 且密封层600覆盖阳极400和基板304侧壁。在另一替换方式中(未示出)，密封层600还 可以覆盖在基板304侧壁上的钝化层500。在光刻和固化步骤之后，保留一部分密封层600，其在图5C-5F中被示为固化的密 封层620。如图5C和5E所示，固化的密封层620保护在像素间区域402处的钝化层500 (在图5E中基板304侧壁被暴露)。可替换地，如图5D所示，固化的密封层620保护在像素间区域402处的钝化层500 并且还覆盖基板304侧壁。作为图5F所示的另一替换方式，固化的密封层620保护在像素 间区域402处的钝化层500和在基板304侧壁上的钝化层500。这里描述的密封方法提供了多种附加的好处。例如，密封可以确保钝化器件的长 期可靠性。这对于诸如医学成像和国家安全的应用来说可能是关键的，其可能不会提供精 确度缺乏或精确度损失。另一好处是本实施例的钝化技术和密封技术与商业封装和本领域 中的普遍利用兼容。尽管前述涉及特定优选实施例，但是应当理解，本发明不限于此。对于本领域技术 人员来说可以对所公开的实施例进行多种修改并且这些修改都打算在本发明的范围内。所 引用的所有公开物、专利申请和专利的全部内容都通过引用被并入此处。
权利要求
1.一种形成钝化层的方法，包括将宽带隙半导体材料的至少一个表面与包括碱性次氯酸盐的钝化剂接触以在所述至 少一个表面上形成钝化层。
2.根据权利要求1的方法，其中半导体材料包括半导体基板。
3.根据权利要求2的方法，其中半导体基板包括多通道单片辐射探测器的基板； 半导体基板具有相对的前表面和后表面； 阴极电极位于所述半导体基板的前表面上；以及 分段阳极电极阵列位于所述半导体基板的后表面上。
4.根据权利要求4的方法，其中所述宽带隙半导体材料包括II-VI半导体材料。
5.根据权利要求4的方法，其中所述碱性次氯酸盐包括NaOCl。
6.根据权利要求5的方法，其中所述半导体材料包括碲化镉或碲化镉锌。
7.根据权利要求4的方法，其中所述钝化层包括II-VI半导体材料的氧化物。
8.根据权利要求3的方法，其中至少在分段阳极电极阵列的各阳极电极之间形成所 述钝化层。
9.根据权利要求3的方法，其中至少在基板的侧壁上形成所述钝化层。
10.根据权利要求1的方法，其中接触步骤包括将半导体材料浸入包括钝化剂的溶液中。
11.一种钝化单片多通道半导体辐射探测器的方法，包括提供碲化镉或碲化镉锌基板，该基板在其第一表面上具有分段阳极电极阵列并且在其 第二表面上具有阴极电极；以及通过将基板的第一表面与包括次氯化钠的溶液接触至少在阳极电极阵列的各阳极电 极之间形成钝化层。
12.根据权利要求11的方法，其中所述半导体基板包括碲化镉锌。
13.根据权利要求11的方法，其中接触步骤持续约5分钟到约60分钟。
14.根据权利要求11的方法，其中进一步在基板的侧壁上形成钝化层。
15.根据权利要求11的方法，其中在钝化层之前形成阴极电极。
16.根据权利要求11的方法，其中在钝化层之后形成阴极电极。
17.根据权利要求11的方法，其中在各阳极电极之间的钝化层的厚度小于或等于所 述阳极电极的高度。
18.根据权利要求11的方法，其中钝化层包括碲化镉的氧化物或碲化镉锌的氧化物。
19.根据权利要求11的方法，进一步包括干燥所述基板的所述第一表面。
20.一种根据权利要求1的方法形成的器件。
21.一种根据权利要求11的方法形成的器件。
22.—种辐射探测器，包括具有相对的前表面和后表面的半导体基板； 位于半导体基板的前表面上的阴极电极； 位于半导体基板的后表面上的多个阳极电极；位于该多个阳极电极之间的基板上的包括碲化镉的氧化物或碲化镉锌的氧化物的钝化层；以及设置在钝化层上的密封材料层，所述密封材料层包括延伸到所述多个阳极电极的多个开口。
23.根据权利要求22的辐射探测器，其中所述密封材料包括固化的可光成像的环氧 基焊料掩模、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝或聚二甲苯，所述半导体基板包括碲化镉或碲化镉锌。
全文摘要
一种形成钝化层的方法，包括将宽带隙半导体材料的至少一个表面与包括碱性次氯酸盐的钝化剂接触以在所述至少一个表面上形成钝化层。该钝化层可以利用密封材料层被密封。
文档编号H01L31/115GK102113136SQ200980130423
公开日2011年6月29日 申请日期2009年6月24日 优先权日2008年8月8日
发明者陈 H., 阿瓦达拉 S., 卢平和 申请人:雷德伦科技公司