陶瓷电子元器件及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种在陶瓷坯体上焙烧导电性糊料而形成焙烧外部电极，进而在焙烧 外部电极的表面形成有镀敷外部电极的陶瓷电子元器件，更详细而言，本发明涉及在一种 在焙烧外部电极的外缘附近的陶瓷坯体的表面形成有因导电性糊料所包含的玻璃材料而 形成的玻璃层的陶瓷电子元器件。
[0002] 此外，本发明涉及一种陶瓷电子元器件的制造方法。
【背景技术】
[0003] 陶瓷电子元器件存在如下情况，S卩，在陶瓷坯体中焙烧导电性糊料而形成焙烧外 部电极，进而在焙烧外部电极的表面通过镀敷而形成镀敷外部电极。镀敷外部电极例如以 提高安装时的焊接性、或保护焙烧外部电极等为目的而形成。例如，在自焙烧外部电极侧起 第1层由Ni层构成且第2层由Sn层构成的镀敷外部电极中，第1层的镀Ni层保护焙烧外 部电极免受所谓焊接腐蚀的影响，第2层的镀Sn层有助于提高焊接性。
[0004] 此外，陶瓷电子元器件的镀敷步骤通常是通过电镀而进行，且所使用的镀敷液为 强酸性的情况较多。
[0005] 此种镀敷步骤在强酸性的镀敷液渗入陶瓷坯体与焙烧外部电极之间时，会腐蚀焙 烧外部电极的外缘正下方的陶瓷坯体。进而，在将产生了腐蚀的陶瓷电子元器件安装于电 子设备而使用的期间，若因某些原因导致水分附着于该腐蚀部分，则外部电极的金属会离 子化，沿电场方向产生迀移。
[0006] 该迀移可能会成为放电的路径，陶瓷电子元器件短路，进而导致破坏。
[0007] 此外，陶瓷电子元器件中，有时例如像热敏电阻那样，陶瓷坯体具有导电性。而且， 在对此种具有导电性的陶瓷坯体形成镀敷外部电极的情况下，存在镀敷膜不仅附着于焙烧 外部电极的表面，而且附着于原本不应附着的陶瓷坯体的表面的情况。而且，若外部电极间 因附着于陶瓷坯体的表面的镀敷膜而连接，则外部电极间可能会短路而导致不良。
[0008] 因此，现有的陶瓷电子元器件中，在镀敷步骤中，为了不在陶瓷元件的焙烧外部电 极的外缘正下方的部分产生由镀敷液导致的腐蚀，此外，为了即便陶瓷元件具有导电性，镀 敷膜也不附着于陶瓷元件的表面，而想出了各种办法。
[0009] 例如，专利文献1 (日本专利特开平5-251210号公报）中记载的陶瓷电子元器件 (导电性芯片型陶瓷元件）300是利用如下方法制造。
[0010] 首先，如图7(A)所示，准备未烧成的陶瓷坯体101。
[0011] 其次，如图7(B)所示，对未烧成的陶瓷坯体101进行烧成而获得烧成过的陶瓷坯 体 102〇
[0012] 其次，如图7(C)所示，在烧成过的陶瓷坯体102的整个表面，通过真空蒸镀法、溅 镀法、离子镀着法那样的物理蒸镀法（PVD法）或化学蒸镀法（CVD法）形成厚度0. 1~2μπι 的由SiOj莫、SiO2与Α1 203等氧化物的薄膜、以SiO2等氧化物为主要成分的玻璃薄膜构成 的绝缘性的无机物层103。该无机物层103必须具有比形成后述焙烧电极时的烧成温度要 高的熔点或软化点。
[0013] 其次，如图7(D)所示，在于整个表面形成有无机物层103的陶瓷坯体102的两端 部表面，通过浸渍法等涂布包含Ag、Au等金属粉末及无机结合材料的导电性糊料104。作 为无机结合材料的例，可列举以3102等氧化物为主要成分的硼硅酸类玻璃、硼酸锌类玻璃、 硼酸镉类玻璃、硅酸铅锌类玻璃等的玻璃微粒子。所涂布的导电性糊料104中均匀地分散 有无机结合材料。
[0014] 其次，如图7(E)所示，焙烧涂布在陶瓷坯体102的两端部表面的导电性糊料104， 形成焙烧外部电极（焙烧电极层）105。此时，导电性糊料104中的无机结合材料与和导电 性糊料104接触的无机物层103反应而使无机物层103熔融。接着，熔融后的无机物层103 被并入导电性糊料104中。其结果，在陶瓷坯体102与焙烧外部电极105之间不存在无机 物层103。
[0015] 其次，如图7(F)所示，在焙烧外部电极105的表面形成镀Ni外部电极（镀Ni 层）106。
[0016] 最后，如图7(G)所示，在镀Ni外部电极106的表面形成镀Sn外部电极（镀Sn 层）107,从而完成现有的陶瓷电子元器件300。
[0017] 在形成镀Ni外部电极106时、及形成镀Sn外部电极107时，陶瓷坯体102的未形 成焙烧外部电极105的表面被无机物层103所保护，因此不会因镀敷液而在陶瓷坯体102 的位于焙烧外部电极105的外缘正下方的部分产生腐蚀，此外，镀敷膜不会附着于陶瓷坯 体102的表面。
[0018] 此外，专利文献2(日本专利特开平6-290989号公报）中所记载的陶瓷电子元器 件（芯片状电路元器件）400利用如下方法制造。
[0019] 首先，如图8(A)所示，准备芯片状的陶瓷坯体201。
