[0041]在优选的实施例中，根据多端子片式元器件表面特性，在对多端子片式元器件涂布外电极之前，将多端子片式元器件放置于等离子处理设备的传送网带上。加载单体HMDSO(六甲基二硅氧烷)，通入氮气、氩气，将靶材电压设为-2000V;调整传动轴使传送带电压保持-300V。通入反应氮气，氮气、氩气及单体HMDSO(六甲基二硅氧烷)在金属箱体电场的作用下电离形成等离子，调整传送带传动轴转速，较佳的，可使产品在等离子处理区域连续接受等离子处理8min。此过程中，单体与不断加速的高能粒子碰撞，发生能量转移，达到裂解或化学键断裂，形成活性自由基和聚合S1-O-Si前驱物，从而在多端子片式元器件胚体表面沉积生成均匀极薄的S1x膜，因S1x薄膜表面能很低，且其表面组成均匀、光滑、不变形、各向共性，具备较高疏水特性，从而使电极浆料对多端子片式元器件表面各部浸润、亲和能力显著下降和高度一致。
[0042]接下来，可采用如图1所示的方式和设备，对多端子片式元器件进行外电极涂布。因多端子片式元器件整个表面沉积有一层S1x疏水膜层而呈疏水性状，此时再上端电极涂布电极浆料，如图3所示，电极浆料不会在多端子片式元器件表面润湿、扩散、流挂，这时制得的外电极8平直美观，而不会使外电极呈鱼肚、毛刺状。
[0043]涂布完电极浆料之后，可通过端电极烧结的方式将产品表面沉积的S1x膜层高温除去。在中间过程产品无需做任何改变，不会对其性能有任何的影响，也不需要在其它工序中添加任何措施来去除其所带来的改变。
[0044]所使用的氮气、氩气及单体HMDSO(六甲基二硅氧烷)原料，市场上易获取，且无需做任何加工、调配处理。
[0045]由于只需在上端电极涂布电极浆料前增加一道等离子处理过程，处理方式简易方便、周期短、环保无污染，投入少收效高。
[0046]以下通过几个实例进行进一步说明。
[0047]实例I
[0048]多端子元器件表面等离子处理的方法，包括如下步骤:
[0049]步骤一:预制靶材
[0050]采用铁材质将靶材制成矩形箱体状，箱体宽度、高度为40cm，箱体长度根据需要制作或分段；
[0051]步骤二:组装
[0052]将多端子片式元器件放置传送带上表面并从靶材中间通过而不与靶材接触，传送带轴位于靶材两端，将靶材放置真空室中，靶材、多端子片式元器件及传送带均与真空室绝缘；
[°°53] 步骤三:加载单体、通气、通电
[0054]加载单体HMDSO(六甲基二硅氧烷)，通入氩气为载体，靶材设为负电位，电压-2600V;通过调整传动轴使传送带保持负电位，电压-600V;
[0055]步骤四:等离子处理
[0056]通入氮气，氮气、氩气及单体HMDSO(六甲基二硅氧烷)在金属箱体电场的作用下电离形成等离子，单体与不断加速的高能粒子碰撞，发生能量转移，达到裂解或化学键断裂，形成活性自由基和聚合S1-O-Si前驱物，从而在多端子片式元器件胚体表面沉积生成均匀极薄的S1x膜。
[0057]实例2
[0058]多端子元器件表面等离子处理的方法，包括如下步骤:
[°°59] 步骤一:预制革巴材
[0060]采用铜材质将靶材制成矩形箱体状，箱体宽度、高度为10cm，箱体长度根据需要制作或分段；
[0061]步骤二:组装
[0062]将多端子片式元器件放置传送带上表面并从靶材中间通过而不与靶材接触，传送带轴位于靶材两端，将靶材放置真空室中，靶材、多端子片式元器件及传送带均与真空室绝缘；
[0063]步骤三:加载单体、通气、通电
[0064]加载单体HMDSO(六甲基二硅氧烷)，通入氩气为载体，靶材设为负电位，电压-1000V;通过调整传动轴使传送带保持负电位，电压-100V;
[0065]步骤四:等离子处理
[0066]通入氧气，氧气、氩气及单体HMDSO(六甲基二娃氧烧)在金属箱体电场的作用下电离形成等离子，单体与不断加速的高能粒子碰撞，发生能量转移，达到裂解或化学键断裂，形成活性自由基和聚合S1-O-Si前驱物，从而在多端子片式元器件胚体表面沉积生成均匀极薄的S1x膜。
[0067]实例3
[0068]多端子元器件表面等离子处理的方法，包括如下步骤:
[0069]步骤一:预制靶材
[0070]采用铁材质将靶材制成矩形箱体状，箱体宽度、高度25cm，箱体长度根据需要制作或分段；
[0071]步骤二:组装
[0072]将多端子片式元器件放置传送带上表面并从靶材中间通过而不与靶材接触，传送带轴位于靶材两端，将靶材放置真空室中，靶材、多端子片式元器件及传送带均与真空室绝缘；
[0073]步骤三:加载单体、通气、通电
