一种mos器件的钝化层形成方法以及一种mos器件的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种MOS器件的钝化层形成方法以及一种MOS器件。所述MOS器件的钝化层形成方法包括：形成衬底；在衬底上形成介质；图案化介质以露出部分衬底；在露出的衬底部分和介质上形成金属；在金属上形成正硅酸乙酯TEOS；在TEOS上形成磷硅玻璃PSG；以及在PSG上形成氮氧化合物。利用本发明，可以改善钝化层开裂的问题。
【专利说明】一种MOS器件的钝化层形成方法以及一种MOS器件
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体器件制造领域，尤其涉及一种MOS器件的钝化层形成方法以及一种MOS器件。
【背景技术】
[0002]如图1所示，示出了现有技术的DMOS产品的结构。该DMOS产品包括衬底1、介质
2、金属3和钝化层4。其中该钝化层4为10000埃的氮化硅层。
[0003]通常，高压DMOS产品需要做HTRB测试(高温/反向高压可靠性测试)和HTGB测试(高温高压(栅极)可靠性测试)，因其应用不同，其要求也不同。一些低端产品只要求通过168小时的测试，而一些高端产品则需要通过1000小时的测试。在实际生产中发现，很多产品在500小时以上的考核中，由于在进行盐酸浸泡(即针孔实验)后，有大量的铝被侵蚀，钝化层4存在开裂现象，从而很容易发生漏电问题。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明需要提供一种新的钝化层形成方法和MOS器件，以改善钝化层开裂问题。
[0005]本发明提供了一种MOS器件的钝化层形成方法，所述方法包括:
形成衬底；
在衬底上形成介质；
图案化介质以露出部分衬底；
在露出的衬底部分和介质上形成金属；
在金属上形成正硅酸乙酯TEOS ；
在TEOS上形成磷硅玻璃PSG ；以及 在PSG上形成氮硅化合物。
[0006]优选地，在本发明的上述方法中，所述TEOS的厚度为9000埃-11000埃，所述PSG的厚度为2700埃-3300埃，所述氮硅化合物可为SiON，所述SiON的厚度为2700埃-3300埃，另外，所述氮硅化合物还可为SiN。
[0007]优选地，在本发明的上述方法中，所述TEOS的厚度为10000埃，所述PSG的厚度为3000埃，所述SiON的厚度为3000埃。
[0008]优选地，在本发明的上述方法中，以化学气相淀积方式形成TEOS、PSG、SiON或TE0S、PSG、SiN0
[0009]优选地，在本发明的上述方法中，所述MOS器件为CMOS器件或DMOS器件。
[0010]本发明还提供一种MOS器件，所述MOS器件包括衬底、形成在部分衬底上的介质、形成在介质和衬底上的金属以及形成在金属上的钝化层，其中所述钝化层包括:
形成在金属上的正硅酸乙酯TEOS ；
形成在TEOS上的磷硅玻璃PSG ；以及 形成在PSG上的氮硅化合物。
[0011]优选地，在本发明的上述MOS器件中，所述TEOS的厚度为9000埃-11000埃，所述PSG的厚度为2700埃-3300埃，所述氮硅化合物可为SiON，所述SiON的厚度为2700埃-3300埃，另外，所述氮硅化合物还可为SiN。
[0012]优选地，在本发明的上述MOS器件中，所述TEOS的厚度为10000埃，所述PSG的厚度为3000 ±矣，所述SiON的厚度为3000埃。
[0013]优选地，在本发明的上述MOS器件中，以化学气相淀积方式形成TE0S、PSG、Si0N或TE0S、PSG、SiN。
[0014]优选地，在本发明的上述MOS器件中，所述MOS器件为CMOS器件或DMOS器件。
[0015]利用本发明，由于底层的TEOS和PSG可以有效缓解顶层的应力，同时顶层氮氧化硅的应力比原来的氮化硅应力小，从而有效改善钝化层开裂问题。
[0016]利用本发明，可以有效降低产品报废率，提高生成效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1为根据现有技术的DMOS产品的结构示意图；
图2为根据本发明的示意性实施例的MOS器件的钝化层形成方法；以及 图3为根据本发明的示意性实施例的MOS器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面将结合附图详细描述本发明的优选实施例，在附图中相同的参考标号表示相同的元件。
[0019]图2为根据本发明的示意性实施例的MOS器件的钝化层形成方法。如图所示，该方法包括以下步骤:
S1:形成衬底。衬底可以例如为〈100晶向 >，电阻15?25欧姆的单晶硅。
[0020]S2:在衬底上形成介质。介质可以例如为氧化层，例如为氧化硅层。