[0020] 其次，如图8(B)所示，在该陶瓷坯体201的端面，例如利用浸渍法等方法涂布保护 层油墨（maskantink)等抗蚀剂202并使其硬化。
[0021] 其次，在该状态下，将陶瓷坯体201放入真空蒸镀装置，并如图8(C)所示，在其整 个面蒸镀保护膜材料，形成保护膜203。该保护膜203例如为包含非晶质的氧化铝、氧化硅 或氧化锆等无机物的非晶质薄膜。再者，除物理蒸镀法外，保护膜203也可通过喷雾热分解 法、化学气相沈积法（CVD)、溅镀法而形成。
[0022] 其次，如图8 (D)所示，去除陶瓷坯体201的两端的抗蚀剂202。由此，陶瓷坯体201 的端面的保护膜203也与抗蚀剂202 -并被去除，仅在陶瓷坯体201的两侧面及上下表面 剩余保护膜203。
[0023] 其次，如图8(E)所示，在形成有保护膜3的陶瓷坯体201的未设置保护膜203的 两端部，利用浸渍法等方法涂布Ag糊料等导电糊料，并对其进行焙烧而形成焙烧外部电极 (导体膜）204。
[0024] 其次，如图8(F)所示，在焙烧外部电极204的表面形成镀Ni外部电极（导体 膜）205。
[0025] 最后，如图8(G)所示，在镀Ni外部电极205的表面形成镀Sn外部电极（导体 膜）206,从而完成现有的陶瓷电子元器件400。再者，也可以焊料镀敷外部电极代替镀Sn 外部电极206。
[0026] 在形成镀Ni外部电极205时、及形成镀Sn外部电极206时，陶瓷坯体201的未形 成焙烧外部电极205的表面被无机物层203所保护，因此不会因镀敷液而在陶瓷坯体201 的位于焙烧外部电极204的外缘正下方的部分产生腐蚀，此外，镀敷膜不会附着于陶瓷坯 体201的表面。
[0027] 现有技术文献
[0028] 专利文献
[0029] 专利文献1 :日本专利特开平5-251210号公报
[0030] 专利文献2 :日本专利特开平6-290989号公报
【发明内容】
[0031] [发明所要解决的问题]
[0032] 上述现有技术存在如下问题。
[0033] 首先，专利文献1(日本专利特开平5-251210号公报）中记载的方法需要如图 7(C)所示那样在烧成过的陶瓷坯体102的整个表面形成绝缘性的无机物层103的多余步 骤。该无机物层103的形成必须通过真空蒸镀法、溅镀法、离子镀着法那样的物理蒸镀法 (PVD法）或化学蒸镀法（CVD法）而进行，存在制造繁杂，且制造时间变长，成本变高的问 题。
[0034] 此外，在量产步骤中会同时制造大量产品，但在专利文献1所记载的方法中，在陶 瓷坯体102的整个表面形成有氧化物或玻璃的无机物层103,因此在将玻璃糊料104焙烧至 陶瓷坯体102而形成焙烧外部电极105时等，多个陶瓷坯体102可能会彼此贴附或陶瓷坯 体102与烧成治具贴附。S卩，良率可能会降低。
[0035] 进而，如图7 (E)所示，专利文献1所记载的方法在将玻璃糊料104焙烧至陶瓷坯 体102而形成焙烧外部电极105时，熔融后的无机物层103被玻璃糊料104的无机结合材 料所吸收，但此时无机结合材料的组成可能会发生变质，从而可能会与陶瓷坯体102过度 反应，或在所形成的焙烧外部电极105的表面形成有玻璃层。即，可能会因无机结合材料的 组成的变质而产生新的产品不良。
[0036] 另一方面，专利文献2 (日本专利特开平6-290989号公报）所记载的方法需要以 下步骤：如图8(B)所示那样利用浸渍法等方法涂布保护层油墨等抗蚀剂202的步骤、使所 涂布的抗蚀剂202硬化的步骤；如图8(C)所示般通过物理蒸镀法、喷雾热分解法、化学气相 沈积法（CVD)、溅镀法等而在陶瓷坯体201的整个表面形成保护膜203的步骤；如图8(D) 所示般去除陶瓷坯体201的两端的抗蚀剂202的步骤等；从而存在制造繁杂，且制造时间变 长，成本变高的问题。
[0037] [解决问题的技术手段]
[0038] 本发明是为了解决上述现有问题而完成，作为其方法，本发明的陶瓷电子元器件 具备：陶瓷坯体；焙烧外部电极，其通过在陶瓷坯体上焙烧包含导电性材料及玻璃材料的 导电性糊料而形成；及镀敷外部电极，其形成在焙烧外部电极的表面；且在焙烧外部电极 与陶瓷坯体的界面形成有因导电性糊料所包含的玻璃材料而形成的玻璃层，玻璃层自陶瓷 坯体与焙烧外部电极的界面延伸至未形成焙烧外部电极的陶瓷坯体的表面。
[0039] 此外，本发明的陶瓷电子元器件的制造方法包括以下步骤：烧成陶瓷坯体；在陶 瓷坯体上涂布包含导电性材料及玻璃材料的导电性糊料；焙烧所涂布的导电性糊料从而在 陶瓷坯体上形成焙烧外部电极，并且在焙烧外部电极与陶瓷坯体的界面、及自该界面延伸 至未形成焙烧外部电极的陶瓷坯体的表面形成因导电性糊料所包含的玻璃材料而形成的 玻璃层；及在焙烧外部电极的表面形成镀敷外部电极。
[