[0074]加载单体HMDSO(六甲基二硅氧烷)，通入氩气为载体，靶材设为负电位，电压-1800V;通过调整传动轴使传送带保持负电位，电压-350V;
[0075]步骤四:等离子处理
[0076]通入氢气，氢气、氩气及单体HMDSO(六甲基二娃氧烧)在金属箱体电场的作用下电离形成等离子，单体与不断加速的高能粒子碰撞，发生能量转移，达到裂解或化学键断裂，形成活性自由基和聚合S1-O-Si前驱物，从而在多端子片式元器件胚体表面沉积生成均匀极薄的S1x膜。
[0077]以上内容是结合具体/优选的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，其还可以对这些已描述的实施方式做出若干替代或变型，而这些替代或变型方式都应当视为属于本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种制作电子元器件的外电极的方法，其特征在于，包括以下步骤: S1、在对电子元器件涂布外电极前对其表面进行等离子改性处理，在电子元器件表面沉积生成均匀的S1x膜层，使电子元器件表面获得一定疏水性能，所述电子元器件尤其是多端子片式元器件； S2、对电子元器件涂布电极浆料以形成外电极。2.如权利要求1所述的制作电子元器件的外电极的方法，其特征在于，在步骤S2之后，通过烧结的方式将产品表面沉积的S1x膜层除去。3.如权利要求1所述的制作电子元器件的外电极的方法，其特征在于，步骤SI中，使用传送带使电子元器件通过放置在真空室中的靶材且不与所述靶材接触，并加载单体HMDSO和作为载体的氩气，所述靶材设置为-1000?-2600V的负电压，所述传送带设置为-100?-600 V的负电压，处理过程中通入反应气体，所述反应气体、所述氩气及所述单体HMDSO在电场的作用下电离形成等离子，所述单体HMDSO与所述等离子中的高能粒子碰撞，形成活性自由基和聚合S1-O-Si前驱物，从而在电子元器件表面沉积生成均匀的S1x膜层。4.如权利要求3所述的制作电子元器件的外电极的方法，其特征在于，所述靶材设置成矩形的箱体，所述箱体的宽度和高度为10_40cm，电子元器件在所述传送带上从所述箱体中间通过。5.如权利要求4所述的制作电子元器件的外电极的方法，其特征在于，所述箱体的长度根据需要设置，且所述箱体在长度方向上采用分段或非分段设置。6.如权利要求3至5任一项所述的制作电子元器件的外电极的方法，其特征在于，所述靶材由铜、铁、镍、钨、钼、钛中的任一种材料制成。7.如权利要求3至6任一项所述的制作电子元器件的外电极的方法，其特征在于，在靶材两端设置金属传送带定位轴，并使传送带及电子元器件处于靶材通道的中心，通过金属传送带承载和运送电子元器件。8.如权利要求3至7任一项所述的制作电子元器件的外电极的方法，其特征在于，所述反应气体为氢气、氧气、氮气中的任一种。9.一种电子元器件的表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤: 在对电子元器件涂布外电极前对其表面进行等离子改性处理，在电子元器件表面沉积生成均匀的S1x膜层，使电子元器件表面获得一定疏水性能，所述电子元器件尤其是多端子片式元器件。10.如权利要求9所述的表面处理方法，其特征在于，所述等离子改性处理包括:使用传送带使电子元器件通过放置在真空室中的靶材且不与所述靶材接触，并加载单体HMDSO和作为载体的氩气，所述靶材设置为-1000?-2600V的负电压，所述传送带设置为-100?-.600 V的负电压，处理过程中通入反应气体，所述反应气体、所述氩气及所述单体HMDSO在电场的作用下电离形成等离子，所述单体HMDSO与所述等离子中的高能粒子碰撞，形成活性自由基和聚合S1-O-Si前驱物，从而在电子元器件表面沉积生成均匀的S1x膜层。
【专利摘要】本发明公开了一种制作电子元器件的外电极的方法，包括以下步骤：S1、在对电子元器件涂布外电极前对其表面进行等离子改性处理，在电子元器件表面沉积生成均匀的SiOx膜层，使电子元器件表面获得一定疏水性能，所述电子元器件尤其是多端子片式元器件；S2、对电子元器件涂布电极浆料以形成外电极。在此还公开了一种电子元器件的表面处理方法。该方法可使得元器件涂布的外电极平直、光滑，无鱼肚、毛刺。
【IPC分类】H01L21/60
【公开号】CN105575831
【申请号】CN201510967450
【发明人】杨日章, 王清华, 许光
【申请人】深圳顺络电子股份有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年12月21日