[0021]S3:图案化介质以露出部分衬底。
[0022]S4:在露出的衬底部分和介质上形成金属。金属可以例如为铝。
[0023]S5:在金属上形成正硅酸乙酯TE0S。优选地，TEOS的厚度为9000埃-11000埃。更优选地，TEOS的厚度为10000埃。
[0024]S6:在TEOS上形成磷硅玻璃PSG。优选地，PSG的厚度为2700埃-3300埃。更优选地，PSG的厚度为3000埃。
[0025]S7:在PSG上形成氮硅化合物。优选地，SiON的厚度为3000埃。更优选地，SiON的厚度为3000埃。另外，SiON可用SiN替换。
[0026]优选地，以化学气相淀积方式形成TEOS、PSG、SiON。
[0027]优选地，上述MOS器件为CMOS器件或DMOS器件。
[0028]图3为根据本发明的示意性实施例的MOS器件的结构示意图。在形成钝化层过程的氮氧化合物可为SiON或SiN等，下面实施例中氮氧化合物仅以SiON为例，如图所示，MOS器件包括衬底1、形成在部分衬底上的介质2、形成在介质和衬底上的金属3以及形成在金属上的钝化层4’，其中所述钝化层4’包括: 形成在金属3上的正硅酸乙酯TEOS 41 ；
形成在TEOS 41上的磷硅玻璃PSG 42 ;以及 形成在PSG 42上的氮氧化硅SiON 43。
[0029]优选地，TEOS 41的厚度为9000埃-11000埃，PSG 42的厚度为2700埃-3300埃，SiON 43的厚度为2700埃-3300埃。
[0030]更优选地，TEOS 41的厚度为10000埃，PSG 42的厚度为3000埃，SiON 43的厚度为3000埃。
[0031]优选地，以化学气相淀积方式形成TEOS 41、PSG 42、SiON 43。
[0032]优选地，上述MOS器件可以为CMOS器件或DMOS器件。
[0033]鉴于这些教导，熟悉本领域的技术人员将容易想到本发明的其它实施例、组合和修改。因此，当结合上述说明和附图进行阅读时，本发明仅仅由权利要求限定。
【权利要求】
1.一种MOS器件的钝化层形成方法，其特征在于，所述方法包括: 形成衬底； 在衬底上形成介质； 图案化介质以露出部分衬底； 在露出的衬底部分和介质上形成金属； 在金属上形成正硅酸乙酯TEOS ； 在TEOS上形成磷硅玻璃PSG ；以及 在PSG上形成氮氧化合物。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述TEOS的厚度为9000埃-11000埃，所述PSG的厚度为2700埃-3300埃，所述氮硅化合物可为SiON，所述SiON的厚度为2700埃-3300埃，另外，所述氮硅化合物还可为SiN。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述TEOS的厚度为10000埃，所述PSG的厚度为3000 ±矣，所述SiON的厚度为3000埃。
4.如权利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，以化学气相淀积方式形成TE0S、PSG、SiON 或 TE0S、PSG、SiN。
5.如权利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，所述MOS器件为CMOS器件或DMOS器件。
6.一种MOS器件，其特征在于，所述MOS器件包括衬底、形成在部分衬底上的介质、形成在介质和衬底上的金属以及形成在金属上的钝化层，其中所述钝化层包括: 形成在金属上的正硅酸乙酯TEOS ； 形成在TEOS上的磷硅玻璃PSG ；以及 形成在PSG上的氮硅化合物。
7.如权利要求6所述的MOS器件，其特征在于，所述TEOS的厚度为9000埃-11000埃，所述PSG的厚度为2700埃-3300埃，所述氮硅化合物可为SiON，所述SiON的厚度为2700埃-3300埃，另外，所述氮硅化合物还可为SiN。
8.如权利要求7所述的MOS器件，其特征在于，所述TEOS的厚度为10000埃，所述PSG的厚度为3000埃，所述SiON的厚度为3000埃。
9.如权利要求6-8之一所述的MOS器件，其特征在于，以化学气相淀积方式形成TE0S、PSG、SiON 或 TEOS, PSG、SiN。
10.如权利要求6-8之一所述的MOS器件，其特征在于，所述MOS器件为CMOS器件或DMOS器件。
【文档编号】H01L27/092GK103578919SQ201210260811
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2012年7月26日 优先权日:2012年7月26日
【发明者】王者伟, 陈雪磊, 高留春, 刘斌斌, 赵宏星, 黄国民, 焦骥斌, 蒋龙 申请人:无锡华润上华科技有限公司