一种制作电子元器件的外电极的方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及一种制作电子元器件的外电极的方法。
【背景技术】
[0002]近年来，随着微电子电路表面贴装技术(SMT)的应用和不断完善，轻、薄、短、小成为衡量电子整机产品的重要标志，而要使电子设备小型化，首先要考虑电子元器件的小型化。电子元器件小型化后，产品对外电极的精度、外观要求也提出了新的高度。元器件尺寸小型化后，端电极尺寸、间距也越来越小，特别是滤波器、磁珠排、压敏排等多端子片式元器件，一个端头需上多个电极，如外电极精度、平直性达不到要求，电极流挂、扩散所形成的鱼肚、毛刺会导致片式元器件外观及电性不良。多端子片式元器件外电极通常是以塑胶滚轮挤压、涂布等物理方式在产品表面涂布电极浆料形成，因产品表面呈亲水性，而电极浆料也属亲水性半流体，使得电极浆料在产品表面易润湿、扩散、流挂，固化成型后外电极会形成鱼肚、毛刺状外观不良。当外电极鱼肚、毛刺状严重时会造成相邻电极连接而短路。鱼肚、毛刺状电极在电镀过程会产生尖端放电效应，导致镀层向磁体延伸过快而出现爬镀外观不良，严重时两相邻外电极连接在一起从而造成产品短路不良；同时鱼肚、毛刺状电极会导致产品杂散电容增加，进而影响产品其他电性指标。
[0003]如图1所示，多端子片式元器件I在涂布外电极时，通常是在塑胶轮2上凿出规定的凹槽3，然后使塑胶轮黏附电极浆料4再通过刮刀5将塑胶轮表面浆料刮除，仅塑胶轮凹槽位置黏附浆料，然后通过塑胶轮滚动、挤压多端子片全式元器件，将电极浆料涂布在裸露的引出电极部位，使电极浆料将多端子片式元器件引出电极完覆盖，然后通过干燥、高温烧结得到与磁体结合牢固、致密的外电极。
[0004]多端子片式元器件胚体表面亲水能力通常较强，而电极将料均为亲水性流体，若直接实施涂布，则电极浆料在多端子片式元器件表面易润湿、扩散、流挂，会形成鱼肚状的外电极6或毛刺状的外电极7，如图2所示。
[0005]传统上解决上述问题的办法有以下两种:
[0006]1、通过提高浆料触变指数、黏度，调整涂布参数，花费大量时间和物力成本，不但效果不显著且一致性、重现性差；
[0007]2、通过疏水液对多端子片式元器件表面进行疏水改性处理，使多端子片式元器件表面生成疏水膜层具备疏水特性，降低电极浆料在产品表面润湿、扩散、流挂程度，达到改善外电极鱼肚、毛刺状不良，但其疏水液常温易挥发产生刺激性气味，给作业环境造成污染，且疏水处理不满足公制1608以下尺寸产品。
【发明内容】
[0008]本发明的主要目的在于克服现有技术的不足，提供一种制作电子元器件的外电极的方法，解决多端子片式元器件外电极流挂、扩散问题。另外，还提供了一种电子元器件的表面处理方法。
[0009]为实现上述目的，本发明采用以下技术方案:
[0010]—种制作电子元器件的外电极的方法，包括以下步骤:
[0011]S1、在对电子元器件涂布外电极前对其表面进行等离子改性处理，在电子元器件表面沉积生成均匀的S1x膜层，使电子元器件表面获得一定疏水性能，所述电子元器件尤其是多端子片式元器件；
[0012]S2、对电子元器件涂布电极浆料以形成外电极。
[0013]进一步地:
[0014]在步骤S2之后，通过烧结的方式将产品表面沉积的S1x膜层除去。
[0015]步骤SI中，使用传送带使电子元器件通过放置在真空室中的靶材且不与所述靶材接触，并加载单体HMDSO和作为载体的氩气，所述靶材设置为-1000?-2600V的负电压，所述传送带设置为-100?-600V的负电压，处理过程中通入反应气体，所述反应气体、所述氩气及所述单体HMDSO在电场的作用下电离形成等离子，所述单体HMDSO与与所述等离子中的高能粒子碰撞，形成活性自由基和聚合S1-O-Si前驱物，从而在电子元器件表面沉积生成均匀的S1x膜层。
[0016]所述靶材设置成矩形的箱体，所述箱体的宽度和高度为10-40cm，电子元器件在所述传送带上从所述箱体中间通过。
[0017]所述箱体的长度根据需要设置，且所述箱体在长度方向上采用分段或非分段设置。
[0018]所述靶材由铜、铁、镍、钨、钼、钛中的任一种材料制成。
[0019]在靶材两端设置金属传送带定位轴，并使传送带及电子元器件处于靶材通道的中心，通过金属传送带承载和运送电子元器件。
[0020]所述反应气体为氢气、氧气、氮气中的任一种。
[0021]—种电子元器件的表面处理方法，包括以下步骤:
[0022]在对电子元器件涂布外电极前对其表面进行等离子改性处理，在电子元器件表面沉积生成均匀的S1x膜层，使电子元器件表面获得一定疏水性能，所述电子元器件尤其是多端子片式元器件。
[0023]所述等离子改性处理包括:使用传送带使电子元器件通过放置在真空室中的靶材且不与所述靶材接触，并加载单体HMDSO和作为载体的氩气，所述靶材设置为-1000?-2600V的负电压，所述传送带设置为-100?-600V的负电压，处理过程中通入反应气体，所述反应气体、所述氩气及所述单体HMDSO在电场的作用下电离形成等离子，所述单体HMDSO与所述等离子中的高能粒子碰撞，形成活性自由基和聚合S1-O-Si前驱物，从而在电子元器件表面沉积生成均匀的S1x膜层。
[0024]本发明的有益效果:
[0025]本发明的处理方法能解决电子元器件尤其是多端子片式元器件外电极流挂、扩散不良，不但效果显著、无污染，且易于操作且满足所有尺寸产品。本发明的优点具体体现在以下方面:
[0026]1.能切底解决多端子片式元件器上外电极形成的鱼肚、毛刺外观，不会导致电极浆料在产品表面润湿、扩散、流挂而形成鱼肚、毛刺状况电极。
[0027]2.等离子处理只是在端子片式元器件表面沉积一层极薄的S1x膜层，在其后的外电极高温烧结过程会完全消除，对元件后续加工品质无任何影响，且不影响产品的任何特性。
[0028]3.此方法易实现且易操作周期短成本低，只需在端子片式元器件涂布外电极前增加一道等离子处理工艺即可，端电极工序增加一套等离子设备，端子片式元器件在等离子设备中按进料、等离子处理、出料连续作业，出料即可进行外电极涂布，因此等离子处理设备可与外电极涂布机进行串联实现连续作业来提高效率。当然等离子处理设备参数设定、保存后，无需频繁修改参数仅需调取对应程序即可，设备操作、工艺维护非常简便。
【附图说明】
[0029]图1为多端子片式元器件涂布外电极的过程示意图。
[0030]图2为传统方法多端子片式元器件直接涂布外电极的产品外观。
[0031]图3为本发明实施例制作的多端子片式元器件外电极的产品外观。
【具体实施方式】
[0032]以下对本发明的实施方式作详细说明。应该强调的是，下述说明仅仅是示例性的，而不是为了限制本发明的范围及其应用。
[0033]在一种实施例中，一种电子元器件的表面处理方法，包括以下步骤:
[0034]在对电子元器件涂布外电极前对其表面进行等离子改性处理，在电子元器件表面沉积生成均匀的S1x膜层，使电子元器件表面获得一定疏水性能，所述电子元器件尤其是多端子片式元器件。对于S1x膜层，其中的X例如可以是取不小于2，不大于4的数值。
[0035]在优选的实施例中，所述等离子改性处理包括:使用传送带使电子元器件通过放置在真空室中的靶材且不与所述靶材接触，并加载单体HMDSO(六甲基二硅氧烷)和作为载体的氩气，所述靶材设置为-1000?-2600V的负电压，所述传送带设置为-100?-600V的负电压，处理过程中通入反应气体，所述反应气体、所述氩气及所述单体HMDSO在电场的作用下电离形成等离子，所述单体HMDSO与所述等离子中不断加速的高能粒子碰撞，形成活性自由基和聚合S1-O-Si前驱物，从而在电子元器件表面沉积生成均匀的S1x膜层。
[0036]通过优选以六甲基二硅氧烷为单体的等离子处理，在对多端子片式元器件涂布外电极前对其表面进行等离子改性处理，使多端子片式元器件表面获得一定疏水性能，从而显著降低银浆在元器件表面流动扩散蔓延程度，使得多端子片式元器件涂布的外电极8平直、光滑，无鱼肚、毛刺，如图3所示。通过这种处理，无需对电极浆料流变性、涂布工艺、参数做调试工作，其操作简易方便。
[0037]在一种实施例中，一种制作电子元器件的外电极的方法，包括以下步骤:
[0038]S1、在对电子元器件涂布外电极前对其表面进行等离子改性处理，在电子元器件表面沉积生成均匀的S1x膜层，使电子元器件表面获得一定疏水性能，所述电子元器件尤其是多端子片式元器件；
[0039]S2、对电子元器件涂布电极浆料以形成外电极。
[0040]在优选的实施例中，所述等离子改性处理包括:使用传送带使电子元器件通过放置在真空室中的靶材且不与所述靶材接触，并加载单体HMDSO(六甲基二硅氧烷)和作为载体的氩气，所述靶材设置为-1000?-2600V的负电压，所述传送带设置为-100?-600V的负电压，处理过程中通入反应气体，所述反应气体、所述氩气及所述单体HMDSO在电场的作用下电离形成等离子，所述单体HMDSO与等离子中的高能粒子碰撞，形成活性自由基和聚合S1-O-Si前驱物，从而在电子元器件表面沉积生成均匀的S1x膜层。