技术编号:7209614
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造隧穿晶体管的方法。本发明还涉及一种包括根据这种方法制造的隧穿晶体管的集成电路(IC)。 背景技术诸如互补金属氧化物半导体(CM0Q场效应晶体管(FET)之类的半导体器件尺寸缩小到亚微米域及以下,例如缩小到亚IOOnm域并非毫无问题。这些问题之一是与MOSFET 的尺寸缩小一同发生诸如短沟道效应、较弱的电流驱动和泄漏电流之类的器件特性不希望的增加,这限制了可以使用这些器件的应用领域。例如,较高的泄漏电流阻止了在低功率应用中使用这种小晶体管,...
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